与熔融盐应用相关:1。在干燥/固化和地质聚合度的程度与开放孔隙度的过程中的水流途径2。最大量的空心浓圈添加与有效的热导率3。地质聚合物矩阵与添加剂之间的界面的稳定性4。na来自激活剂溶液与化学稳定性(阳离子扩散,离子交换等)5。地球聚合物的总体机械性能
发电是由于从化石燃料中释放出的CO 2引起的温室气体(GHG)发射的主要贡献者。此外,电力也是能量向量之一,在不久的将来将进行许多应用[1,2]。作为未来能源系统的目标,必须确保其稳定性和可分配性。在所有可用的人中,太阳能是最合适的替代方案之一:它是干净,丰富且易于获得地球上任何地方的替代品。在不同的替代方案中,集中的太阳能(CSP)与热量储能(TES)结合使用,可以使电力符合峰值需求并解决供应 - 需求 - 需求耦合问题,从而使能量释放及其对电力的转化为必要时,并避免了固有的固有资源可用性的不稳定性[3]。尽管国际能源机构(IEA)估计,CSP将提供2050年产生的全球电力的11%[4],当前运营或开发的工厂主要使用具有基于硝酸盐的材料的明智TES系统。必须探索其他替代方案,因为它们有可能在降低成本,增强热能以及更高/更广泛的运营方面克服商业TES材料的几个缺点。tes与CSP一起,仍然有很长的路要走,他们被认为是一致,健壮,连续和竞争的替代方案。因此,将未来的能源管理和发电组合融合在很大程度上取决于TES材料的未来发展。这项工作的作者需要对最有希望的下一代TES材料进行全面评论,以分析其优势和劣势,总结叙事中发现的最相关的热力学特性,并定义并评估三个不同的关键性能指标(KPI),以帮助最大程度地适合特定的特定选择。
•多粒核石墨是一种合成的复合材料,该复合材料是通过成型或挤出由煤焦油沥青或石油焦炭填充剂制成的糊状物和螺旋粘合剂的糊状物,然后进行热处理和重新爆炸以致密化。
如今,微电子技术需要寻找新材料,包括用于创建结构的掩模。中间硬掩模策略是实现微电子制造中光刻和蚀刻之间良好平衡的关键问题之一。微电子和光伏技术中一个有趣的挑战是在 Si 衬底上创建间距垂直取向的硅阵列,用于多功能半导体器件。制造这种结构仍然是一个严重的技术问题,需要寻找新的方法和材料。在这项工作中,我们建议使用钪作为硅上的新硬掩模材料,因为它具有高抗等离子化学蚀刻性和低溅射系数。我们已经证明,对厚度为几纳米的钪层进行湿法蚀刻可用于在硅上获得分辨率高达 4 微米的图案结构,这对于湿法蚀刻方法来说是一个很好的结果。在选定的等离子蚀刻条件下,与其他金属掩模相比,钪是一种具有极佳抗性的硅掩模,蚀刻速率最低。因此,钪硬掩模可以为形成不同的微尺度地形图案开辟新的可能性。
alpes,ltm,Grenoble F-38054,法国 * erwine.pargon@cea.fr,Univ。Grenoble Alpes,CNRS,LTM,17 Rue des Mardyrs,38054 Cedex 09法国Grenoble,法国摘要摘要本研究提出了通过在上衣的室内饮用量的策略,该策略通过与上衣相结合的室友eTch fat Chip Chore to Chore Choh toper fore the toper the toper fore the notch facking Koh weats face face face the the gan支柱。的确,KOH溶液中的gan蚀刻是一个各向异性过程,这意味着它允许在宏观尺度上出现稳定的面,而原子过程(例如踩踏)驱动湿蚀刻的基本机制在微观尺度上驱动湿蚀刻的基本机制。我们的研究强调了形状(圆形或六角形,与M平板或A平板对齐)的关键作用,以及硬面膜在确定所得的结晶刻面形成及其相关的粗糙度方面的粗糙度。此外,它强调了等离子体图案后的GAN支柱剖面(重入,直,锥形)的重要性,因为它们会强烈影响随后的湿蚀刻机制。最终,该文章证明,可以通过在等离子蚀刻后在略微倾斜的GAN曲线上使用室温湿KOH(44 wt%)来实现平滑的M型面,并结合使用六边形M的Masks。
