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使用短波长的自由电子激光
在古典世界中遇到的自由度之间的量子纠缠是由于周围环境而挑战。为了阐明此问题，我们研究了在两分量量子系统中产生的纠缠，该量子系统包含两个巨大的颗粒：一个自由移动的光电电子，该光学的光电膨胀到中镜长度尺度和浅色的原子离子，代表光和物质的混合状态。尽管经典地测量了光电子光谱，但纠缠使我们能够揭示有关离子穿着状态的动力学的信息，以及由种子自由电子激光器传递的飞秒极端紫外线脉冲。使用时间依赖的von Neumann熵来解释观察到的纠缠产生。我们的结果揭示了使用自由电子激光器的短波长相干脉冲来生成纠缠光电子和离子系统来研究距离的怪异作用。
将ECMWF ECRAD辐射方案（v1.5.0）纳入MAR模型（v3.14），比利时的区域评估和表面短波评估
将ECMWF ECRAD辐射方案（V1.5.0）纳入MAR模型（v3.14），比利时的区域评估和UCCLE天文台表面短波光谱通量的评估
电荷域增益在主动短波红外瞄准中的性能优势
摘要。目前，短波红外波段主动瞄准系统的灵敏度受到传统读出集成电路的高读取噪声限制。这一限制阻碍了其他性能权衡，例如源功率、照明波长和时间相干性。在信号读出之前在电荷域中引入增益可以降低读取噪声的影响，使其不再限制性能。为了准备一系列计划中的主动成像现场测试，我们在建模基础上使用两种不同的电荷域增益相机展示了改进的系统性能：电子轰击有源像素传感器 (EBAPS) 和碲化汞镉雪崩光电二极管传感器。我们发现这两种解决方案都可以降低读取噪声，使其中一种适合激光距离选通，但与 EBAPS 相关的高暗电流可能使其在某些情况下不适合连续波成像。这些结果有助于我们了解电荷域增益系统现场测试的预期性能。
卤化物驱动的INSB胶体量子点的合成控制使短波红外光电视
与许多候选光感应材料相比，INSB在III-V家族的胶体量子点（CQD）半导体中有望进入更广泛的红外波长。但是，实现必要的尺寸，尺寸差异和光学特性一直具有挑战性。在这里研究了与INSB CQD相关的合成挑战，发现不受控制的锑前体的减少会阻碍CQD的受控生长。为了克服这一点，开发了一种将非流传性前体与锌卤化物添加剂相结合的合成策略。实验和计算研究表明，锌卤化物添加剂减速了锑前体的还原，从而促进了更均匀尺寸的CQD的生长。还发现，卤化物的选择提供了对这种效果强度的额外控制。所得的CQD在光谱范围为1.26–0.98 eV的光谱范围内表现出良好的激发型转变，以及强发光。通过实施结合后配体交换，可以实现胶体稳定的墨水，从而实现了能够制造高质量CQD纤维的胶水。在1200 nm处提出了INSB CQD光电遗传学的第一个演示，在1200 nm处达到75％的外部量子效率（QE），这是最高的短波红外线（SWIR）QE在重型无金属质红外CQD基于CQD基于CQD的基于CQD的设备中所报道的。
卤化物驱动的 InSb 胶体量子点合成控制可实现短波红外光电探测器
在 III-V 族胶体量子点 (CQD) 半导体中，与许多光敏材料候选物相比，InSb 有望获得更广泛的红外波长范围。然而，实现必要的尺寸、尺寸分散性和光学特性一直具有挑战性。本文研究了与 InSb CQD 相关的合成挑战，发现锑前体的不受控制的还原会阻碍 CQD 的控制生长。为了克服这个问题，开发了一种将非自燃前体与卤化锌添加剂相结合的合成策略。实验和计算研究表明，卤化锌添加剂会减缓锑前体的还原，从而促进尺寸更均匀的 CQD 的生长。还发现卤化物的选择可以额外控制这种效应的强度。所得 CQD 在 1.26-0.98 eV 的光谱范围内表现出明确的激子跃迁，同时具有强光致发光。通过实施合成后配体交换，实现了胶体稳定油墨，从而能够制造高质量的 CQD 薄膜。首次演示了 InSb CQD 光电探测器，在 1200 nm 处达到 75% 的外部量子效率 (QE)，据了解，这是无重金属红外 CQD 设备中报告的最高短波红外 (SWIR) QE。
通过快速热退火改善应变GeSn/Ge多量子阱的短波红外响应 赵浩晨 1 ，林光阳 2 ，C
通过快速热退火改善应变 GeSn/Ge 多量子阱的短波红外响应 Haochen Zhao 1、Guangyang Lin 2、Chaoya Han 3、Ryan Hickey 1、Tuofu Zhama 1、Peng Cui 1、Tienna Deroy 4、Xu Feng 5、Chaoying Ni 2 和 Yuping Zeng 1,* 1 美国特拉华大学电气与计算机工程系，美国特拉华州纽瓦克 19716 2 厦门大学物理系，福建省厦门 361005 3 美国特拉华大学材料科学与工程系，美国特拉华州纽瓦克 19716 4 美国特拉华大学化学与生物化学系，美国特拉华州纽瓦克 19716 5 美国特拉华大学表面分析设施，美国特拉华州纽瓦克 19716电子邮件: yzeng@udel.edu
Shine等人 - 分开短波和长波...
