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World File Search System电阻值
S-821AA系列电池保护IC
本 IC 是锂离子 / 锂聚合物充电电池的高端保护 IC，包含高精度电压检测电路、延迟电路和三重升压充电泵，用于驱动外部充电 / 放电 FET。适用于保护 1 节锂离子 / 锂聚合物充电电池组免受过充电、过放电和过电流的影响。通过使用外部过电流检测电阻，本 IC 实现了高精度过电流保护，且受温度变化的影响较小。 特点 ● 高精度电压检测电路 过充电检测电压 3.500 V ～ 4.800 V (5 mV 进阶) 精度±15 mV 过充电解除电压 3.100 V ～ 4.800 V *1 精度±50 mV 过放电检测电压 2.000 V ～ 3.000 V (10 mV 进阶) 精度±50 mV 过放电解除电压 2.000 V ～ 3.400 V *2 精度±75 mV 放电过电流 1 检测电压 -3 mV ～ -100 mV (0.25 mV 进阶) 精度±1 mV 放电过电流 2 检测电压 -6 mV ～ -100 mV (0.5 mV 进阶) 精度±3 mV 负载短路检测电压 -20 mV ～ -100 mV (1 mV 进阶) 精度±5 mV 充电过电流检测电压3 mV ～ 100 mV（0.25 mV 进阶） 精度±1 mV 0 V 电池充电禁止电池电压 1.45 V ～ 2.00 V *3（50 mV 进阶） 精度±50 mV ● 过热检测功能：有、无 ● 带外置 NTC 热敏电阻的高精度温度检测电路（阻值：25°C 时 100 kΩ±1% 或 470 kΩ±1%，B 常数：±1%） 过热检测温度 +65°C ～ +85°C（5°C 进阶） 精度±3°C 过热释放温度 +55°C ～ +80°C（5°C 进阶）*4 精度±5°C ● 内置电荷泵：三重升压（调节电压 = V DD + 4.2 V） ● 检测延迟时间仅由内部电路产生（不需要外置电容器）。 ● 放电过电流控制功能 放电过电流状态的解除条件 : 断开负载、连接充电器 ● 0 V 电池充电 : 允许、禁止 ● 休眠功能 : 有、无 ● 省电功能 : 有、无 ● PS 端子内部电阻连接 通常状态下 : 上拉、下拉 省电状态下 : 上拉、下拉 ● PS 端子内部电阻值 : 1 MΩ ～ 10 MΩ (1 MΩ 进阶单位) ● PS 端子控制逻辑 : 动态 "H"、动态 "L" ● 高耐压 : VM 端子、CO 端子和 DO 端子 : 绝对最大额定值 28V ● 宽工作温度范围 : Ta = -40°C ～ +85°C ● 低消耗电流 工作时 : 6.0 µA 典型值、10 µA 最大值 (Ta = +25°C) 休眠时 : 50 nA 最大值 (Ta = +25°C) 过放电时 : 1.0 µA 最大值(Ta = +25°C) 省电时：50 nA（最大值） (Ta = +25°C) ● 无铅、Sn100%、无卤素 *5
石墨烯生产或电气计量 - NIST 的 TSAPPS
自 1990 年以来，电阻尼特的表示一直基于二维电子态中发生的 QHE 的整数量化电阻平台。这些量化的电阻值为 RHU) = R'(.,JO/i，其中 R H 是量化的霍尔平台电阻 RK。!lQ 是 1990 年推荐的冯·克利青常数值，i 是整数量子数 [1]。在 1980 年发现 QHE 后的最初几年里，Si-MOSFET 和半导体异质结构（最常见的是 GaAs/Al,Ga(1)As）被用于计量表征和比较 [2-4]，最近，几家国家计量研究所已经开发和改进了生长半导体 QHE 器件的配方，适用于在相对较高的电流和弱磁场下进行精确的电阻计量 [5, 6]，因此该标准更容易获得并且在计量上更有用。