NSA2860是一款针对电阻式压力传感器、热电偶、RTD等电阻式或电压式传感器的高集成度专用集成电路。由于NSA2860集成度高,应用范围广泛,本文将详细介绍其硬件外围电路,以便用户对各类典型应用有针对性的了解。
摘要 —与不带耦合电感的传统阻抗源网络相比,磁耦合阻抗源网络可以在较小的直通占空比下获得较高的电压增益,但无源元件和功率器件中的寄生电阻严重影响实际的电压增益,需要进行研究。本文推导并分析了三种不同情况下寄生电阻对磁耦合阻抗源网络电压增益的影响:第一,寄生电阻与输出等效电阻的电阻比不同,第二,不同的直通占空比,第三,不同的绕组比。首先,针对三种典型的磁耦合阻抗源网络——Trans-Z源、Г源和Y源网络,提出了考虑寄生电阻的广义等效电路模型。在此基础上,从数学上推导并讨论了上述三种不同情况下寄生电阻对电压增益的影响。并推导了同时考虑三种电阻比时的最大电压增益.最后,给出了具有代表性的仿真和实验结果来验证所提出的广义等效电路模型、相应的数学推导以及寄生电阻对磁耦合阻抗源网络的影响.
摘要 - 这项工作着重于在国际Muon Collider合作(IMCC)框架内研究的MUON对撞机加速器的电阻偶极子磁铁的设计以及欧盟(Mucol Pro-gram)的参与。设计规格要求这些偶极子被列为非常快速的坡道,坡道时间在1 ms到10 ms的范围内。这反过来又导致需要非常高的功率,以数十GW的顺序为需要实现的快速循环同步性(RC)链。对于磁铁设计,考虑了三种几何配置,并在这项研究中进行了比较,即沙漏磁铁(以前在美国Muon Collider设计研究中考虑),窗框磁铁和H型磁铁。进行了优化程序,以最大程度地减少磁铁中存储的能量,以降低快速坡道期间的能量。根据总存储能量,运营量周期中的总损失和现场质量,比较了本文中三种考虑的配置的结果。由于低储存能量和低损耗,H型磁铁被识别为适合配置。
1 产品简介 .......................。。1 1.1 概述。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.2 特点 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。1 1.3 应用。。。。。。。。。。。。。。。.............1 1.4 快速参考数据。.....................1 2 置顶信息。....................2 3 订购信息 ..............。。。。。。3 4 标记。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。3 5 极限值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 6 热特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。4 7 特征。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。5 8 封装轮廓。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。6 9 包装信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。7 10 修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。8 11 法律信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.1 数据表状态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.2 定义。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.3 免责声明。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 11.4 商标。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 12 联系信息。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。9 13 目录 .。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。10
高精度温度测量正成为应用物理和基础物理等众多领域的横向需求。在大多数情况下,高精度与对高稳定环境的需求相伴而生,以确保实验的长期运行,例如系外行星探测仪器的情况 [1]。为了实现更高的稳定性,将这些实验转移到太空是一种自然的选择。事实上,越来越多的任务正在寻求在轨实验提供的稳定性,这是实现其科学目标的关键要求 [2-5]。在太空任务中,LISA 等引力波探测器 [6] 代表了温度传感中一个特别具有挑战性的领域,主要原因是这些天文台的设计目标是在毫赫兹频率范围内实现最高灵敏度。在这些超稳定操作状态下,温度波动会通过各种现象干扰科学测量,包括直接施加到测试质量上的热感应力和干涉仪中温度引起的路径长度变化 [ 7 – 10 ]。近年来,人们对开发能够实现高温度分辨率的新技术的兴趣日益浓厚。光学计量实验已证明温度精度为 80 nK / √
