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World File Search System电隔离
通过器件结构设计提高Si-GaN单片异质集成共源共栅场效应晶体管的击穿电压
摘要 — 本工作研究了影响采用转移印刷法制备的Si-GaN单片异质集成Casccode FET击穿电压的因素。这两个因素是Si器件的雪崩击穿电阻和SiN电隔离层的厚度。设计了Si MOSFET和Si横向扩散MOSFET（LDMOSFET）两种器件结构，研究了Si器件的雪崩击穿电阻对Cascode FET击穿特性的影响。分析了SiN电隔离层厚度的影响。最后，单片集成Cascode FET的击穿电压达到了770 V。索引术语 — 单片异质集成；Cascode FET；击穿电压；LDMOS；极化电荷。
电池管理系统中接地的重要性
电池管理环境中电池管理系统（BMS）的接地考虑因素对于确保安全性，功能和准确的电池监视至关重要。关键方面包括确保BMS电路与底盘进行电隔离，以防止地面环和干扰，从而确保准确的测量。适当的接地为故障电流提供了一条途径，降低了电击的风险，应遵守相关的标准和法规。稳定的接地对于准确的电压和电流读数至关重要，反映了电池的真实状态。有效的接地实践还可以最大程度地减少共同模式噪声，减少电磁干扰（EMI），并确保精确的BMS操作。此外，接地应预防电磁和射频干扰，这在对EMI敏感的电动汽车等应用中尤为重要。
电池管理系统中接地的重要性
电池管理环境中电池管理系统（BMS）的接地考虑因素对于确保安全性，功能和准确的电池监视至关重要。关键方面包括确保BMS电路与底盘进行电隔离，以防止地面环和干扰，从而确保准确的测量。适当的接地为故障电流提供了一条途径，降低了电击的风险，应遵守相关的标准和法规。稳定的接地对于准确的电压和电流读数至关重要，反映了电池的真实状态。有效的接地实践还可以最大程度地减少共同模式噪声，减少电磁干扰（EMI），并确保精确的BMS操作。此外，接地应预防电磁和射频干扰，这在对EMI敏感的电动汽车等应用中尤为重要。
电池管理系统中接地的重要性
电池管理环境中电池管理系统（BMS）的接地考虑因素对于确保安全性，功能和准确的电池监视至关重要。关键方面包括确保BMS电路与底盘进行电隔离，以防止地面环和干扰，从而确保准确的测量。适当的接地为故障电流提供了一条途径，降低了电击的风险，应遵守相关的标准和法规。稳定的接地对于准确的电压和电流读数至关重要，反映了电池的真实状态。有效的接地实践还可以最大程度地减少共同模式噪声，减少电磁干扰（EMI），并确保精确的BMS操作。此外，接地应预防电磁和射频干扰，这在对EMI敏感的电动汽车等应用中尤为重要。
MOSFET REXFET-1中电压产品技术开发
电池管理环境中电池管理系统（BMS）的接地考虑因素对于确保安全性，功能和准确的电池监视至关重要。关键方面包括确保BMS电路与底盘进行电隔离，以防止地面环和干扰，从而确保准确的测量。适当的接地为故障电流提供了一条途径，降低了电击的风险，应遵守相关的标准和法规。稳定的接地对于准确的电压和电流读数至关重要，反映了电池的真实状态。有效的接地实践还可以最大程度地减少共同模式噪声，减少电磁干扰（EMI），并确保精确的BMS操作。此外，接地应预防电磁和射频干扰，这在对EMI敏感的电动汽车等应用中尤为重要。
MP系统硬件指南
Biopac Systems，Inc。仪器专为教育和研究的生活科学调查而设计。Biopac Systems，Inc。不容忍将其工具用于临床医疗应用。Biopac Systems，Inc。提供的仪器，组件和配件并非用于诊断，缓解，治疗，治愈或预防疾病。MP数据采集单元是一种用于生物物理测量的电隔离数据采集系统。在使用电极并进行生物电测量时，请极大谨慎，同时将硬件与其他外部设备一起使用，这些设备也使用电极或换能器，这些设备或传感器可能与该受试者进行电气接触。始终假设电流可以在任何电极或电接触点之间流动。对受试者进行一般刺激（电或其他方式）时也需要极大的谨慎。不应允许刺激电流通过心脏。保持刺激电极远离心脏，并靠近受试者身体的同一侧。非常重要（如果设备故障），不允许大量电流通过心脏。如果使用电动或除颤设备，建议将所有Biopac Systems，Inc。与受试者断开连接。
Fluke 190 产品数据表
Fluke 190 II 系列 ScopeMeter ® 示波器具有电隔离通道，经过安全评级，适合工业应用。这些示波器将坚固的便携性和台式示波器的高性能相结合，可帮助您从微电子故障诊断一直到电力电子应用甚至更多领域。从具有广泛带宽选项的两通道或四通道型号中进行选择。高达 2.5 GS/s 的快速采样率、400 ps 的分辨率和每通道 10,000 个样本的深内存允许高精度捕获和显示波形细节、噪声和其他干扰。对三相或三轴控制系统执行时序或幅度相关测量，或者简单地比较和对比被测电路中的多个测试点。TrendPlot™、ScopeRecord™ 和 Connect-and-View™ 等功能可帮助您快速诊断工业机械、自动化和过程控制以及电力电子设备，以最大限度地降低维修成本和停机时间。这些功能使示波器易于使用，尤其是在诊断最困难的问题（如复杂波形、间歇性事件和信号波动或漂移）时。新的锂离子电池技术让您的示波器全天保持工作状态。
侧向双极PNP晶体管的设计和制造...
