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World File Search System电阻
使用电阻记忆和超声波换能器进行神经形态物体定位
现实世界的传感处理应用需要紧凑、低延迟和低功耗的计算系统。混合忆阻器-互补金属氧化物半导体神经形态架构凭借其内存事件驱动计算能力，为此类任务提供了理想的硬件基础。为了展示此类系统的全部潜力，我们提出并通过实验演示了一种用于现实世界对象定位应用的端到端传感处理解决方案。从仓鸮的神经解剖学中汲取灵感，我们开发了一种生物启发的事件驱动对象定位系统，将最先进的压电微机械超声换能器传感器与基于神经形态电阻式存储器的计算图结合在一起。我们展示了由基于电阻式存储器的巧合检测器、延迟线电路和全定制超声传感器组成的制造系统的测量结果。我们使用这些实验结果来校准我们的系统级模拟。然后使用这些模拟来估计对象定位模型的角度分辨率和能量效率。结果揭示了我们的方法的潜力，经评估，其能量效率比执行相同任务的微控制器高出几个数量级。
零外部磁场量子量子在10 -9级别的电阻标准
量子异常霍尔效应在凝结物理和计量学中具有颠覆性创新，因为它可以根据von-klitzing常数r k = h/e 2在零外部磁场上访问霍尔电阻量化。在这项工作中，我们研究了基于磁性拓扑绝缘体材料（V，BI，SB）2 TE 3的设备中霍尔电阻量化的准确性。We show that the relative deviation of the Hall resistance from R K at zero external magnetic field is (4.4 ± 8.7) nΩ/Ω when extrapolated to zero measurement current, and (8.6 ± 6.7) nΩ/Ω when extrapolated to zero longitudinal resistivity (each with combined standard uncertainty, k = 1), which sets a new benchmark for the quantization accuracy in topological matter.在NΩ/ω水平（或相对不确定性的10 -9）处的这种精度和准确性达到了相关的计量应用的阈值，并建立了零外部磁场量子量子标准电阻标准 - 朝着将量子基于量子的电压和电阻整合到单个通用电气电气电气中的重要步骤。
WSBM8518 Power MetalStrip®电池电池电阻器W/ ... div>
有关产品适用于某些类型应用程序的陈述是基于Vishay对典型要求的了解，这些要求通常在通用应用中的Vishay产品上放置。此类陈述不是关于产品适用于特定应用的适用性的约束性陈述。有责任验证具有产品规范中描述的特定属性的特定产品适合在特定应用程序中使用。数据表中提供的参数和 /或规格在不同的应用程序中可能会有所不同，并且性能可能会随着时间而变化。客户的技术专家必须为每个客户应用程序验证所有操作参数，包括典型参数。产品规格不会扩展或以其他方式修改Vishay的购买条款和条件，包括但不限于其中表达的保修。
vemlidy®电阻概况
使用HEPG2细胞在短暂转染测定法中，评估了包含与HBV核苷逆转录酶抑制剂耐药性相关的一组分离株的抗病毒活性。HBV分离出表达lamivudine抗性相关取代的RTM204V/I（±RTL180M±RTV173L）并表达与Entecavir抗性相关的取代RTTT184G，RTS202G，RTS202G，或RTM250V在RTM250V中显示RTM250V，RTM250V均和RTL180M和RTL180M。 TAF的敏感性（在测定间变异性内）。HBV分离株表达RTA181T，RTA181V或RTN236T与Adefovir抗性相关的单个替代物在EC 50值中的变化<2倍；然而，表达RTA181V加RTN236T双重取代的HBV分离物表现出对TAF的敏感性（3.7倍）。这些取代的临床相关性尚不清楚。
导体长度对电阻型超导故障电流限制器应用
摘要 - 使用2次生成高温超导体（2G HTS）磁带的电阻型超导故障电流限制器（R-SFCL）的设计。一方面，当淬火发生在整个导体上（即限制机制）时，它应该承受最高的电场以降低其长度并使其具有成本效益。另一方面，它还必须应对热点制度。临界电流范围内的故障电流可以导致沿导体长度的局部耗散，从而在显示最低值值的部分上。来自低正常区域传播速度的2G HTS磁带的电流几乎没有限制会导致这些区域的温度升高，从而极大地威胁了它们的完整性。总而言之，导体体系结构适应了高电场，并获得了热点制度中最高温度的无损值。但是，导致这种最后提及的制度的𝑰𝑰变化取决于沿胶带的位置。本文旨在鉴定可变导体长度对𝑰𝑰变化的影响，并因此对热点制度的影响。我们首先研究长度对𝑰𝑰变化的影响。当导体长度增加时，最小临界电流往往会减小。这种行为可以通过Weibull分布来建模，假设最小临界电流与无限导体长度不同。为了评估对热点制度的这种影响，我们使用2G HTS导体的确定性1D建模来开发一种概率方法，该模型沿其长度考虑了𝑰𝑰𝑰𝒄不均匀性，以模拟R-SFCL行为。看来，导体越长，热点状态中的最高温度就越高。此外，两个相对长度相对长度的测量值在热点状态下呈现不同的最高温度的事实导致了一种方法，可以设计出所需长度的大规模制造导体，可稳健，以在任何𝑰𝒄的变化中生存在热点方案中。
