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布局面板位于上述窗口的屏幕左侧。在此窗口中，最上方的字段显示当前选定的图层（在本例中为“Deep N Well”）。下拉框允许您选择显示所有可用图层中的哪些图层。除了图层名称之外，您还会注意到左侧的方块显示了此图层中绘制的彩色多边形的示例，这些多边形将出现在您的设计中。您还可以单击每个图层“阴影”图标下的单选框以隐藏它们在设计中的外观（只需确保在完成之前重新启用它们）。您还会注意到一个数字，当我们完成设计时，它将用于表示该图层。您会注意到指南层没有数字，因为它仅用于我们不想在最终设计中打印的临时图纸和指导标记。在我们的示例中，我们使用了四个不同的层：“N 阱”、“P 阱”、“深 N 阱”和“Metal1”，另加一个称为“Guide”的附加层，它不会用于创建掩模，但我们将使用它来帮助我们可视化我们的设计。
III-氮化物 p 向下绿色（520 nm）发光二极管，带有...
1 俄亥俄州立大学电气与计算机工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。2 Lumileds LLC，美国加利福尼亚州圣何塞 95131。3 俄亥俄州立大学材料科学与工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。*通讯作者：rahman.227@buckeyemail.osu.edu 摘要：我们展示了通过高效隧道结实现的低开启电压 P 向下绿光 LED。由于 (In,Ga)N/GaN 界面中的极化场排列具有 p 向下方向，与传统的 p 向上 LED 相比，电子和空穴注入的静电耗尽势垒降低了。具有 GaN 同质结隧道结的单个 (In,Ga)N/GaN 异质结构量子阱有源区在 20A/cm 2 时表现出非常低的 2.42V 正向工作电压，当电流密度高于 100 A/cm 2 时，峰值电致发光发射波长为 520 nm。底部隧道结具有最小的电压降，能够实现向底部 p-GaN 层的出色空穴注入。III 族氮化物半导体在光电子学和电子学 1-12 中的广泛应用具有重要的技术意义，并已广泛应用于照明和显示应用。虽然过去十年来，紫/蓝光发射波长范围内的 GaN 基发光二极管的效率和功率输出有了显着提高，但较长波长的发射器仍然表现出较低的效率。对于为更长波长设计的发射器，(In,Ga)N 量子阱中的铟摩尔分数会导致与更大的晶格失配、量子阱内的缺陷以及阱-势垒界面处更高的极化片电荷密度相关的挑战，所有这些都会导致器件性能下降。13-16
数字乳房 X 线摄影
• 感光度响应 (ADU/R) • 温度稳定性 (暗帧) • 满阱与抗晕 • 空间分辨率 (MTF-CTF) • 空间线性 • 信噪比转换 (DQE) • 动态范围 • 图像保留 (CsI 函数)
![arXiv:2406.05197v1 [quant-ph] 2024 年 6 月 7 日 - Richerme Lab](/simg/g:\will\search\icon\source\0\0db710bf8a82f527a23d4a619f14c201a7da5092.png)
arXiv:2406.05197v1 [quant-ph] 2024 年 6 月 7 日 - Richerme Lab
具有波包时间演化的量子核动力学在经典上是难以处理的，被视为量子信息处理的一种有前途的途径。在这里，我们使用 IonQ 11 量子比特离子阱量子计算机 Harmony 来研究短强氢键系统中共享质子的量子波包动力学。我们还提供了分布式量子计算在化学动力学问题中的第一个应用，其中分布式量子过程集是使用张量网络形式构建的。对于一系列初始状态，我们通过实验驱动离子阱系统来模拟量子核波包沿电子结构产生的势表面演化。在实验创建核波包之后，我们提取了测量可观测量，例如其时间相关的空间投影及其特征振动频率，与经典结果非常吻合。通过量子计算获得的振动本征能量与通过经典模拟获得的振动本征能量相一致，误差在千卡/摩尔的几分之一以内，因此表明具有化学准确性。我们的方法为研究分子的量子化学动力学和振动光谱开辟了一个新范式，也为分布式离子阱量子计算机上的并行量子计算提供了首次演示。
量子囚禁离子量子计算
▪ Palmero, M.、Bowler, R.、Gaebler, JP、Leibfried, D. 和 Muga, JG，《保罗阱内混合物种离子链的快速传输》。Phys. Rev. A 90, 053408 (2014)。
栅极电压可寻址混合超导体-半导体量子阱场效应纳米开关阵列的大规模片上集成
稳定、可重复、可扩展、可寻址和可控的混合超导体-半导体 (S-Sm) 结和开关是门控量子处理器的关键电路元件和构建块。分离栅电压产生的静电场效应有助于实现纳米开关，这些纳米开关可以控制基于二维半导体电子系统的混合 S-Sm 电路中的电导或电流。这里，通过实验展示了一种新颖的大规模可扩展、栅极电压可控的混合场效应量子芯片的实现。每个芯片都包含分离栅场效应混合结阵列，它们用作电导开关，由与 Nb 超导电子电路集成的 In 0.75 Ga 0.25 As 量子阱制成。芯片中的每个混合结都可以通过其相应的源漏极和两个全局分离栅接触垫进行控制和寻址，从而允许在其 (超) 导电和绝缘状态之间切换。总共制造了 18 个量子芯片，其中有 144 个场效应混合 Nb-In 0.75 Ga 0.25 As 2DEG-Nb 量子线，并研究了低温下多个器件的电响应、开关电压（开/关）统计、量子产率和可重复性。提出的集成量子器件架构允许控制芯片上大型阵列中的单个结，这对于新兴的低温量子技术非常有用。
22FDX 低温建模
• GF_test 芯片：提交日期 11 月 21 日；芯片于 4 月 22 日收到：各种设计 • Michigan：提交日期 7 月 22 日；芯片于 11 月 22 日收到：10 GHz PLL、VCO、4 x 1GSPS ADC、SRAM • 低温离子阱控制器：提交日期 2023 年 1 月，收到日期 2023 年 5 月：16 通道离子阱控制芯片； • Si 光子驱动器/接收器；用于异常检测的 cryoAI 超快 NN；SQUIDDAC：SLUG_biasing；各种电平移位器测试结构 • Glebe：（与 Microsoft 合作）10 GSPS ADC（12 月 23 日） • Sunrock：32 通道 SNSPD（）读数，带有 ~ps 时间标记（12 月 23 日）