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World File Search System电路故障
高功率连续激光引起的热效应对...
Layla.Alshehhi@tii.ae 摘要 — 无人机 (UAV) 因其广泛的功能而被考虑用于不同的军事和民用应用。无人机最重要的部件是飞行计算机和相关电子设备。用于反无人机技术的高能激光系统会导致电子电路故障，这取决于许多参数，包括电路技术和激光特性。高功率激光诱导的热效应可能容易受到不同电子元件的影响，因此会影响电子设备的性能。在本研究中，研究了热对 Raspberry pi 性能的影响。关键词-Raspberry pi；激光诱导的热效应；数据采集；反无人机技术；无人机
空间系统 - 柯蒂斯-莱特防御解决方案
智能背板底盘专为空间相关的数据采集、数据处理和记录而设计。其智能抗辐射背板设计允许在辐射密集环境中使用 100 多个插入式 COTS 模块，而无需这些模块具有任何内置辐射防护。如果模块上发生单粒子闩锁 (SEL)，背板会检测到此现象并重置模块的操作。此操作可确保消除电离辐射（模块电子电路故障）的潜在有害影响。背板为机载任务计算机提供持续的健康状态信息以及看门狗功能。
故障注入攻击到底有多实用？
故障注入攻击 (FIA) 是一类主动物理攻击，主要用于恶意目的，例如提取加密密钥、提升权限、攻击神经网络实现。有许多技术可用于引起集成电路故障，其中许多来自故障分析领域。在本文中，我们探讨了 FIA 的实用性。我们分析了文献中最常用的技术，例如电压/时钟故障、电磁脉冲、激光和 Rowhammer 攻击。总而言之，FIA 可以通过使用通常低于数千美元的注入设备安装在 ARM、Intel、AMD 最常用的架构上。因此，我们认为这些攻击在许多情况下都可以被视为实用的，尤其是当攻击者可以物理访问目标设备时。
弱和低频生物力学能量收获新一代可穿戴电子产品的低损失功率管理策略
简介：在可穿戴电子产品的快速发展中，它们对外部功率来源的依赖增加了功率费用，同时导致其在充电期间的运行中断。生物力学能量收割机通过将废物动能转换为电力，为自动可穿戴电子产品提供了有希望的解决方案。尽管成功地将其功率输出从μW推进到MW，但几个挑战仍然存在，包括在μA级处的低输出电流，GΩ级别的高内部阻抗和AC输出限制了其实际应用。常规功率管理电路通常在高频收割机中使用，而无需充分考虑产生的能源损失，当使用较低功率输出的低频收割机时，可能会导致电路故障。
低压系统绝缘协调提案
电子设备因瞬变而发生故障和电路故障是目前的问题，而且随着小型化和电路复杂化的趋势不断推进，这个问题在未来可能会变得更加严重。目前，似乎还没有明确的办法来实现设备瞬变耐受能力与这些设备所承受的瞬变之间的兼容性。这种情况如图 1 所示。多年前，电力行业也出现过类似的情况。雷电产生的瞬变经常导致变压器和发电机等重要且昂贵的电力设备发生故障。这些瞬变问题通过以绝缘协调概念为指导的工程设计和一系列基本绝缘水平 (BIL) 的建立得到了解决。
2023 年 7 月 IEEE TAXONOMY 版本 1.02
........非线性网络分析 ........电路故障 ........电气故障检测 ........电路噪声 ........热噪声 ........电路模拟 ........电路综合 ........高级综合 ........集成电路综合 ........协处理器 ........计数电路 ........耦合电路 ........数字电路 ........电路拓扑 ........数字集成电路 ........数字信号处理器 ........分布参数电路 ........驱动电路 ........电子电路 ........面包板 ........中央处理单元 ........多谐振荡器 ........条板电路 ........等效电路 ........反馈 ........