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World File Search System硅层
使用降低压力化学蒸气沉积在不强的SiO2上硅外延层的原位暗示
随着芯片结构系统的功率需求不断增长，由于其低功率泄漏，超薄体越来越重要。硅启动器（SOI）技术用于制造此类超薄平台。但是，当代的SOI过程和晶圆本身是复杂而又是典型的。在这项研究中，我们开发了一种简单的SOI制造工艺，可以使用商业实施的减少压力化学物质沉积技术在散装硅晶片的任何所需的局部实施。通过硅的选择性外延生长制造了局部SOI，它也可以在用1μm宽的硅种子区和蚀刻剂的蚀刻剂侧面横向生长，尺寸为20×100μm。局部SOI通过化学机械抛光处理至100 nm或更少的厚度，表现出高度结晶状态，这是由横截面成像和衍射模式分析，表面粗糙度分析和广泛的表型分析所确定的。局部SOI在优化的工艺条件下，表现出0.237 nm的表面粗糙度，并保持了与硅晶片相同的完美（100）晶体平面。我们在当前的本地SOI上成功制造了可重新配置的晶体管，这意味着当代硅电子可以在其自己的平台上利用SOI设备。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章
硅烯插层引起外延双层石墨烯中相当大的带隙
摘要：在双层石墨烯 (BLG) 中打开带隙对于石墨烯基电子和光子器件的潜在应用具有重要意义。本文，我们报告了通过在 BLG 和 Ru 衬底之间插入硅烯在 BLG 中产生相当大的带隙。我们首先在 Ru(0001) 上生长高质量的 Bernal 堆叠 BLG，然后将硅烯插入 BLG 和 Ru 之间的界面，这通过低能电子衍射和扫描隧道显微镜得到证实。拉曼光谱显示，插入的 BLG 的 G 和 2D 峰恢复到独立 BLG 特征。角分辨光电子能谱测量表明，BLG 中打开了约 0.2 eV 的带隙。密度泛函理论计算表明，大带隙打开是 BLG 中掺杂和波纹/应变共同作用的结果。这项工作为 BLG 中带隙打开的机制提供了深刻的理解，并增强了基于石墨烯的器件开发的潜力。关键词：双层石墨烯、带隙、协同机制、插层、硅烯 ■ 介绍
硅生命线
乌加。 Ducipiditat lanimpo restibus volupti ncidenti ullabores quid quis et atus si aborion rehendae ratibeaquis que nihilic tation。 Optatat remporpos nothing iumquo temoluptatur as aliquat as experiae estiis and ipicid molum vellorumquam or eium erissequis estis sunt re pror antorehenis adis quas dolorpo rporio omnis andamus accae essum exped and que liquodi taerchitaquo eatus que postem。和 dollam ipsantium inctemquis 核心 autes doloreh endandi pienistium estrum，sin reperro te volor sam es maximinciis endae pos ditatempore nem non pora si debit odiandit ommossi rerepudae perovit vollaccus simet accupta tibust，tem volorpos alitatium invenis isquam que nam，sero toriatquia quunture pariam exeraes tisitibus molore perrrorore verumquam quae doluptatium haruntendam，sus autem issint aut erro blaut quo et ipsam sinum hariberatem doloris ilignis deliquae con essit eos doluptas ea sequatios maioreperat。你找到有福之人了吗？他们渴望被爱和变得聪明吗？
