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World File Search System硅上
在硅上的热生长和化学蒸气沉积膜的折射率曲线
由于仪器错误和软件限制，介电膜的折射率小于50 nm。在解决这个问题时，我们报告了椭圆测量Pro；可靠地评估折射率的可靠评估，以对沉积的各种热生长和化学蒸气，CVD，SI底物的介电膜，介电膜降低到约10 nm的厚度，并且我们在膜片界面界面上的当前了解的结果比较了结果。在所有研究的情况下，我们都发现界面区域在光学上与厚膜不同，并且精确的膜处理实质会改变界面区域的性质。-
通过表面引起的ATRP在硅上获得的聚合物刷的直接定量表征
Anne-Chantal Gouget-Laemmel，Nacim Zidelmal，Rafaela S B Soares，Nadine Aubry-Barroca，Di-Ana Dragoe等人。通过表面启动的ATRP在硅上获得的聚合物刷的直接定量表征。ACS应用聚合物材料，2022，5（1），pp.517-528。10.1021/ac-sapm.2c01632。hal-04264312
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
通过紫外线激光照射在介孔硅上形成的微尖峰
微型和纳米结构的表面受到了广泛的关注，因为它们在传感器技术，表面摩擦学以及依从性和能量收集等广泛应用中的潜力。已经研究了几种修改材料表面，例如血浆处理，离子梁溅射，反应性离子蚀刻和激光处理等材料表面[1-3]。在这些方法中，由于其良好的空间分辨率和对不同材料（例如金属，半导体，介电和聚合物）的良好空间分辨率和高可重现性，激光表面处理近年来引起了人们的兴趣[4-6]。从连续波（CW）到超短梁以及从UV到IR的工作波长已经使用了许多类型的激光源[7-8]。由于激光 - 物质相互作用，从纳米到微尺度的各种结构和模式取决于激光参数和材料特性，例如激光诱导的周期性表面结构（LIPS），2D圆形液滴和特定的微型结构，称为Spikes [9-14]。
使用 HelixJet 在硅上沉积氧化硅薄膜——一种
L. Rebohle 1、A. Quade 2、T. Schumann 1、D. Blaschke 1、R. Hübner 1、R. Heller 1、R. Foest 2、J.
低点量子点激光器直接生长在硅上，在高温下表现出低阈值电流和高输出功率。
III-V材料在硅上的直接生长是开发单层积分激光器的关键推动剂，在重要通信和计算技术中为超密集的光子整合提供了巨大的潜力。但是，III-V/SI晶格和热膨胀不匹配构成了重大障碍，从而导致缺陷使激光性能降低。这项研究克服了这一挑战，证明了与天然GAAS底物上的顶级激光器相当的INAS/GAAS-SI激光器。这是通过新开发的外延方法来实现的，其中包括一系列严格优化的增长策略。原子分辨率扫描隧道显微镜和光谱实验揭示了活性区域的出色材料质量，并阐明了每种生长策略对缺陷动态的影响。优化的III-V-n-silicon脊脊 - 波导激光器显示出低至6 mA的连续波阈值电流，高温操作达到165°C。在80°C，对于数据中心应用至关重要，它们保持12 ma阈值和35 MW的输出功率。此外，使用相同过程在SI和GAAS底物上制造的激光均显示出几乎相同的平均阈值电流。通过消除与GAAS/SI不匹配相关的性能限制，这项研究为将广泛的III-V光子技术的广泛范围稳健而高密度整合到硅生态系统中铺平了道路。
超高光明绿色Ingan在硅上
总部位于中国的研究者报告说，硅（SI）上的高光泽绿色依赖二氮（INGAN）发光二极管（LED）[Haifeng Wu等人，Light：Science＆Applications，V13，V13，P284，2024]。将外延材料以1080x780格式的7.5μm螺距下的正常大小的LED和5µm像素的阵列。30x30阵列在1000a/cm 2电流注入时达到1.2x10 7 cd/m 2（nit）的亮度，声称是此类微型LED的最高报告。来自匈牙利大学的研究团队，Innovision Technology（Suzhou）Co Ltd，Lattice Power（Jiangxi）Corp，中部南大学，北京数字光学设备IC Design Co Ltd和Hunan Normal University，认为Spectrum的绿色部分对于“准确的色彩再现和整体图像质量”特别重要。微主导的显示被视为在虚拟/增强真实环境中具有即时应用的关键下一代视觉接口。研究人员使用金属有机化学蒸气
GW2.1基因调节晶粒性状的靶向突变，并诱导大麦的产量损失 在碳化硅上集成石墨烯和MOS2 高级材料处理系统中的传输通道 Calpain活性调节剂：抑制剂和激活剂作为潜在药物LeventeEndreDókus，Mo'Ath Yousef＆ZoltánBánócziPharmaceutics 2020， 对自动化车辆的泳道控制，反馈延迟：非线性分析和实验室实验 在介孔Niwo 4 上支持的电催化剂的设计降低了PT含量 多分散性比（PDR）及其对... 的应用 有问题的社交网络使用中的隐式认知 焊接轮廓对绝缘栅极晶体管（IGBTS）的热参数的影响 多核算方法 polycomb蛋白RYBP在小鼠胚胎干细胞的体外心脏分化过程中激活转录因子plagl1 光控制生物杂交微型机器 量子信息的费米子系统 用TiO 2和Zno 抑制Snagcu焊料合金的Sn晶须生长
谷物宽度和重量2（GW2）是一种E3-泛素连接酶编码基因，对谷物物种中谷物的大小和重量负调节。因此，建议禁用GW2基因活性以提高作物生产率。我们在这里表明，大麦GW2.1同源物的CRISPR/CAS介导的诱变会导致细长谷物的发展和蛋白质含量增加。同时，GW2.1功能的损失引起了由于尖峰数量减少和谷物设置低而引起的明显晶粒屈服不足。我们还表明，GW2.1缺乏作物产量和蛋白质含量引起的相反作用在很大程度上与培养条件无关。这些发现表明大麦GW2.1基因对于产量和晶粒性状之间的优化是必需的。总的来说，我们的数据表明，大麦中GW2.1基因活性的丧失与多效性效应相关，对生成器官的发展以及因此谷物产生产生了负面影响。我们的发现有助于更好地理解谷物的发育以及GW2.1控制大麦的定量和定性遗传改善中控制的UTI。
在碳化硅上集成石墨烯和MOS2
péterTelek1摘要：为了满足社会和经济环境的不断增长的要求，必须开发物质处理过程中使用的设备。几十年前，这些机器完全适用于某些制造程序，在高级版本中找不到，它们的角色由其他较早使用的计算机控制设备发挥作用。本文概述了有关特殊的材料处理机 - 传输渠道的概述，并介绍了其操作特征和应用可能性，以涵盖其在高级处理系统中的可用性。在本文中提出的陈述是研究这些机器的特殊参数和应用优势的研究结果，可以显示它们的开发方向。
利用飞秒激光脉冲将 PMMA 键合到硅上
文献中，较小的间距可预期较高的剪切强度。事实上，在之前关于飞秒激光粘合两层 PMMA 层的研究 [20] 中发现，每次激光通过产生的缺陷和空隙都会被下一条激光线产生的熔融材料填充。因此，增加连续激光线之间的重叠可提高焊接强度。相反，在我们的案例中，当激光束经过之前产生的激光修改线时，即当 h/w < 1 时，可以注意到剪切强度的降低。该结果可以归因于 PMMA 和硅之间的锚定“断裂”，这是由于激光在已经加工好的线上扫描造成的。另一方面，增加间距对剪切应力有负面但不太明显的影响。这可能