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氧化铈基复合电解质材料研究进展
单相电解质的低离子电导率已不能满足600 ˚C以下的使用要求，制备高离子电导率的复合电解质成为发展方向。本文综述了掺杂CeO 2 无机盐(碳酸盐、硫酸盐)、掺杂CeO 2 金属氧化物以及掺杂CeO 2 钙钛矿复合电解质，分析了第二相对CeO 2 基电解质性能的影响。由于独特的H + /O 2−共导电性，无机盐的加入可以提高掺杂CeO 2 无机盐复合电解质的电导率。掺杂CeO 2 钙钛矿体系总电导率的提高可能是由于晶界电导率提高引起的。在掺杂CeO 2 金属氧化物体系中加入氧化物可以降低烧结温度，提高晶界电导率。以期为制备性能优异的二氧化铈复合电解质提供理论指导。
用于元件抛光的CeO2基复合材料的研究进展
Figure 7. Morphologies and surface roughness values of (a) the initial surface and the polished surface under conditions of (b) without UV-light, (c) TiO 2 film electrode with UV-light, (d) TiO 2 film electrode with UV-light and anodic bias, (e) CeO 2 -TiO 2 composite-film electrode with UV-light and (f) CeO 2 -TiO 2 composite-film elec- trode with UV-light and anodic bias [31] 图 7. (a) 初始表面； (b) 无紫外光条件下抛光表面； (c) 有紫外光并使用用 TiO 2 薄膜电极抛光下表 面； (d) 在有紫外光和阳极偏压的 TiO 2 薄膜电极下抛光表面； (e) 有紫外光并使用 CeO 2 -TiO 2 复合 膜电极下抛光表面； (f) 有紫外光和阳极偏压的 CeO 2 -TiO 2 复合膜电极抛光表面的形貌和表面粗糙 度值 [31]
硅基光子集成电路的最新进展和新兴应用
近年来，随着半导体器件在集成电路中的进一步小型化，功耗和数据传输带宽已成为难以逾越的障碍。光子集成电路 (PIC) 作为一种集成技术，在后摩尔时代具有广阔的前景，因其超高的处理速度和低功耗，在数据处理、通信和多样化传感应用方面具有更多优势。由于成熟的 CMOS 工艺，硅光子学被认为是实现 PIC 的一种令人鼓舞的解决方案。过去几十年来，硅 PIC 取得了巨大的增长。然而，仍然需要开发硅 PIC 来实现强大的芯片级系统和新功能。本文回顾了 PIC 的光子元件、功能块和新兴应用。常见的光子元件分为几个部分，包括片上光源、光纤到芯片耦合器、光子谐振器、基于波导的传感器、片上光电探测器和调制器。本综述中提到的 PIC 的功能模块是光子存储器和光子神经网络。最后，本文总结了有待进一步研究的新兴应用。
基于硅基氮化镓的微机电加速度计
1 G. Langfelder、M. Bestetti 和 M. Gadola，《微机械与微工程杂志》31 (8)，084002 (2021)。2 Chen Wang、Fang Chen、Yuan Wang、Sina Sadeghpour、Chenxi Wang、Mathieu Baijot、Rui Esteves、Chun Zhao、Jian Bai、Huafeng Liu 和 Michael Kraft，《传感器》20 (14)，4054 (2020)。3 V. Narasimhan、H. Li 和 M. Jianmin，《微机械与微工程杂志》25 (3)，033001 (2015)。4 DK Shaeffer，《IEEE 通信杂志》51 (4)，100 (2013)。5 LM Roylance 和 JB Angell，《IEEE 电子设备学报》26 (12)，1911 (1979)。 6 AA Barlian、W. Park、JR Mallon、AJ Rastegar 和 BL Pruitt，IEEE 97 论文集 (3)，513 (2009)。7 S. Tadigadapa 和 K. Mateti，测量科学与技术 20 (9)，092001 (2009)。8 O. Le Traon、J. Guérard、M. Pernice、C. Chartier、P. Lavenus、A. Andrieux 和 R. Levy，在 2018 年 IEEE/ION 位置、定位和导航研讨会 (PLANS) 上发表，2018 年（未发表）。9 O. Lefort、I. Thomas 和 S. Jaud，在 2017 年 DGON 惯性传感器和系统 (ISS) 上发表，2017 年（未发表）。
