标准电缆入口位于后底部。但是,如果需要电缆,入口可以从上方,但面板的深度会增加。如果不首先满足配电板的安全联锁程序,则无法进入此隔间。此隔间内还设有: ・ 接地开关 ・ 零相电流互感器 ・ 浪涌抑制器 ・ 电压和电流互感器
为满足电力需求增加而要求的高断路容量,满足市场对紧凑型配电板尺寸的要求,在单相负载(3φ4w线)上实现100%N相电流传导能力,并通过提供各种附件和连接方法提高用户的便利性而开发的。此外,通过开发继电器为客户提供整体解决方案,实现绝对的保护配合,并与IT系统相一致。
本文档介绍了一种使用 TMS320C24x 控制永磁同步电机的解决方案。这种新型 DSP 系列能够以经济高效的方式设计无刷电机智能控制器,从而实现增强的操作,包括更少的系统组件、更低的系统成本和更高的性能。所提出的控制方法依赖于磁场定向控制 (F.O.C.)。该算法可在各种速度下保持效率,并通过直接从转子坐标控制磁通量来考虑瞬态相位的扭矩变化。本报告介绍了不同的增强算法。所提出的解决方案包括抑制相电流传感器的方法和使用滑模观测器进行无速度传感器控制。
1使用PCS ESW 1.2.0测试的1个2请参阅系统配置表,以了解SKU模型编号的确切变化。3,电流的下限受到PV的铭牌的限制,例如,如果PV逆变器的铭牌为16A,则当前限制集可以不低于16A。电池电量限制在PV和电池连接(POC)的输出时:这是PCS模式,通过监视PV和ESS电流的总和限制所产生的总电流,对系统进行了对系统控制每一相电流的能力的评估。测试证明,当PV功率或系统负载级别进行步骤更改时,PV和电池的总电流不超过已记录的响应时间以上的限制设置。仅当PV铭牌低于当前限制集时,此模式才适用。
通过电子方式将有意义的信息传输到大脑回路是脑机接口面临的挑战。一个关键目标是找到一种方法,将空间结构化的局部电流刺激注入皮质的各个感觉区域。在这里,我们介绍了一种完全无线的方法,通过空间分布的植入皮层网络对皮层的特定区域进行多点模式化电微刺激。每个亚毫米大小的微芯片从外部射频源收集能量,并将其转换成双相电流,通过一对集成微线局部注入组织。通过实施具有亚毫秒延迟的预调度、无冲突位图无线通信协议,可以控制植入网络中每个芯片注入电流的幅度、周期和重复率。作为体内演示,我们将 30 个无线刺激器组成的网络长期植入自由活动大鼠的皮层运动和感觉区域,持续三个月。我们探索了模式化皮层内电刺激在平均射频功率远低于安全限值的情况下对受训动物行为的影响。21
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。
I.1 简介 本手册适用于 DS 2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.20X。0 至 3 版本的手册适用于 DS2000 驱动器和 2.00X 以下的软件版本。4 至 5 版本的手册适用于 DS2000“运动解决方案”驱动器,其软件版本为 3.00X 和 3.10X。DS2000 软件版本 3.200 的新特性和新增功能: • I2T IGBT 保护。此功能可保护 IGBT 模块,避免因过大的相电流流动(特别是在低频或锁定转子时)而过热。当保护激活时,可以禁用驱动器或限制电流流动。此功能可通过菜单激活或停用。激活此保护后,陷波滤波器将自动停用。I2T IGBT 保护和陷波滤波器不能同时使用。• 防自由旋转 (AFW)。此功能允许在断电、电机过热和驱动器过热的情况下紧急停止电机。电机将以菜单中最终设置的减速度值制动。此功能可通过菜单激活或停用。• 再生电阻保护。一些客户应用显示再生电阻的持续使用频率过高,有时会导致其损坏甚至断裂。为了避免此问题,在新的 DS2000 固件版本 3.200 中开发了一个新功能:该算法可估计电阻器温度的增长,并根据制造商数据(标称功率、最大功率和峰值功率时间)防止其过热。• FAS G 去磁通。此修改通过引入去磁通组件(正弦电流相移)来提高高速电机性能,该组件从速度值开始,最大角度值可在菜单中设置。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• 模拟参考上的死区。可以引入模拟参考上的死区(以零交叉为中心,两个方向对称),幅度可通过菜单选择。它消除了可能导致电机轴漂移旋转缓慢的偏移。可以使用相关参数从菜单中激活或停用此功能。• PTC/NTC 选择。可以使用菜单选择 PTC/NTC 电机热传感器。• 自动电流偏移补偿。当驱动器被禁用时,此功能会自动激活,并重复计算,直到驱动器关闭。当驱动器启用时,最后计算的偏移值将被记忆并用于电流环路。当驱动器再次被禁用时,此功能将激活并补偿可能的热漂移。
