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World File Search System电铸
多层烧结工艺提高微型齿轮壁厚均匀性
摘要：电铸层厚度不均匀性是制约电铸微金属器件发展的瓶颈问题。微齿轮是各类微器件的关键元件，本文提出了一种提高其厚度均匀性的新制备方法。通过仿真分析研究了光刻胶厚度对均匀性的影响，结果表明随着光刻胶厚度的增加，电流密度的边缘效应减小，电铸齿轮的厚度不均匀性会减小。与传统的一步正面光刻和电铸方法不同，该方法采用多步自对准光刻和电铸工艺制备微齿轮结构，在交替光刻和电铸过程中间歇地保持光刻胶厚度的降低。实验结果表明，该方法制备的微齿轮厚度均匀性比传统方法提高了45.7%。同时，齿轮结构中部区域的粗糙度降低了17.4%。
试验筛振动器、试验筛和实验室设备
HAVER 测试筛具有出色的准确性和稳定性。筛底的最佳张力保证了较长的使用寿命。筛底（编织金属丝布或筛网、穿孔金属板或电铸板）通过焊接、焊接或使用粘合剂固定在张力环上。将张力环压入框架并粘在上面。由孔径宽度为 20 µm 至 45 µm 的编织金属丝布制成的筛底通常将其下侧固定在张力环上。精心制造保证了良好的使用寿命和完美的操作。为了满足高要求，HAVER & BOECKER 定期进行收货和生产控制。每块测试筛都经过认证，符合 DIN EN 10204 的 2.1 号命令，无需额外付费。如有要求，还可提供符合 EN 10204 3.1 B 的检验证书“B”，但需额外付费。测试记录以表格和图形形式表示孔径分布的测量结果。
温度对 Al/SiO2/n++-Si RRAM 器件电气特性影响的研究 Maciej:，Micromachines，MDPI，第 13 卷，第 10 期，2
现代纳米电子学的发展依赖于技术进步和能够改善系统性能的新型器件概念。科学家和工程师的不懈努力使得现代集成电路 (IC) 和性能增强器的尺寸不断缩小，从而能够保持 IC 性能的进步 [1,2]。与此同时，人们也投入了类似的努力来开发现代电路中不可或缺的存储器件。然而，为了保持这种进步，需要新型器件。近年来，出现了新的存储器件概念，例如电阻式 RAM (RRAM) [3–6]、自旋转移力矩 RAM (STT-RAM) [7,8]、铁电 RAM (FeRAM) [9] 和相变 RAM (PCRAM) [10]。电阻式 RAM (RRAM) 因其结构简单、能够缩小器件尺寸以实现高密度、低功耗和高速运行而备受关注。它们有可能以并行方式对大量数据进行计算，为了实现如此卓越的性能，人们测试了不同的新型计算范例，例如脑启发计算、内存计算、随机计算和神经形态计算 [11–13]。人们已经测试了各种氧化物材料作为 RRAM 器件中电阻切换层的候选材料 [14–16]。一些工作提出了对 SiO 2 作为这些器件的有前途的材料的研究 [17–20]。在我们最近的研究中，我们表明，Al/SiO 2 /n++-Si 材料堆栈中众所周知的氧化硅也可以表现出电阻切换特性 [21,22]。然而，很少有研究涉及温度对器件性能的影响 [23–25]。在这项工作中，我们研究了温度变化对器件电性能的影响，以研究它们的电传输机制并了解它们的行为。我们分析了电铸电压，并表明它