在无模拟海马避免硅的硅试验中
背景和目的：避免海马 - 整个脑放射疗法（HA-WBRT）可能是一个耗时的过程，与常规的全脑技术相比，因此有可能限制广泛利用。因此，我们通过利用计算机断层扫描（CT）基于计算机的商业自适应放射疗法（ART）平台和工作流程来创建和交付不含患者特定于患者的无模拟HA-WBRT，通过剂量 - 体积指标和时间来评估了In In In In In In In In In inico临床可行性。材料和方法：这项研究包括了十名先前接受过具有锥束计算机断层扫描（CBCT）成像的中枢神经系统癌症治疗的患者。CBCT是模拟第一部分板载成像的自适应图像。在MRI上定义的初始轮廓与CBCT匹配。在线艺术是在第一部分制定治疗计划的。将这些无模拟计划的剂量 - 体积指标与每个患者CT仿真数据集中的标准工作流程HA-WBRT计划进行了比较。记录了自适应计划会话的定时数据。结果：对于所有十名患者，无模拟的HA-WBRT计划通过在线艺术工作流程成功地制定了所有限制。在自适应计划中，海马中位数100％为7.8 Gy（6.6 - 8.8 Gy），而标准工作流计划中的8.1 Gy（7.7 - 8.4 Gy）。由于海马约束（6/10自适应分数）和亚最佳目标覆盖范围（6/10自适应片段），所有计划都需要在第一部分进行自适应。自适应课程的中间时间为45.2分钟（34.0 - 53.8分钟）。结论：通过计划质量指标和时间安排在临床上可行的无模拟Ha-wbrt在临床上是可行的。
使用飞秒激光器对无内部增益层的 SiGe BiCMOS 单片硅像素探测器的时间分辨率
摘要：使用飞秒激光研究了为 MONOLITH H2020 ERC Advanced 项目生产的第二个单片硅像素原型的时间分辨率。ASIC 包含一个间距为 100 μ m 的六边形像素矩阵，由低噪声和非常快速的 SiGe HBT 前端电子设备读出。使用厚度为 50 μ m 的外延层、电阻率为 350 Ω cm 的硅晶片来生产完全耗尽的传感器。在测试的最高前端功率密度 2.7 W/cm 2 下，发现飞秒激光脉冲的时间分辨率对于由 1200 个电子产生的信号为 45 ps，对于 11k 个电子则为 3 ps，这大约相当于最小电离粒子产生的电荷最可能值的 0.4 倍和 3.5 倍。将结果与使用同一原型获取的测试光束数据进行比较，以评估电荷收集波动产生的时间抖动。
通过氢等离子体辅助原子层沉积超薄氧化铝实现空间调制硅界面能量学
原子层沉积 (ALD) 已迅速成为半导体行业的重要工具，因为它可以在低温下提供高度保形、可精确调节的涂层，厚度控制在亚纳米级。因此，ALD 是一种将电介质集成到先进光电子器件中的强大方法，并且对于实现新兴的非平面电子设备至关重要。[1] 特别是，可以通过 ALD 在结构化表面上保形生长的非晶态氧化铝 (AlO x ) 广泛用于半导体技术的电介质和化学钝化、[2] 跨硅 (Si) 太阳能电池界面的载流子选择性电荷转移、[3] 非平面场效应晶体管中的栅极电介质、[4] 以及扩散屏障和保护涂层。[5] 当用作 Si 场效应钝化的表面涂层时，ALD AlO x 会引入
超薄，硅氧气的转移层作为可调的生物吸收性电子系统的可调生物流体屏障
Bio/Ecoresbable Electronic Systems在可植入的医疗设备中创造了独特的机会，这些设备在有限的时间内满足需求，然后自然消失以消除对提取手术的需求。这类技术开发的一个关键挑战是，材料可以用作周围水或生物流体的薄壁垒，但最终完全溶于良性最终产品。本文描述了一类无机材料（硅硝酸盐，sion），可以通过血浆增强化学蒸气沉积在薄膜中形成。体外研究表明，sion及其溶解产物具有生物相容性，表明其在植入式设备中的使用潜力。一个简便的过程，用于制造薄弱的多层薄膜，绕过与无机薄膜的机械脆性相关的限制。系统的计算，分析和实验研究突出了基本材料方面。在体外和体内发出无线发光二极管中的演示说明了这些材料策略的实际使用。通过对化学成分和厚度的精细调整，可以选择降解速率和水渗透性的能力为获得一系列功能寿命以满足不同的应用程序要求。