水分对结构依赖性影响ZnO薄膜电阻切换行为
依赖于金属绝绝构成结构设备中电阻开关现象的两末端回忆设备最近引起了人们对实现下一代记忆和神经形态架构的极大关注。[1-4]的身体机制取决于电化学效应和纳米离子工艺涉及金属原子溶解在电芯片中溶解的金属溶解的金属活性电极，并导致金属群体在互联网中的转变，以使得Metal the Is condrative the Is the Is the Is the Is the Metallix the Mentals Ondallic the Mentals the Mentals contallic contallix contallix contallix contallix contallix contallix contallix的迁移。[5,6]先前的报道表明，电阻开关机制受外在影响的强烈影响，例如存在可以扩散并吸附在绝缘基质中的水分。[7,8,17,18,9-16]在术语中，水分对电阻切换细胞功能的影响被观察到取决于所涉及材料的特定化学/结构特性。[7]在金属氧化物中，半导体ZnO被广泛利用为用于实现电子设备的活性材料。由于其特殊的光子，机械和电子特性以及生物相容性和环保性特征，ZnO也被认为是广泛应用的有前途的候选人，包括现场效应晶体管，压电电透射器，光伏，传感器，传感器和照片检测器。[19-24]也，对ZnO的兴趣与具有多种形态的可能性有关，包括纳米线，纳米棒，纳米生物和纳米片。[25,26]在此框架中，在包括纳米线/纳米棒在内的ZnO纳米结构中观察到了电阻性开关现象，[27-29]纳米岛[30]，以及在具有不同沉积技术的广泛薄膜中。[31,32,41,33-40]，在电阻开关设备领域，由于其高透明度可见光，[37-39]也充分利用了其辐射硬度，因此非常感兴趣地致力于ZnO。[42]
使用债券电阻作为半导体功率模块的老化指标
摘要 - 本文调查了电线的使用 - 将接触电阻作为诊断电力电子模块的健康状况的指标。该技术特别致力于监测当模块用开尔文点连接时，在模块连接时，顶部互连（金属化线键）的降解。该指标的一个优点是，可以在线遵循，而不会被当前或电压打扰，以诊断健康状况，并可能通过将功率模块的剩余寿命的预后与终身模型相关联。为此目的，基于在不同条件下的动力循环测试，该指标与常用的指标（即收集器发射器电压VCE表明，第一个对降解更敏感，更易于在线使用，最后应该更适合终身预后。
1个抑制作用的电阻机制和...
。cc-by 4.0国际许可（未经Peer Review尚未获得认证）是作者/资助者，他已授予Biorxiv的许可证，以永久显示预印本。这是该版本的版权持有人，该版本发布于2023年1月18日。 https://doi.org/10.1101/2023.01.15.524171 doi：Biorxiv Preprint
电阻偶极加速器的比较分析... -IRIS
摘要 - 这项工作着重于在国际Muon Collider合作（IMCC）框架内研究的MUON对撞机加速器的电阻偶极子磁铁的设计以及欧盟（Mucol Pro-gram）的参与。设计规格要求这些偶极子被列为非常快速的坡道，坡道时间在1 ms到10 ms的范围内。这反过来又导致需要非常高的功率，以数十GW的顺序为需要实现的快速循环同步性（RC）链。对于磁铁设计，考虑了三种几何配置，并在这项研究中进行了比较，即沙漏磁铁（以前在美国Muon Collider设计研究中考虑），窗框磁铁和H型磁铁。进行了优化程序，以最大程度地减少磁铁中存储的能量，以降低快速坡道期间的能量。根据总存储能量，运营量周期中的总损失和现场质量，比较了本文中三种考虑的配置的结果。由于低储存能量和低损耗，H型磁铁被识别为适合配置。
电阻RAMS（RRAMS）的节能电流控制和读取方案
抽象能量效率仍然是改善RRAM的关键性能标记以支持物联网边缘设备的主要因素之一。本文提出了一种简单且可行的低功率设计方案，可以用作降低RRAM电路能量的强大工具。设计方案仅基于写入和阅读操作期间的当前控制，并确保写作操作完成而不会浪费能量。提出了自适应写终止电路，以控制在形成，重置和集合操作过程中的RRAM电流。终端电路感知编程电流，并在达到首选编程电流后立即停止写入脉冲。仿真结果表明，适当的编程电流选择可以帮助提高4.1倍的形成，设置的改善9.1倍，重置能量提高1.12倍。此外，还证明了对复位电阻的严格控制的可能性。阅读能量优化也可以通过利用差分含义的放大器提供可编程当前参考。最后，根据最终的应用程序要求，建立了设置/重置操作期间能源消耗与可接受的读取保证金之间的最佳权衡。