为了降低数据写入的能量消耗,迫切需要开发新型存储材料。为了开发用于非挥发性存储器(如存储级存储器)的具有极低操作能量的新型相变材料 (PCM),我们通过数值模拟对 PCM 的物理特性进行了贝叶斯优化。在该数值模拟中,同时求解了电势和温度分布。研究发现,具有低热导率、低熔化温度以及低接触电阻与体积电阻之比的 PCM 会导致基于 PCM 的存储器应用的操作能量较低。最后,我们开发了 PCM 的设计策略。应通过降低操作能量 E 来开发新型 PCM,描述为 E = j (1 + C ) DT / D z ,其中 j 是 PCM 的热导率,DT 是熔化温度,C 是接触电阻与体积电阻之比,D z 是 PCM 的厚度。本研究结果阐明了热性能和电性能之间的关系,从而降低了以前研究中隐藏的操作能量。根据设计策略,与传统的 Ge-Sb-Te 化合物相比,相变存储器应用中的操作能量可以降低到 1/100 以下。2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可证开放获取的文章(http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/)。
在XXI世纪初发现石墨烯并研究了其有希望的性质[1] [1]逐渐出现,并且仍然相关[2,3]对研究二维(2D)材料,尤其是分层金属辣椒素[4,5]的兴趣。层状金属chalco-天鹅是有前途的材料,可用于微电子,光子学和光伏的材料,因为它们具有半导体,金属,介电特性和拓扑绝缘剂的性能[6]。金属硫化剂的分子层的接近1 nm厚度以及它们之间存在弱的范德华键的存在提供了高机械柔韧性和对变形的抗性,从而产生了在柔性电子中的使用潜力[7,8]。由于物理特性的多样性,可以将分层的金属硫化剂用于各种应用,例如。 g。,MOS 2,BI 2 TE 3和2 SE 3中具有紫外线的高电磁发射吸附系数至接近红外范围[9]。结果,基于金属辣椒剂的范德华异质结构具有在功能设备的设计中使用其电子和光电特性的巨大潜力[10]。在2 SE 3中层层层次,最杰出的代表之一是在其基础上创建太阳能照片,光电探测器和存储设备的2 se 3 [6,11,12]。例如,最近在2 SE 3中至少有八个阶段已经在实验中找到并在理论上进行了预测,而不是许多金属辣椒剂,尤其是在2 SE 3中,其特征是存在具有相同化学计量的多态性修饰(相),但具有不同的结构和电子特性。
封闭量子系统表现出不同的动态状态,如多体局部化或热化,它们决定了信息传播和处理的机制。本文我们讨论了这些动态阶段对量子库计算的影响,量子库计算是一种非常规计算范式,最近扩展到量子领域,利用动态系统来解决非线性和时间任务。我们确定热阶段自然适应量子库计算的要求,并报告了所研究任务在热化转变时性能的提高。揭示自旋网络最佳信息处理能力背后的潜在物理机制对于未来的实验实现至关重要,并为动态阶段提供了新的视角。
相变材料(PCM)存储并在相变过程中释放能量。近年来,由于其出色的特性,例如高潜热储能能力,适当的固定液相变温温度,热可靠性和低成本,PCM引起了越来越多的关注。Herein, classification, characteristics, and evaluation criteria of organic/composite PCMs are systematically illustrated, and some typical preparation methods are introduced, such as in-situ polymerization, interfacial polymerization, spray drying method, porous materials adsorption method, sol-gel method, melt- impregnated and mixing method, electrospinning method, vacuum infiltration and ultrasonic method are introduced.此外,本综述还提出了PCM在太阳能,建筑材料,空调,工业废物热恢复以及军事伪装和隐身利用中的一些应用。最后,讨论了PCM的开发趋势。关键字:相变材料(PCM);热量储能;准备方法;应用。收到:2020年7月18日;接受:2020年8月25日。文章类型:评论文章。
拉曼和相干的声子光谱法被用于研究由Si(111)底物上的分子束外跑制备的超薄单晶双膜的厚度依赖性语音性质。A 1G和E G拉曼峰都消失在4 nm BIFM的拉曼光谱中,表明从低对称A7结构到高对称性A17结构的完全过渡。相干的声子信号也显示出对膜厚度的强烈依赖,其中薄样品(15 nm)表现出比厚样品(30 nm)的较低的声子频率和更短的声子寿命。这种差异归因于由永久性相变引起的较浅的能势势垒,永久性相变(由纤维厚度和光激发载体的临时结构过渡决定)。我们的结果不仅提供了从A7到A17结构的相变的证据,其厚度降低,而且还揭示了该相变对声子动力学的影响。了解这些物质性能性状将有助于现代化的电子设备中BI薄片的应用。
当系统以独立准粒子为特征并假设“单激发”近似时,我们使用绝热微扰理论研究了量子相变过程中淬灭期间所做功的统计数据。结果表明,所有功的累积量都表现出类似于平均缺陷密度的 Kibble-Zurek 标度的通用标度行为。考虑了两种变换:两个有间隙相之间的淬灭,其中临界点穿过,以及在临界点附近结束的淬灭。与缺陷密度的标度行为相反,这两种淬灭的功累积量的标度行为在质量上有所不同。然而,在这两种情况下,相应的指数都完全由系统的维度和转变的临界指数决定,就像在传统的 Kibble-Zurek 机制 (KZM) 中一样。因此,我们的研究通过揭示 KZM 对工作统计的影响,加深了我们对量子相变的非平衡动力学的理解。
通用缩放定律控制跨越平衡连续相变时产生的拓扑缺陷的密度。kibble-zurek机制(KZM)预测了缓慢淬火的淬火时间的依赖性。相比之下,对于快速淬火,缺陷密度以淬火的幅度普遍尺度。我们表明,通用缩放定律适用于由振荡外部场驱动的动态相变。系统对周期电势场的能量响应的差异导致能量吸收,对称性的自发断裂及其恢复。我们验证了相关的通用缩放定律,提供了证据表明,可以通过与KZM结合的时间平均临界指数来描述非平衡相变的关键行为。我们的结果表明,临界动力学的普遍性超出了平衡关键性,从而促进了对复杂非平衡系统的理解。
为了确保准确性,在绝对零的温度下进行实验,将背景噪声降低至几乎没有。KERR谐振器是关键的,因为它可以扩增通常无法观察到的量子效应。因为它可以对具有极高敏感性的两光孔信号做出响应,因此研究人员能够使用它以前所未有的精确度探索相过渡 - 传统设置简直无法实现。
摘要:集成光子设备的商业生产受所需材料平台的可扩展性的限制。我们探索了一个相对较新的光子构造ALSCN,因为它在电形相移和调制中的使用。其CMOS兼容性可以促进集成光子调节剂的大规模产生,并且与固有的ALN相比,它表现出增强的二阶光学非线性,表明有效调节的可能性。在这里,我们测量了0.80 SC 0.20 N基相位变速器中的电磁效应。我们利用了TM0模式,允许使用R 33电磁系数,并在750 V cm左右证明了V𝜋L。由于电位响应比预期的要小,因此我们讨论了基于ALSCN的光子学的响应减少和未来前景的潜力原因。
Minagawa, K., Matsuzawa, Y., Yoshikawa, K. (1992) J. Polym. Sci. Part B: Polym. Phys. 30, 779 11) Minagawa, K., Matsuzawa, Y., Yoshikawa, K., Matsumoto, M. 和 Doi, M. (1991) FEBS. lett. 295, 67