这些材料包含的陈述反映了公司截至本文所示各个日期的当前信念和对未来的期望。您不应过分依赖前瞻性陈述。这些前瞻性陈述基于对公司运营的一系列假设以及公司无法控制的因素,并受重大风险和不确定性的影响。因此,实际结果可能与这些前瞻性陈述存在重大差异。公司明确声明,没有义务针对这些日期之后发生的事件或情况更新这些前瞻性陈述。无法保证这些材料中包含的前瞻性陈述所设想的结果和事件会实际发生。
该小组打算使用转租场所在美国建立其他研究设施和办公空间。在考虑到(i)集团的业务需求之后的ARM之间的长期谈判之后,确定了过渡性协议的条款(包括应付租金),并且过渡性前提是最合适的位置,并且需要最低限度的改装,并需要多种便利设施和(ii)租金的租金,以供应较高的租金,以供应过多的前提,该租金是由可比性的前提来供不应求的。 协议。在上述情况下,董事(包括独立的非执行董事)认为,根据普通商业条款或更好的,公平,合理的方式,在集团的普通和通常的业务过程中,以及公司及其整个股东的利益,根据普通商业条款或更好,公平,合理的方式。
2019 Huile Jin + ; Jun Li + , James Iocozzia + , Xin Zeng + , Pai‐Chun Wei + , Chao Yang, Nan Li, Jr Hau He, Tiejun
正常状态下,通过负载对电池放电, DW02R 电路的 VM 端电压将随放电电流的增加而升高。如果放电电 流增加使 VM 端电压超过过电流放电保护阈值 V EDI ,且持续时间超过过电流放电保护延迟时间 tEDI ,则 DW02R 进入过电流放电保护状态;如果放电电流进一步增加使 VM 端电压超过电池短路保护阈值 V SHORT ,且 持续时间超过短路延迟时间 t short ,则 DW02R 进入电池短路保护状态。
供电电源 VDD ........................................................................................................................................... .. -0.3V~+10V VM 、 COUT 端允许输入电压 .................................................................................................. ....VDD-25V~VDD+0.3V DOUT 端允许输入电压 ......................................................................................................................- 0.3V~VDD+0.3V 工作温度 TA ..................................................................................................................................................- 40 ℃ ~+85 ℃ 结温 ........................................................................................................................................................................... 150 ℃ 贮存温度 .......................................................................................................................................................- 65 ℃ ~150 ℃ 功耗 PD ( TA=25 ℃) SOT23-6 封装(热阻 θJA = 200 ℃ /W ) .................................................................. ..625mW 焊接温度(锡焊, 10 秒) ..................................................................................................................................... 260 ℃
FM8502 是一款工作在电感电流临界模式的高精度降压型 LED 恒流驱动芯片,芯片内部集成 500V 功率开关且 具有 OVP 电压调节功能,可通过调节外置 OVP 电阻阻值来设置 Vovp 电压值,另外,芯片 ROVP 引脚带 Enable 功能,可兼容开关调色应用。 FM8502 内置了高精度的采样、补偿电路和高压 JFET 供电技术,无需启动电阻和 VCC 电容,使得系统外围十分简单,在实现高精度恒流控制的前提下,最大限度的节约了系统成本和体积,可 广泛应用于 LED 球泡灯、 LED 蜡烛灯、 LED 日光灯管及其它非隔离降压型 LED 照明驱动领域。
1 、电源走线包括 GND 、 SW 和 IN ,走线必须保证宽和短。 2 、 SW 、 L 和 D 开关的节点,布线要宽和短,以减少电磁干扰。 3 、输入和输出电容尽量贴近芯片放置。 4 、 R1 和 R2 和 FB 脚连线必须尽可能保证短。 5 、 FB 脚反应灵敏,应远离 SW 。 6 、芯片 GND 、 CIN 和 Cout 应连接较近,直接到地线层。
1.充电模式 FM5012D 用线性方式对电池进行涓流 / 恒流 / 恒压三段式充电。当电池电压低于 V TRKL 时进行涓流充 电;当电池电压高于 V TRKL 时进行恒流充电;当电池电压接近 V BAT-REG 时进行恒压充电,此时充电电流 开始逐渐减小,当电流减小到 I FULL 时,判断电池已经充饱,芯片终止充电,待电池电压降低到 V RECHG 后进行再次充电 (Recharge) 。 2.充电软启动功能 当开始给电池充电时,芯片会控制充电电流逐渐增大到设定值,避免了瞬间大电流冲击引起的各种 问题。 3.充电电流设定 充电电流由内部电路设定为恒流 600 mA, 涓流充电为 60mA, I FULL 为 90 mA 可编程设置充饱电压为 500 mA, 涓流充电为 50mA , I FULL 为 75 mA 当输入供电不足或芯片温度过高时, I IN-LIM 会下降。 4.充饱电压设定 FM5012D 芯片默认充饱电压值为 4.20V 可编程设置充饱电压值为 4.35V 5.输入过压保护 输入电压过高,超过 V IN-OVP 时,芯片会控制关闭充电和升压输出,防止芯片和负载因为过压而损 坏,输入电压正常后充电恢复,风扇驱动输出 FAN 不恢复。 6.充电限流保护 当芯片 VIN 端口电压低于 4.7V 时,芯片进入 VIN 限流状态,充电电流逐渐减小,直至到零。 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
注:在不同的应用中, C1 、 C2 可考虑只装一个:在 3V 应用中建议用一个 1uF 或以上;在 4.5V 应用中建议用一 个 4.7uF 或以上 , 均为使用贴片电容;在 6V 应用中建议用一个大电容 220uF+100nF 贴片电容; C2 均靠近 IC 之 VDD 管脚放置且电容的负极和 IC 的 GND 端之间的连线也需尽量短。即不要电容虽然近,但布线、走 线却绕得很远(参考下图)。当应用板上有大电容在为其它芯片滤波时且离 TC118AH 较远也需按如上要求再 放置一个小电容于 TC118AH 的 VDD 脚上。图中 C4 ( 100nF )电容优先接于马达上,当马达上不方便焊此 电容时,则将其置于 PCB 上 ( 即 C3) 。