通过分析五个样品,包括从Assal Wells排出的液体,湖泊和Ghoubbet Seawater的分析,研究了吉布提的地热系统的地球化学组合物和缩放势液。假设使用物种软件手表和phreeqc计算煮沸和冷却的场景,化学成分和矿物饱和指数。假设用石英平衡,深储层温度在245°C -251°C之间。氯化物浓度约为70,000 mg/kg,是Ghoubbet海水(20,800 mg/kg)的三到四倍。在绝热冷却期间,galena,无定形二氧化硅和辉石的计算以根据比例样品的组成来沉淀。预计在沸腾模型中形成了铁硅石和方解石。
本报告包含前瞻性陈述。这些陈述基于当前可用信息的预期、受风险和不确定性影响的假设,这些假设可能导致实际结果与这些陈述大不相同。风险和不确定性包括一般国内和国际经济状况,例如一般行业和市场状况,以及利率和货币汇率的变化。这些风险和不确定性尤其适用于有关现有产品和正在开发的产品的前瞻性陈述。产品风险和不确定性包括但不限于:临床试验的完成和终止;获得监管部门批准;对产品安全性和有效性的索赔和担忧;技术进步;重要诉讼的不利结果;国内外医疗改革;以及法律法规的变化。对于现有产品,还存在制造和营销风险,包括但不限于无法建立满足需求的制造能力、原材料不可用以及与其他公司产品的竞争。本公司不承担因新信息、未来事件或其他原因而更新或修改任何前瞻性陈述的任何意图或义务。本报告包含有关药品(包括正在开发的化合物)的信息,但这些信息并非旨在对这些药品的功效做出任何陈述或广告,也不提供任何形式的医疗建议。
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特定的电能消耗为(11.5 - 13 kWh/kg SI),进入该工艺的碳材料代表相似的能源贡献。将大约一半的能量保留为Si金属中的化学能。碳足迹范围从4.7 kg CO 2 /kg Si到16千克CO 2 /kg Si),具体取决于该过程中使用的能源的类型(Xiao等,2010;Sævarsdottir等人,2021年)。由碳热过程产生的MG-SI的纯度约为98%和99%。电子级硅(杂质含量<1 ppb)和太阳级硅(杂质含量<1 ppm)用于各种应用,例如在光伏和电子产品中(Suzdaltsev,2022年)。用于从MG-SI生产高纯度硅的常规技术是西门子的工艺,它具有高能量消耗和低生产率(Chigondo,2018),或者使用流体化的床工艺(Arastoopour等,2022年)。另一种方法是Si在熔融盐中的电沉积,预计会产生高纯硅。如果所使用的阳极不耗时并且不产生CO 2,则与常规过程相比,碳足迹可以显着降低,如果用于电解的电力是可续签或核能的。已经证明,具有不同形态学的si膜可以电化学地沉积在不同的熔融盐中,例如氯化物,氟化物和氯化物 - 氟化物(Juzeliu Nas和Fray,2020年)。这些盐中的每一个都有优势和缺点;氯化物熔体是高度水溶性的,但沉积的胶片薄(<10 µm)。同时,沉积在浮力物中沉积的胶片是致密的,但是粘附在沉积物上的盐很难轻易去除。si可以通过将Si源/前体(例如SiO 2,Na 2 Sif 6,K 2 SIF 6和SICL 4)添加到熔融盐中来沉积。Si前体分解为Si(IV)电活性离子,该离子通过基于盐类型的一步或两步减少机制减少。
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