11 不是一个简单的过程来生产在量子水平上经过良好量化的器件在源漏（-D）电流为 20 μJ 至 100 μJ 且温度为 T2:14 μJ 时，i = 2 平台在相对较低的磁通量（8 < 9 T）下工作。这要求 GaAs/AlxGa(I-x)As 异质结构中的材料成分难以复制，从而通过杂质故意降低电子迁移率以增加平台宽度，同时保持相对较高的载流子浓度 ['1]。此外，金属触点必须扩散到异质结构的器件层中，并且通常很难使用现代光刻技术获得多个高导电触点。自从使用微机械解理技术 [7] 发现石墨烯以来，已经开发出几种其他相对简单的方法来生产表现出 QHE 平台的碳基 2DEG（二维电子气）器件。单层石墨烯中独特的电子态产生了一些对基础物理来说最重要的特性，其中单粒子能带结构使电子和π都具有相对论狄拉克费米子的特性，例如，最低的Landa能级之间的间隔非常大。对于一些单层石墨烯器件，这有助于扩大i = 2 QHE平台的o（钉扎）[8, 9]，并可能导致器件在比传统半导体QHE器件高得多的温度、更高的电流或更低的场下实现良好的量化，以进行精密计量。此外，在暴露表面上直接制造电极允许在各种配置中进行电子传输测量。与异质结构器件（其中2DEG埋在半导体内部）不同，石墨烯器件中的导电通道可以位于衬底的表面上，因此可以使用表面科学技术对其进行微观扫描和表征。通过使用原子力显微镜（AFM）、低能电子显微镜（LEEM）[10]、扫描隧道显微镜/光谱（STM/STS）[11J和拉曼光谱，石墨烯器件可以收集石墨烯中异常QHE状态下详细形态和微观电子结构之间关系的数据。
研究论文 新型超低功耗镜像折叠级联跨阻放大器
背景和目标：本文首次设计并介绍了一种基于电流镜和折叠级联拓扑组合的新型折叠镜 (FM) 跨阻放大器 (TIA) 结构。跨阻放大器级是接收器系统中最关键的构建块。这种新型拓扑基于电流镜拓扑和折叠级联拓扑的组合，采用有源元件设计。其理念是在输入节点使用电流镜拓扑。在所提出的电路中，与许多其他已报道的设计不同，信号电流（而不是电压）被放大直到到达输出节点。由于使用二极管连接的晶体管作为电流镜拓扑的一部分，所提出的 TIA 具有低输入电阻的优势，这有助于隔离主要输入电容。因此，以相当低的功耗实现了 5Gbps 的数据速率。此外，设计的电路仅使用了六个有源元件，占用的芯片面积很小，同时提供 40.6dBΩ 的跨阻抗增益、3.55GHz 频率带宽和 664nArms 输入参考噪声，并且仅消耗 315µW 功率和 1V 电源。结果证明了所提出的电路结构作为低功耗 TIA 级的正确性能。方法：所提出的拓扑基于电流镜拓扑和折叠级联拓扑的组合。使用 Hspice 软件中的 90nm CMOS 技术参数模拟了所提出的折叠镜 TIA 的电路性能。此外，对晶体管的宽度和长度尺寸进行了 200 次蒙特卡罗分析，以分析制造工艺。结果：所提出的 FM TIA 电路提供 40.6dBΩ 跨阻增益和 3.55GHz 频率带宽，同时使用 1V 电源仅消耗 315µW 功率。此外，由于分析通信应用中接收器电路中输出信号的质量至关重要，所提出的 FM TIA 对于 50µA 输入信号的眼图打开约 5mV，而对于 100µA 输入信号，眼图垂直打开约 10mV。因此，可以清楚地显示眼图的垂直和水平开口。此外，跨阻增益的蒙特卡罗分析呈现正态分布，平均值为 40.6dBΩ，标准差为 0.4dBΩ。此外，FM TIA 的输入电阻值在低频时等于 84.4Ω，在 -3dB 频率时达到 75Ω。通过对反馈网络对输入电阻的影响的分析，得出了在没有反馈网络的情况下，输入电阻可达1.4MΩ，由此可见反馈网络的存在对于实现宽带系统的重要性。