反馈电路 ........负反馈 ........神经反馈 ........混合集成电路 ........集成电路 ........模拟集成电路 ........模拟-数字集成电路 ........专用集成电路 ........CMOS集成电路 ........协处理器 ........电流模式电路............数字集成电路............FET集成电路............现场可编程门阵列............混合集成电路............集成电路互连............集成电路建模............集成电路噪声............集成电路合成............大规模集成............MESFET集成电路
避免 IC 互连中因迁移而导致的故障
摘要 — 迁移引起的金属互连性能下降日益威胁着集成电路的可靠性。迁移导致的故障风险不仅在每个新技术节点中都在上升，而且还制约着互连结构的小型化。除了直流线路（例如供电网络）、信号和时钟线路也日益因迁移而性能下降。本文总结了我们目前在避免迁移引起的集成电路故障方面的知识。在介绍和讨论迁移机制之后，我们将重点关注日益增长的电迁移敏感性和热迁移日益增加的影响。展望未来，我们将回顾将迁移约束和缓解措施纳入布局综合的新型 IC 设计策略。索引术语 — 电迁移、应力迁移、热迁移、可靠性、物理设计、迁移稳健性
博士论文：用于量子计算应用的低温半导体器件可靠性 (f/m/div)*
我们提供一篇博士论文，研究液氦温度下半导体器件的老化机制。基于电气测量，确定并深入研究了 4.2 K 下的相关物理老化机制。开发或扩展了低温老化模型。过去二十年来，量子计算一直是基础研究中一个非常活跃的领域。在过去的 5 年里，它已经达到了成熟的水平，商业应用触手可及。英飞凌希望通过研究不同的量子系统及其在低温下的电子环境来推动这一发展，以便操纵和读取这些系统。在半导体器件中，许多物理效应会导致器件电气参数的漂移，进而导致整个电路故障。预测这种漂移在整个生命周期中的现象对于确保电路的功能性非常重要。对于量子计算应用，需要研究低温下的退化效应，并分别开发物理模型。
电路可靠性预测：设备时间相关的可变性特征障碍
I.必须采用一种可靠性的设计（RAD）方法来维持超级CMOS技术节点的系统可靠性。在那里，必须在早期/系统设计阶段进行优化的可靠性以及性能[1，2]。电路可靠性受到基础设备的时间依赖性变异性（TDV）的强烈影响。tdv被观察到设备电特性的移位（例如，测量为阈值电压的变化），与过程相关的偏移一起（即时间零变异性TZV）将对电路性能产生负面影响，并最终可能以电路故障结束[3，4]。因此，为了弥合设备和电路级别之间的缝隙，必须将精确描述设备TDV的紧凑型模型开发并实现到电路仿真工具中[5，6]。实际上，尽管没有完全应对所有挑战[9]，但诸如Relxpert [7]或Mosra [8]等几种CAD商业工具已经评估了IC可靠性。
适用于航空航天和军事应用的软错误恢复 SRAM 单元
摘要 — 太空辐射粒子会导致电路故障。它对内存敏感的存储设备尤其敏感。当它影响存储在内存电路中的数据时，会造成中断。标准 6T SRAM 无法缓解这种中断。因此，许多作者提出了各种恢复策略。然而，存储单元效率和软错误概率之间存在权衡。本文介绍了一种极性设计软错误翻转恢复 SRAM 存储单元 (SUR-16T)，它可以有效地恢复由于高能粒子撞击而丢失的数据。与上述存储单元相比，SUR-16T 具有出色的写入稳定性、更低的保持功耗和更短的 PVT 变化写入访问时间。此外，在 0.8V 电压下，SUR-16T 的临界电荷比 SEA-14T/ RHBD-13T/ RHMC-12T/ QCCS-12T/ NRHC-14T/ HRRT-13T 高 0.96 倍/ 1.15 倍/ 1.10 倍/ 1.18 倍/ 1.02 倍/ 1.64 倍。此外，所提出的存储单元比现有存储单元具有更高的相对性能系数。