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World File Search System电阻
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
双探针电阻（扩散电阻）和四探针电阻计算的计算机程序集合，RESPAC
过去二十年对数据进行解释。这一点很重要，因为该技术不直接提供承运人资料。相反，电阻率曲线是通过分析深度相关的扩散电阻数据间接获得的。这需要物理
vemlidy®电阻概况
使用HEPG2细胞在短暂转染测定法中，评估了包含与HBV核苷逆转录酶抑制剂耐药性相关的一组分离株的抗病毒活性。HBV分离出表达lamivudine抗性相关取代的RTM204V/I（±RTL180M±RTV173L）并表达与Entecavir抗性相关的取代RTTT184G，RTS202G，RTS202G，或RTM250V在RTM250V中显示RTM250V，RTM250V均和RTL180M和RTL180M。 TAF的敏感性（在测定间变异性内）。HBV分离株表达RTA181T，RTA181V或RTN236T与Adefovir抗性相关的单个替代物在EC 50值中的变化<2倍；然而，表达RTA181V加RTN236T双重取代的HBV分离物表现出对TAF的敏感性（3.7倍）。这些取代的临床相关性尚不清楚。
电阻焊产品
ELKONITE ® 1W3 和 3W3 合金通常用于闪光和对接焊模具镶件，此类模具需要更高的电导性和热导性，并且需要一定程度的延展性。这些材料还用于点焊（作为圆角面电极）低导电性黑色金属，例如不锈钢。ELKONITE ® 5W3 和 TC5 合金通常用于焊接压力不太大的轻型凸焊模具。ELKONITE ® 10W3 合金用于大多数闪光和对接焊模具中的电极和模具镶件以及焊接压力适中的凸焊模具。它还用于轻型电镦锻、电锻模具和缝焊机衬套镶件。ELKONITE ® 30W3 和 TC10 合金适用于压力相对较高的体积凸焊模具。有色金属和低碳钢的电镦锻通常通过使用 ELKONITE ® 材料作为模具面层来完成。大直径线材和棒材的交叉丝焊接是使用 ELKONITE ® 材料完成的。ELKONITE ® 3W53 和 10W53 是可热处理的 ELKONITE ® 材料等级，以完全热处理的状态供应。如果将银钎焊到模具背衬上，则应在钎焊后对此类 ELKONITE ® 材料进行热处理。这些较硬的等级主要用于温度和压力相对较高的电锻和电镦锻模具。
电阻式触摸屏 - Octopart
• 交货后保修一年。除非与 NKK 触摸屏一起使用，否则我们不对控制器板提供保修。 • 使用防电弧装置保护设备免受静电影响。 • 主机和触摸屏连接后应接通电源。 • 插入连接器 CN1 和触摸屏尾部时，请确保拉动连接器 CN1 的滑块。拉动次数不得超过 10 次。 • 请勿改造产品。 • 请勿使用规格中未指定的任何命令。 • 将产品远离噪声源（例如来自 LCD 操作的逆变器），因为尾部可能会受到噪声的影响。 • 如果安装后设备驱动程序 (USB) 不工作，请在连接到控制器板的状态下重新启动主机。 • 本产品不支持挂起模式（USB）。• USB 传输协议为每次交易一帧。• 如果不使用上述协议，请联系工厂。
薄膜WBR（电线电阻）
一般说明顶部触点精密电线键键电阻器是超稳定性的，具有高可靠性。电阻器被修剪为紧密的耐受性。该值的可自定义值和唯一标记。此设备构建于0202芯片轮廓，非常适合但不限于混合电路应用。
赛车手：使用电阻内存
为了打击主要存储器和CPU之间移动数据的高能量成本，最近的作品提出了执行加工记忆（PUM）的工作，这是一种记忆中的一种处理，其中在现场进行数据操作（即，在存储单元格在持有数据的存储单元上）。几种常见和新兴的记忆技术提供了通过互连单元相互作用来执行比尔原始功能的能力，从而消除了对多个常见操作使用离散的CMOS计算单元的需求。最近的PUM架构扩展了这些布尔原始图，以使用内存执行比特系列的组合。不幸的是，基础内存设备的几个实际局限性限制了新兴内存阵列的大小，这阻碍了传统的位式计算方法的能力，除了大量的能源节省外，还可以提供高性能。在本文中，我们提出了赛车手，这是一个具有成本效益的PUM档案馆，可使用少量的电阻性记忆提供高性能和大量节省的能源。Racer利用了一个比特的上流执行模型，该模型可以在W小图块上管道位的w-bit计算。我们完全设计有效的控制和外围电路，它们的区域可以在不牺牲记忆密度的情况下在小记忆砖上摊销，我们为Racer提出了ISA抽象，以允许简单的程序/编译器集成。We evaluate an implementation of RACER using NOR- capable ReRAM cells across a range of microbenchmarks extracted from data-intensive applications, and find that RACER provides 107 × , 12 × , and 7 × the performance of a 16-core CPU, a 2304-shader- core GPU, and a state-of-the-art in-SRAM compute substrate, re- spectively, with energy savings of 189 × , 17 × ,和1.3×。
CW1102
温度阈值设置步骤 1 ． 选择 NTC 电阻，默认 103AT ， B=3435 2 ． 确定充电过温保护阈值，如： 50°C 3 ． 根据 NTC 电阻的曲线图，找到 50°C 对应的电阻值，如 4.15k 4 ． 使用 10 倍阻值的正常电阻连接至 RCOT 引脚，即 41.5k 5 ． 放电过温保护设置使用相同的方法，但电阻需连接至 RDOT 引脚 6 ． 充电低温保护设置使用相同的方法，但电阻需连接至 RUT 引脚 7 ． 若充电低温阈值为 0°C ，放电低温保护阈值为 0°C-20°C = -20°C 8 ． 详细电路请参考应用电路，通过选择电阻来设定合适的保护温度 对于采用非 103AT,B=3435 的 NTC 应用，配置电阻需要额外设置，设置方式请咨询赛微 FAE 获得更 多支持。