结论：本文本文介绍了一种基于电流镜拓扑和折叠级联拓扑组合的跨阻放大器，该放大器可放大电流信号并将其转换为输出节点的电压。由于输入节点存在二极管连接的晶体管，因此 TIA 的输入电阻相对较小。此外，六个晶体管中有四个是 PMOS 晶体管，与 NMOS 晶体管相比，它们的热噪声较小。此外，由于前馈网络中未使用无源元件，因此所提出的折叠镜拓扑占用的片上面积相对较小。使用 90nm CMOS 技术参数的结果显示，跨阻增益为 40.6dBΩ，频率带宽为 3.55GHz，输入参考噪声为 664nArms，使用 1 伏电源时功耗仅为 315µW，这表明所提出的电路作为低功耗构建块的性能良好。
ni-al欧姆与P型4H-SIC
本文介绍了法国Villeurbanne的Laboratoire deLaMatière，法国Villeurbanne摘要：对Ni-Al合金的调查，在本文中介绍了在P型4H-SIC上形成欧姆的接触。检查了Ni/Al接触的几个比例。在1分钟内在400°C的氩气气氛中进行快速热退火，然后在2分钟内在1000°C下退火。为了提取特定的接触电阻，制造了传输线方法（TLM）测试结构。在p型层上可重复获得3×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，而N a = 1×10 19 cm -3的掺杂，由Al 2+离子植入进行。测得的最低特异性接触电阻值为8×10-6Ω.cm2。引言硅碳化物是一种半导体，它在硅中具有多种优越的特性，例如宽带镜头三倍，高电场强度（六倍），具有铜和高电子饱和度漂移速度的高热电导率。由于SIC单晶生长晶粒已被商业化，因此在SIC应用中进行了深入的研究[1]，用于高温，高频和高功率设备。半导体设备参数控制开关速度和功率耗散的强大取决于接触电阻[2]。为制造高性能的SIC设备，开发低阻力欧姆接触是关键问题之一。目前正在限制SIC设备的性能，特别是因为与P型材料接触[3-7]。这些接触通常采用铝基合金[3，7]。已经研究了许多不同的解决方案，并且非常关注Ti/al [3-5]，该溶液在p -SIC上产生了10 -4-10-5Ω.cm2的特定接触电阻。最近通过使用诸如TIC [6]的替代材料（诸如TIC [6]的替代材料产生改进的接触的尝试，导致了低于1×10-5Ω.cm2的特定接触电阻，但是这些接触需要“外来”材料和非标准制造技术。另一方面，一些调查集中在接触Ni/Al [7，8]上，优势是形成欧姆行为无论构成不管构成。在本文中，通过不同的参数提出并讨论了p-SIC上Ni/Al欧姆接触的形成。用不同的参数实现了一组样品。善良的注意力首先集中在表面制备上，尤其是有或没有氧化的情况。然后，研究并讨论了触点中的特定电阻与AL含量。最后，也分析了退火序列的效果。使用标准的梯形热处理特征用于1000°C的退火，然后通过在400°C的中间步骤添加1分钟进行修改。实验样品是4H-SIC N型底物，其n型表层掺杂以10 15 cm -3的掺杂，从Cree Research购买。通过浓度为n a = 1×10 19 cm -3的Al 2+离子植入获得P型区域。在Argon Ambient下，在45分钟内在1650°C下进行射入后退火[9]。首先在溶剂中清洁样品，然后再清洗“ Piranha”溶液。冲洗后，将RCA清洁应用于样品，然后将它们浸入缓冲氧化物蚀刻（BOE）中。清洁后，立即在1150°C的干氧中生长了SIO 2层2小时。光刻来定义传输线方法（TLM）模式，并在将样品引入蒸发室之前就打开了氧化物。Ni的接触组成，然后通过电阻加热沉积AL。最终通过升降过程获得了TLM触点。仅在几分钟内在1000°C下在1000°C下在Argon大气下进行退火后才能建立欧姆接触的形成。
能量明星MFNC评估者现场清单版本...
