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World File Search System硅孔
纳米孔测序用于蛋白质
它的快速分析和超长读数，纳米孔测序改变了基因组学，转录和表观基因组学。现在，由于纳米孔设计和蛋白质工程的进步，使用该技术的蛋白质肛门可能正在追赶。“所有碎片都从那里开始进行单分子蛋白质组学，并使用纳米含量来识别蛋白质及其修饰。这不是确切的测序，但可以帮助您确定存在哪些蛋白质。“您可以通过多种不同的方式识别蛋白质，这些蛋白质实际上并不需要所有20种氨基酸的确切识别，”他指的是蛋白质中通常的数字。在纳米孔DNA测序中，单链DNA通过电流通过蛋白质孔驱动。作为DNA残基横穿孔，它破坏了电流以产生可以将其解码为DNA碱基的特征信号。
硅二橙锂在硅光子学上的量子前景
分子电子的领域与使用分子术的使用来允许，控制和操纵两个电极之间的电气传输。[1,2]探索的基本工具是电极|分子|电极“分子连接”。[3–6]分子连接的设计与追求分子电子的早期动机对齐，这一直基于以下概念：适当设计的分子可以作为执行电路元件的基本功能的一个（或更多）。为此，执行电线功能的分子，[7]开关，[8]二极管，[9]直径，[10]晶体管，[11]，[11]和高效的电阻[12] [12]及其在连接中的电特性。最近的注意力已转向分子连接的特性，这些连接范围延伸到了电气的模仿
PowerPoint 演示文稿
• 印刷电路板（PCB）设计：多层电路、高密度技术（微孔、盲孔和埋孔）、控制阻抗、走线长度匹配、高频差分信号（FPGA、DDR3 存储器等）、EMI/EMC 约束、基板（FR4、聚酰亚胺、Rogers、硅等）、柔性/刚挠电路；
HCC1000 (通孔) HCC1001 (SMT)
描述：这些设备与 Optek 的 4N 系列光电隔离器类似，但芯片除外。它按照 MIL-PRF- 19500 TXV 级别进行处理，并可根据客户 SCD 进行修改。每个设备都由一个 IRLED 和 NPN 晶体管组成，安装在密封 TO-78 金属罐、6 针 SMD 或定制包装中。应用：卫星、发射器、太空飞行器和行星探测车等太空应用中的电路电气隔离。
中孔SIO和SI/SIO ...
要比较800-1020 nm范围的飞秒激光脉冲的SHG的性能，使用了各种制造和加工程序[4]来合成SI/SIO 2和SIO 2中孔纳米颗粒。红外飞秒激光扫描系统用于映射[5]。发现热或激光诱导的Si退火导致Si相从无定形转变为纳米晶体，从而改善了纳米颗粒的非线性特性，并使它们表现出宽带光发光。这些结果证实了中孔SI/SIO 2纳米颗粒对第二次谐波生成的效率，并扩展了其在纳米级光学中的潜在应用[6]。
孔尺度 - 统治者 - 报告-2025。 ...