抽象的同源重组(HR)修复缺陷会损害基因组稳定性的适当维持,从而使癌细胞易于损失或抑制DNA修复蛋白,例如聚(ADP-核糖)聚合酶1(PARP-1)。核PARP的抑制剂是许多不同类型的癌症的有效治疗方法。 在这里,我们回顾了对PARP抑制剂(PARPI)治疗使用的关键概念和当前的进展。 parpi选择性地诱导具有同源重组降低(HRDS)的癌细胞中的合成致死性,最值得注意的是在BRCA1和BRCA2基因中具有突变的癌细胞。 最近的临床证据表明,无论BRCA1/2或HRD状态如何,PARPI都可以作为癌症治疗有效,这表明更广泛的患者可能会受益于PARPI治疗。 目前,食品药品监督管理局(FDA)已批准了四个PARPI用于治疗有害的BRCA突变的晚期卵巢癌和乳腺癌。 尽管已证明PARPI可以改善无进展的生存,但癌细胞不可避免地会产生抗性,这对长期使用PARP抑制剂构成了重要的障碍。 例如,在接受基于铂的治疗治疗后,在患有BRCA1/2-突变的癌症患者中通常会鉴定出体细胞BRCA1/2恢复突变,从而导致HR能力恢复,从而赋予PARPI耐药性。 因此,已经研究了PARPI与其他靶向疗法相结合的,以克服PARPI耐药性,增强PARPI效率,并使肿瘤敏感对PARP抑制。核PARP的抑制剂是许多不同类型的癌症的有效治疗方法。在这里,我们回顾了对PARP抑制剂(PARPI)治疗使用的关键概念和当前的进展。parpi选择性地诱导具有同源重组降低(HRDS)的癌细胞中的合成致死性,最值得注意的是在BRCA1和BRCA2基因中具有突变的癌细胞。最近的临床证据表明,无论BRCA1/2或HRD状态如何,PARPI都可以作为癌症治疗有效,这表明更广泛的患者可能会受益于PARPI治疗。目前,食品药品监督管理局(FDA)已批准了四个PARPI用于治疗有害的BRCA突变的晚期卵巢癌和乳腺癌。尽管已证明PARPI可以改善无进展的生存,但癌细胞不可避免地会产生抗性,这对长期使用PARP抑制剂构成了重要的障碍。例如,在接受基于铂的治疗治疗后,在患有BRCA1/2-突变的癌症患者中通常会鉴定出体细胞BRCA1/2恢复突变,从而导致HR能力恢复,从而赋予PARPI耐药性。因此,已经研究了PARPI与其他靶向疗法相结合的,以克服PARPI耐药性,增强PARPI效率,并使肿瘤敏感对PARP抑制。此外,现在正在积极进行多项临床试验,以评估PARPI与其他抗癌疗法的新型组合,以治疗parpi抗性癌症。在这篇综述中,我们强调了有或没有BRCA1/2缺陷的PARP抑制剂的作用机理,并提供了正在进行的PARPI临床试验的概述。我们还回顾了基于PARPI的组合策略和PARP抑制剂耐药性的当前进展。
拓扑绝缘子的边缘状态可用于探索低维和拓扑界面上出现的基本科学。实现可靠的电导量化已被证明对螺旋边缘状态具有挑战性。在这里,我们在扭结状态下显示了宽的电阻平台 - 伯纳尔双层石墨烯中量子谷霍尔效应的表现 - 量化为零磁场处的预测值。高原耐药性的温度依赖性非常弱,高达50 kelvin,并且在数十MV的直流偏置窗口内是平坦的。我们演示了拓扑控制开关的电气操作,开/关比为200。这些结果证明了扭结状态的鲁棒性和可调性及其在构建电子量子光学设备方面的承诺。
1.以 ZL6205 为例,先简单介绍一下 ........................................................................ 1 2.直接上拉使能 ........................................................................................................... 2 3.电阻分压使能 ........................................................................................................... 3 4.其他使能应用 ........................................................................................................... 4 5.免责声明 ................................................................................................................... 6
FM8502 是一款工作在电感电流临界模式的高精度降压型 LED 恒流驱动芯片,芯片内部集成 500V 功率开关且 具有 OVP 电压调节功能,可通过调节外置 OVP 电阻阻值来设置 Vovp 电压值,另外,芯片 ROVP 引脚带 Enable 功能,可兼容开关调色应用。 FM8502 内置了高精度的采样、补偿电路和高压 JFET 供电技术,无需启动电阻和 VCC 电容,使得系统外围十分简单,在实现高精度恒流控制的前提下,最大限度的节约了系统成本和体积,可 广泛应用于 LED 球泡灯、 LED 蜡烛灯、 LED 日光灯管及其它非隔离降压型 LED 照明驱动领域。
圣巴巴拉红外公司 (SBIR) 正在生产高性能 1,024 x 1,024 大尺寸电阻发射器阵列 (LFRA),用于下一代红外场景投影仪 (IRSP)。LFRA 要求是通过与三军红外场景投影仪工作组的密切合作以及通过 OSD 中央 T&E 投资计划 (CTEIP) 和第一阶段美国海军小型企业创新研究 (SBIR) 合同赞助的详细贸易研究而制定的。CMOS 读入集成电路 (RIIC) 由 SBIR 和 Indigo Systems 根据小型企业创新研究 (SBIR) 合同设计。性能和功能包括 750 K MWIR 最大表观温度、5 毫秒 (10-90%) 辐射上升时间、200 Hz 全帧更新和 400 Hz 窗口模式操作。2002 年中期将制造并分析 10 个 8 英寸 CMOS 晶圆,随后在 2002 年末制造发射器。本文讨论了阵列性能、要求流程、阵列设计、2 x 2 英寸 CMOS 器件的制造以及后续 RIIC 晶圆测试和发射器像素制造的计划。