脚注：1。此清单适用于所有居住单元，睡眠单元，公共空间2和车库（开放或封闭，共享或个人），并在建筑物中得到认证，并在指定的情况下进行停车场。这些要求适用于所有路径，除非另有说明。这些要求不适用于停车场或停车场的能源使用成本或地段的费用不是建造者/开发商，建筑物所有者或财产经理的责任。此清单不适用于商业或零售空间，除非在ASHRAE路径中，如果包括在能源模型中，而节省则有助于实现绩效目标。此清单不适用于该物业上没有任何住宅或睡眠单元的建筑物中的公共空间2。由ANSI / Resnet / ICC 301定义的“睡眠单元”是人们睡觉的房间或空间，还可以包括永久性的生活，饮食和卫生设施或厨房设施，但并非两者兼有。如果此清单中使用“住宅单元”一词，则要求“睡眠”单元的要求。“构建”一词是指包含住宅/睡眠单元以及（如果存在）共同空间，共享一个或多个以下属性的结构：一个共同的街道地址，一个共同的入口或出口，中央/共享的机械系统，或结构上依赖性的墙壁或屋顶系统。连接两个结构的天道或微风不被认为是一个共同的入口或出口。2。3。ft。，可以被验证。在建筑物的其余部分中，最大500平方英尺连接的结构，例如4层的两单元结构（通常称为“ 2跨2s”），如果将它们从基础到屋顶护套的垂直火隔墙划分，则可以视为单独的建筑物。“公共空间”一词是指已认证的建筑物中的任何空间，这些空间可用于支持建筑物的住宅部分，而这些空间不属于住宅或睡眠单元的一部分。这包括居民使用的空间，例如走廊，楼梯，大厅，洗衣房，健身室，住宅娱乐室和餐厅，以及建筑物管理，管理或维护的办公室和其他空间，以支持居民。对于ASHRAE路径，“共同空间”的要求适用于商业或零售空间，在该空间中，它们包含在能源模型中，并储蓄有助于实现绩效目标。根据评估者的酌情决定权，建筑商或开发人员最多可以验证五个指定的清单项目。出于此清单的目的，“构建器”代表建筑商或开发人员。当此津贴用于标记为“ Pre-Rock + 20”的项目时，每个住宅单元最多200平方米ft。在一般安装干墙之前安装了干墙的墙壁区域（即“预岩”区域，例如浴缸或楼梯后面的墙壁），以及额外的20平方米。ft。在一般安装干墙之前安装了干墙的墙壁区域，再加上50平方米的ft。，可以被验证。标记为“ 20平方”的项目ft。”，最多20平方英尺4。ft。每个住宅单元和50平方米 ft。在建筑物的其余部分中，建筑商可以验证。 对于标记为“ 2种渗透”的物品，每个住宅单元最多两次穿透，在建筑物的其余部分中有5个可以验证建筑商。 必须在现场现场在现场验证其余的项目和区域（即，除了建造者验证的所有其他区域），或者，对于适用的最低额定功能，使用ANSI / RESNET / ICC 301（例如，用于Slab slab slab bab bab bab bab ball Interualder Interualsion或Continual Interumation sallundsulation或Continual insuluation inseruality Insuly Interumation）。 行使时，建筑商的责任将由建筑商或其指定代理人正式承认，并在清单上签署了他们已验证的项目。 但是，如果质量保证审查表明项目尚未成功完成，则评估者将负责促进纠正措施。 “评估者”一词是指完成认证所需的第三方验证的人。 a）应：a）为ANSI / RESNET / IECC 301定义的认证评估者，批准的检查员，或由家庭认证组织（HCO）或多户家庭审查组织（MRO）确定的同等指定；并且，b）参加并成功完成了EPA认可的培训课程。 请参阅www.energystar.gov/mftraining。 如《国家计划要求》中所述，允许根据MRO或HCO采样协议进行操作的评估者使用MRO或HCO批准的采样协议验证指定“经过评估者”的任何清单项目。 5。 6。ft。每个住宅单元和50平方米ft。在建筑物的其余部分中，建筑商可以验证。对于标记为“ 2种渗透”的物品，每个住宅单元最多两次穿透，在建筑物的其余部分中有5个可以验证建筑商。必须在现场现场在现场验证其余的项目和区域（即，除了建造者验证的所有其他区域），或者，对于适用的最低额定功能，使用ANSI / RESNET / ICC 301（例如，用于Slab slab slab bab bab bab bab ball Interualder Interualsion或Continual Interumation sallundsulation或Continual insuluation inseruality Insuly Interumation）。