This is the annual report of the Imperial College Consortium on Pore-Scale Modelling and Imaging.At our project meeting we will highlight the progress we have made over the last year as well as presenting plans for the future.Our activities have continued to grow this year – indeed we now have over 20 researchers in the group.现在，从孔到田间尺度，我们在氢存储方面做出了巨大的集成努力，并继续强调机器学习。我们还继续在传统的二氧化碳存储区域工作，同时追求与制造多孔材料设计有关的新想法。Our overall theme is to study flow in porous media with application to the energy transition.The highlight of 2024 for me was my election as a Fellow of the Royal Society.这是一项巨大的荣誉，反映了我多年来有幸与之合作的许多出色的博士学位学生，博士后和其他同事的辛勤工作，想象力和奉献精神。Linqi Zhu who left in 2023 is now back at Imperial as a post-doc supervised by Gege Wen who is a new lecturer in the department.他的研究利用了我们必须构建机器学习模型的大型数据集，以预测和解释多相流，尤其是为了充分利用时间分辨的同步加速器图像。He works closely with Menglu Kang, who is a new visitor from China.In return, two of our visitors – Yang Gao and Gang Luo – have now left, and Shanlin Ye is due to return to China early this year.We no longer prepare a separate written report.faisal aljaberi已从阿联酋的哈利法大学拜访了我们，正在研究改进方法，以计算孔隙尺度图像的曲率和接触角，并使用结果改善我们的网络建模代码中的可润滑性表征。我们欢迎了几位新的博士生：奥拉南·阿里亚里特（Oranan Ariyarit），她将在油田中学习二氧化碳存储，并将其应用于其本地泰国的项目； Mohammed Bello who will work on reactive transport; Sasha Karabasova who is studying rate-dependent effects in flow in porous media through direct numerical simulation; and Yuxi Liang, who has transferred from Civil Engineering and is developing a pore-scale model of salt precipitation in carbon dioxide storage.As a matter of routine practice, we now make all our publications – with associated codes and data – open access.而不是整理一些论文，而是简单地提供了我们最近工作的DOI链接：这样，您可以从我们在2024年发表的大量材料中阅读您的任何兴趣。作为一开始，可以阅读一篇文章发表在《新室间杂志》首发中的文章，该文章对多孔媒体的研究需求提出了能源过渡的研究：这为未来几年中的工作提出了愿景。Of course, we have many more results and ideas to present; these will be discussed at the meeting itself.
通孔-中间 TSV 晶圆混合键合中 Cu 突起对连接电阻的影响
摘要 本研究研究了铜突起对连接电阻的影响，作为中通孔硅通孔 (TSV) 晶片混合键合的详细数据。在制备了多个具有不同铜突起量的 Cu TSV 晶片和 Cu 电极晶片并通过表面活化键合方法使用超薄 Si 膜进行键合后，通过四端测量评估了键合晶片的连接电阻（即 TSV、Cu 电极和界面电阻之和）。结果表明，Cu 突起量是中通孔 TSV 晶片与超薄 Si 膜混合键合的关键参数，通过调节 Cu 突起可以在不进行热处理的情况下实现 TSV 和 Cu 电极之间的电连接。关键词 中通孔 硅通孔(TSV) 直接Si/Cu研磨 混合键合I.引言 随着摩尔定律的放缓，带有硅通孔(TSV)[1-6]的三维集成电路(3D-IC)已经成为实现高速、超紧凑和高功能电子系统的可行解决方案。3D-IC在某些电子系统中的接受度越来越高。然而，要将3D-IC技术应用于许多电子系统，需要进一步降低TSV形成成本、实现TSV小型化和提高TSV产量。在各种TSV形成工艺中，中通孔Cu-TSV工艺可以有效减小TSV尺寸并提高TSV产量，因为该工艺易于形成(1)小TSV，并且(2)TSV与多层互连之间的电接触。然而，如果晶圆背面露出的TSV高度变化很大，则可能会发生TSV断裂或接触失效。在之前的研究中，我们提出了一种 Cu-TSV 揭示工艺，包括直接 Si/Cu 研磨和残留金属去除 [7-9]（图 1），以克服这一问题。首先，使用新型玻璃化砂轮进行直接 Si/Cu 研磨，并使用高压微射流 (HPMJ) 对砂轮进行原位清洁。由于非弹性
介电完整性和局部电气特征
摘要：提出了专门用于植入性心动过缓起搏器的硅3D阵列电容器。电容器的集成3D形是通过在硅晶片内制造高比率微孔阵列设计的。这种特殊的形状增强了介电层的发达表面，导致高电容密度，对于在这种生物医学系统中应用至关重要。基于在原子力显微镜上进行的纳米特征的过程控制，该过程用于三个主要的关键制造步骤：介电构象，介电综合性，掺杂的磷磷酸化的多晶硅孔孔孔和掺杂型的均匀性。在沉积介电层的化学启示之后，AFM地形证明了层的整合性和填充的有效性。此外，通过记录空间延伸和载体浓度，通过电扫描电容模式检查电极掺杂的描述。宏观特征显示，有关施加的电压和温度，3D模式的硅电容器的稳定性。最后，一个高积分解决方案，其中3D电容器被嵌入并夹在多层打印电路板中，通过使用薄的环氧层层次的预处理片暴露在多层印刷电路板中。