与其IRF值保持不变； RF LW为3.8 w m 2，比IRF LW高。因此，Hansen等人。（1981）发现，根据是否考虑了RF还是IRF，净强度为2.6％或4％的净强度（LW + SW）。CO 2 IRF SW在ERF框架中重新出现的观点，该框架采用TOA的视角（例如，图。Ramaswamy等人的14-6，2018）。 相比之下，Cess等人。 （1993）报告说，CO 2 IRF SW为负，约占IRF LW的6％（用于330 ppm的doubl）。 这种观点已经建立，尽管并非所有研究都发现了负面的CO 2 tropo-pause irf SW（Forster等，2001）。 明显的障碍是因为Cess等人。 （1993）定义在对流层面上的强迫； Hansen等。 （1981）选择TOA。 这仍然留下一个问题，即哪种观点最有价值，以及它们是否可以和解。 Myhre等。 （1998）还发现，RF LW的CO 2（0.11 w m 2）的CO 2为负IRF SW，从278 ppm增加了一倍。 然而，在这里很重要的是，额外的SW吸收温暖了平流层（与仅LW的情况相关）。 在RF框架中，Myhre等人。 （1998）计算出这种变暖导致对流层顶RF LW（0.05 W m 2）；因此，由于SW强迫引起的净RF（0.06 W m 2）约为IRF SW的一半。 对于增加平流层H 2 O的浓度，Forster和Shine（2002）（另见Forster等，2001; Myhre等，2007，2009）发现了Tropapause irf SW，占RF LW的20％。 Etminan等。Ramaswamy等人的14-6，2018）。相比之下，Cess等人。（1993）报告说，CO 2 IRF SW为负，约占IRF LW的6％（用于330 ppm的doubl）。这种观点已经建立，尽管并非所有研究都发现了负面的CO 2 tropo-pause irf SW（Forster等，2001）。明显的障碍是因为Cess等人。（1993）定义在对流层面上的强迫； Hansen等。（1981）选择TOA。 这仍然留下一个问题，即哪种观点最有价值，以及它们是否可以和解。 Myhre等。 （1998）还发现，RF LW的CO 2（0.11 w m 2）的CO 2为负IRF SW，从278 ppm增加了一倍。 然而，在这里很重要的是，额外的SW吸收温暖了平流层（与仅LW的情况相关）。 在RF框架中，Myhre等人。 （1998）计算出这种变暖导致对流层顶RF LW（0.05 W m 2）；因此，由于SW强迫引起的净RF（0.06 W m 2）约为IRF SW的一半。 对于增加平流层H 2 O的浓度，Forster和Shine（2002）（另见Forster等，2001; Myhre等，2007，2009）发现了Tropapause irf SW，占RF LW的20％。 Etminan等。（1981）选择TOA。这仍然留下一个问题，即哪种观点最有价值，以及它们是否可以和解。Myhre等。 （1998）还发现，RF LW的CO 2（0.11 w m 2）的CO 2为负IRF SW，从278 ppm增加了一倍。 然而，在这里很重要的是，额外的SW吸收温暖了平流层（与仅LW的情况相关）。 在RF框架中，Myhre等人。 （1998）计算出这种变暖导致对流层顶RF LW（0.05 W m 2）；因此，由于SW强迫引起的净RF（0.06 W m 2）约为IRF SW的一半。 对于增加平流层H 2 O的浓度，Forster和Shine（2002）（另见Forster等，2001; Myhre等，2007，2009）发现了Tropapause irf SW，占RF LW的20％。 Etminan等。Myhre等。（1998）还发现，RF LW的CO 2（0.11 w m 2）的CO 2为负IRF SW，从278 ppm增加了一倍。然而，在这里很重要的是，额外的SW吸收温暖了平流层（与仅LW的情况相关）。在RF框架中，Myhre等人。（1998）计算出这种变暖导致对流层顶RF LW（0.05 W m 2）；因此，由于SW强迫引起的净RF（0.06 W m 2）约为IRF SW的一半。对于增加平流层H 2 O的浓度，Forster和Shine（2002）（另见Forster等，2001; Myhre等，2007，2009）发现了Tropapause irf SW，占RF LW的20％。Etminan等。Etminan等。（2016）提出了甲烷的IRF SW计算； Tropopause IRF SW（750 - 1800 PPB扰动）为正，占总强度的6％；考虑平流层变暖的影响
异质结双层作为电荷传输中间层降低有机短波中的暗电流并增强光电倍增
光电倍增探测器有望克服有机短波红外光电探测器的低响应度。然而，最近的光电倍增探测器通常会同时增加响应度和暗电流，从而抵消对探测率的影响。为了抑制光电倍增装置中的暗电流，我们提出了一种新的夹层结构，即一种克服信号和噪声之间权衡的 pn 结组合。与使用典型单极电荷传输材料的设备相比，我们的双层设计具有降低暗电流和出色外部量子效率的优势。我们将这种新的夹层设计融入上转换成像器中，使上转换效率和图像对比度翻倍。这种夹层可推广到不同的有机半导体，这尤其有用，因为这里的设计将适用于尚未发现的未来红外材料。
调整电荷阻挡层以增强有机短波红外光电探测器的光电倍增
完整作者列表：Li, Ning；加州大学圣地亚哥分校 Lim, Jasmine；南密西西比大学，聚合物科学与工程学院 Azoulay, Jason；南密西西比大学，聚合物与高性能材料学院 Ng, Tse Nga；加州大学圣地亚哥分校
快照式短波红外高光谱成像相机
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