行使时，建筑商的责任将由建筑商或其指定代理人正式承认，并在清单上签署了他们已验证的项目。但是，如果质量保证审查表明项目尚未成功完成，则评估者将负责促进纠正措施。“评估者”一词是指完成认证所需的第三方验证的人。a）应：a）为ANSI / RESNET / IECC 301定义的认证评估者，批准的检查员，或由家庭认证组织（HCO）或多户家庭审查组织（MRO）确定的同等指定；并且，b）参加并成功完成了EPA认可的培训课程。请参阅www.energystar.gov/mftraining。如《国家计划要求》中所述，允许根据MRO或HCO采样协议进行操作的评估者使用MRO或HCO批准的采样协议验证指定“经过评估者”的任何清单项目。5。6。除了评估者以外，没有其他方可以使用抽样来完成此清单。标题为“ N/A”的列，该列表示“不适用”的项目，应在建筑物中不存在的清单项目或与本地需求发生冲突时使用。提供了两种替代方案：a）II级空腔绝缘材料可用于在1至4的气候区域中包含一层连续的空气不可渗透绝缘≥R-3的组件，在5至8的气候区域中，≥R-5； 1 b）即使由于绝缘过量而发生压缩的情况，即使在压缩的情况下进行全部宽度和深度，只要Batts的R值通过制造商的指导进行了适当评估，并且唯一可以防止IS隔离级是由IS隔离来实现I级，即使是由于绝缘的适当评估，唯一可以通过实现I级的I是由I级的隔热是由I是由I的压缩，即使是由于绝缘过量而进行的，因此即使在压缩的情况下进行压缩，也可以在地板上使用。7。确保使用ANSI / Resnet / ICC 301（包括所有附录和规范性附录）确保符合此要求，并根据HCO或MRO定义的时间表实现了新版本和附录，该建筑物已认证为www.energystar.gov/eriexceptions列出的批准的异常。8。窗口比率被视为所有窗口区域的总和除以总外部墙面面积。所有装饰玻璃和天窗窗户区域都有贡献到超过壁比（WWR）的总窗户区域。窗帘壁系统的窗帘部分有助于高级壁面积。9。对于国家v1.2和1.3，2021 IECC气候区域名称适用，如《代码》的R301节中的定义和说明。对于除National V1.2和1.3以外的所有版本，2009年IECC气候区域名称均适用，如该法规的R301节所述和说明。请注意，与先前的版本相比，某些位置已转移到2021 IECC的不同气候区域。10。项目1.5不适用于木结构墙。项目1.5也不适用于与讲台相关的混凝土地板边缘，因为项目3.5适用。项目1.5适用于将条件空间与外部区分开的墙壁，包括与其他建筑物相邻的墙壁以及与地板搭配和中间地板边缘之间相关的墙壁区域。11。用作被动太阳能设计的热质量组件（例如Trombe Wall）的质量壁是不受项目1.5的豁免。有资格获得这种豁免，被动太阳能设计应由以下五个组件组成：光圈或收集器，吸收器，热量，分配系统和控制系统。有关更多信息，请参见：www.energy.gov/sites/prod/files/guide_to_passive_solar_home_design.pdf。质量墙不属于被动太阳能设计的一部分（例如，CMU块或记录房屋外壳）应使用第1.5项中概述的策略或以最少的热阻力为组装中概述的策略，该方法使用与2013 Ashrae Handbook一致的方法确定的方法，应与基本原理的限制，以≥50％的限制为定义，因为≥50％的材料，定义为≥50％的材料，该方法具有定义的，该方法具有定义的，该方法具有定义的限制。 2009 IECC表502.1.2中的U因子。质量墙不属于被动太阳能设计的一部分（例如，CMU块或记录房屋外壳）应使用第1.5项中概述的策略或以最少的热阻力为组装中概述的策略，该方法使用与2013 Ashrae Handbook一致的方法确定的方法，应与基本原理的限制，以≥50％的限制为定义，因为≥50％的材料，定义为≥50％的材料，该方法具有定义的，该方法具有定义的，该方法具有定义的限制。 2009 IECC表502.1.2中的U因子。记录识别最小热电阻的路径，其电阻值应由评估者收集，并应检查第1.5项验证或经过验证的盒子的任何构建器。