FC123.24 单一制议员报告:接收单一制议员的报告。(口头更新) FC124.24 收到的规划申请:(随附副本)(第 53 页)NE/24/01004/FUL | 提案:全面规划许可。在因纵火袭击而毁坏的旧建筑被拆除后,安装 3 个容器作为更衣室和卫生间设施。(第 81 节 E/24/0024/DN)| 地点:Amos Lawrence Park Stanwick Road Raunds Wellingborough NN9 6DG FC125.24 2025/26 预算和税款:确认 2025/26 财政年度的预算和税款要求。 (随函附上报告)(第 54-61 页)FC126.24 Raunds 滑板公园更新:了解 Raunds 滑板公园建设的最新情况。(口头更新)FC127.24 Spotlight 时事通讯:审查 2024/25 年冬季版 Spotlight 时事通讯的草稿。(复制以跟进)FC128.24 年度城镇大会:考虑 2025 年 4 月 24 日星期四在 Saxon Hall 举行的年度城镇大会的临时安排和宣传艺术品。(口头更新)
Tech Mahindra 提供创新且以客户为中心的数字体验,使企业、员工和社会能够为更加平等的世界、未来做好准备和创造价值而崛起。该公司是一家市值超过 65 亿美元的组织,在 90 个国家/地区拥有 146,000 多名专业人员,为包括财富 500 强企业在内的 1250 多家全球客户提供服务。该公司专注于利用 5G、Metaverse、区块链、量子计算、网络安全、人工智能等下一代技术,为全球客户实现端到端的数字化转型。它是世界上第一家获得可持续市场倡议 Terra Carta 印章的印度公司,该印章旨在表彰积极引领创造气候和自然友好未来的全球公司。它是全球“品牌价值排名”中增长最快的品牌,也是全球品牌实力排名前七的 IT 品牌之一,拥有 AA+ 评级。凭借其 NXT.NOW TM 框架,Tech Mahindra 旨在增强其生态系统的“以人为本的体验”,并通过强大的公司组合产生的协同效应推动协作式颠覆。它旨在今天提供明天的体验,并相信“未来就是现在”。Tech Mahindra 是 Mahindra 集团的一部分,该集团成立于 1945 年,是规模最大、最受尊敬的跨国公司联合会之一,在 100 多个国家/地区拥有 260,000 名员工。它在印度的农用设备、多功能车、信息技术和金融服务领域处于领先地位,是全球产量最大的拖拉机公司。它在可再生能源、农业、物流、酒店和房地产领域拥有强大的影响力。Mahindra 集团明确专注于引领全球 ESG,促进农村繁荣和改善城市生活,目标是推动社区和利益相关者生活的积极变化,使他们能够崛起。请通过 www.techmahindra.com 与我们联系
母乳低聚糖对儿童健康的影响 / Mellyssa Tenório Neves Ferreira、Victória Palmeira Celestino Oliveira。 – 2021. 35 页: 患病的。主管:莫妮卡·洛佩斯·德阿松桑。
A specific brain data visualization and analysis program, Cardviews (Cardinal Views), developed in the CMA by James Meyer , has been the basis for landmark studies , inter alia , of patterns of normal brain development and sexual dimorphism in the brain, the earliest studies establishing morphometric features of autistic brains and developmental language disorders, and the morphometric profiles of early onset bipolar disorder and schizophrenia.这些计划中的主要研究人员是玛莎·赫伯特(Martha Herbert)博士,他是儿科神经病学培训计划的毕业生,儿童精神病医生让·弗雷泽(Jean Frazier)博士和博士。哈佛大学精神病学系的拉里·塞德曼(Larry Seidman)和吉尔·戈德斯坦(Jill Goldstein)。
注意到,对于细胞II(80°C)的过渡点t远低于细胞I(150°C)的过渡点。差异可能是由于细胞II链的灵活性更大。因此,高于t的电导率的明显增加可能主要归因于当前载体的迁移率的增加。我们的兴趣是针对电动分子(纤维方向)和分子间氢键(垂直方向)方向的各向异性DE电导率。图5显示了(在这两个方向上j在1/t绘制的两个方向上的j(tsuga和kaba)在100°C下用4N-HC1处理的值6h。纤维方向的电导率大约是垂直方向的十倍。从图6所示的(j ii j ii j for Cell II)的温度依赖性获得了类似的结果。图7显示了在各种温度下,这两个细胞I(TSUGA)这两个方向的电压电流特性。的结果与图7中的结果相似,在垂直方向上的电压 - 电流曲线与纤维分离中的线性关系相比,电压电流曲线显示出非线性关系。这种非线性效应可能是由于始终存在于poly-
随着 CMOS 技术缩放即将达到基本极限,对具有较低工作电压的节能器件的需求巨大。负电容场效应晶体管 (NCFET) 具有放大栅极电压的能力,成为未来先进工艺节点的有希望的候选者。基于铁电 (FE) HfO 2 的材料具有令人印象深刻的可扩展性和与 CMOS 工艺的兼容性,显示出将其集成到 NCFET 中以实现纳米级高性能晶体管的可行性。由于引入了 NC 效应,基于 HfO 2 的 NCFET 中的短沟道效应 (SCE) 与已经经过广泛研究的传统器件不同 [1]。具体而言,漏极诱导势垒降低 (DIBL) 在决定 SCE 的严重程度方面起着关键作用,在 NCFET 中表现出相反的行为。尽管人们已认识到施加电压对 NCFET 性能的影响 [ 2 ],但栅极电压扫描范围(V GS 范围)对先进短沟道 NC-FinFET 中的 DIBL 的影响仍然缺乏研究。