铌-硅基原位复合材料的析出行为
铌硅钢 70.63 22.58 1.51 0.17 6.90 γ-铌硅钢 32.99 25.64 34.36 6.65 1.02 α-铌硅钢 47.92 13.66 35.22 2.95 0.24
硅基量子计算高级量子工程师
Quantum Motion 是一家总部位于伦敦的快速发展的量子计算初创公司，该公司正在招募一位经验丰富的量子工程师加入 Quantum Hardware 团队，为基于硅技术的可扩展量子计算机的开发做出贡献。该职位将涉及开发和演示可扩展的硅自旋量子比特相干控制策略，以实现跨阵列的量子逻辑运算。在固态系统中动态表征和控制自旋方面的经验至关重要。不需要硅基纳米电子器件方面的经验，但最好熟悉硅量子电子学概念。
先进硅基阳极材料的低成本制造
• 利用 EnerG2 碳在碳方面的专业知识来创造理想的硅支撑基质材料 • 开发和实施与碳平台兼容的低成本硅合成工艺 • 展示该方法在完整电池 LIB 中的成功 • 使用低成本工艺进行中试规模生产，以满足 LIB 客户的资格要求
高灵敏度硅基 VIS/NIR 光电探测器
1. A. Loudon、P. Hiskett、G. Buller、R. Carline、D. Herbert、WY Leong 和 J. Rarity，选择。莱特。 ，27，219 (2002)。 2. Z. Lo、R. Jiang、Y. Zheng、L. Zang、Z. Chen、S. Zhu、X. Cheng 和 X. Liu，Appl.物理。莱特。 ，77，1548 (2000)。 3. M. Elkurdi、R. Boucaud、S. Sauvage、O. Kermarrec、Y. Campidelli、D. Bensahel、G. Saint-Girons 和 I. Sagnes，Appl。物理。莱特。 ，80，509 (2002)。 4. C. Wu、CH Crouch、L. Zhao、JE Carey、R. Younkin、JA Levinson、E. Mazur、RM Farrell、P. Gothoskar 和 A. Karger，Appl.物理。莱特。 ，78，1850（2001）。 5. R. Younkin、JE Carey、E. Mazur、JA Levinson 和 CM Friend，J. Appl.物理。 ，93，2626 (2003)。 6. CH Crouch、JE Carey、M. Shen、E. Mazur 和 FY Genin 提交给 Appl。物理。答： 7. M. Ghioni，A. Lacaita，G. Ripamonti 和 S. Cova，IEEE J. Quantum Electronics，28，2678（1992 年）。
硅基内置低暗电流光电二极管... - CDN
与传统体硅相比，绝缘体上硅（SOI）衬底具有许多优势，包括低漏电流、低电容、低功耗、更好地抵抗短沟道效应（SCE）和卓越的缩放能力[1 – 4]。这使得SOI衬底不仅适用于传统的MOSFET，而且由于天然的衬底隔离[5 – 8]和更简单的多栅极设计，它也对新型半导体器件具有吸引力，例如TFET和Z2-FET。此外，建立在SOI平台上的光电探测器（PD）也表现出优异的光电性能。高工作速度、高抗辐射和低寄生电容的优势使基于SOI的PD在电子和光子集成电路（EPIC）、光通信系统和航空航天等许多应用领域中极具竞争力[9 – 16]。为了在 SOI 薄膜中形成 pn 光电二极管，通常使用常规离子注入来掺杂 Si 沟道 [17]。然而，离子注入会损坏并降低 Si 的质量，这个问题在缺乏种子层以促进再结晶的超薄 SOI 薄膜中尤其严重。此外，用于激活掺杂剂的高温退火可能会引起应力和损坏，并进一步降低器件的性能。为了克服这些缺点，可以使用电场诱导的静电掺杂 [18,19] 来形成 pn 结并完全避免离子注入。之前，我们已经证明在
聚吡咯/铁基复合材料的制备及其应用
摘要：多吡咯（PPY）是一种廉价的导电聚合物，具有有效的存储容量，但其有限的溶解度限制了其生产和应用。因此，为了扩大其应用范围，多功能PPY复合材料的设计和研究引起了极大的关注。PPY/铁基复合材料是通过水热方法，聚合方法和一锅方法等方法制备的。有关PPY/铁复合材料的应用的研究主要集中在电容器，电磁波吸收材料，吸附剂，传感器，药物和催化剂等领域。，它们在超级电容器的电极材料，电磁波的吸收，重金属离子的吸附以及催化降解，展示广泛的应用前景中表现出色。随着制备技术的持续发展和应用领域的进一步扩展，PPY/基于铁的复合材料有望在更多领域中发挥重要作用。关键字：polypyrrole;准备方法；复合材料；应用区域