图1所示的垂直NPN设备制造的标准过程始于P类型基板。基板在将制造NPN设备设备的区域中植入N型掺杂剂（例如砷）。该植入物被称为埋藏层，因为下一步是N型硅的外延生长。掩埋层的板电阻远低于外延层的电阻。AR分离扩散是用诸如硼的P Tyne掺杂剂进行的。这会产生由P型隔离所包围的N型材料的电隔离岛。是这些N型区域，它们是侧向NPN设备的收集器。直接在这些区域的下方将是先前讨论的埋藏层。掩埋层通过为电流流动创造低电阻路径来降低收集器电阻。这是产生所需的电气设备特性所需的。进入N型岛群体被扩散为P型硼基。当将N型掺杂剂（如磷）扩散到碱基中时，发射极会形成。垂直NPN结构现在很明显。
优化用于保护高场加速器磁铁的次级CLIQ
摘要 - 碰撞能量显着的圆形粒子加速器超出LHC，需要具有较高磁场的磁铁。对这种磁体的淬火保护是出于两个主要原因。首先，高能量密度和相对较高的淬火需要高性能的淬火保护系统。第二，在预计将运行的加速器机器中保护系统的集成数十年，要求易于整合，健壮和冗余元素。最近提出了一种名为Secondary Cliq（S-CLIQ）的新的且有前途的保护方法。它依赖于辅助正常线圈，这些线圈与线圈电隔离以保护但在磁性上耦合到它们。在磁铁淬灭检测时，耦合线圈具有双重功能：首先，它们会在超导体中引起高耦合损失，这足以使大多数绕组在几个Mil-mil-Liseconds中传递到正常状态；其次，他们通过磁耦合提取磁铁存储的一部分。在这项工作中，提出了基于放置在赛道磁铁顶部和底部的辅助线圈的S-CLIQ系统，并显示了由薄1毫米2线制成的。表明，在热点温度和地面峰值电压方面，淬灭保护性能优于替代方法，例如能量提取，淬火加热器和CLIQ。
由于电隔离的 GaAs 量子阱双层中的激子凝聚而导致的强层间电荷转移
我们介绍了一种电隔离的“浮动”双层 GaAs 量子阱 (QW) 设计，其中施加可控且高度可重复的大栅极电压会诱导电荷，这些电荷在移除栅极电压后仍被捕获在双层中。在较小的栅极电压下，双层通过厚绝缘屏障与外部电极完全电隔离。这种设计允许完全控制两个耦合的 2D 电子系统的总密度和差分密度。浮动双层设计提供了一种独特的方法来研究无法通过简单的传输测量进行研究的系统。它还提供了测量层间电荷转移的能力，即使 2D 系统的平面电阻率不同。我们测量了 QW 双层的电容和层间隧穿光谱，并独立控制顶层和底层电子密度。我们的测量显示，在 v T ¼ 1 时，层间隧穿电流大大增强，这是强层间关联双层系统激子凝聚的标志。由于各个层的密度完全可调，浮动双层 QW 系统提供了一个多功能平台来获取有关电子双层系统中量子相的先前无法获得的信息。