执行摘要 最新技术摘要 在过去 20 年中,硅光子学已成为光子集成电路 (PIC) 的一项极具吸引力的技术,因为它直接建立在硅纳米电子领域的极度成熟基础之上。因此,它开辟了一条通往非常先进的 PIC 的道路,具有非常高的产量和低成本。更准确地说,今天,硅光子 PIC 正在 200 毫米和 300 毫米 CMOS 代工厂中以纳米级精度和可重复性进行商业化生产,这从光子学的角度来看是前所未有的。基本技术利用绝缘体上硅 (SOI) 晶圆,其中埋氧层顶部的硅层充当连接芯片上器件的波导的核心。由于硅是导光材料,氧化硅是包层,该技术可以解决波长范围约为 1 至 4 m 的应用,从而包括以 1300nm、1550nm 和 1550(+)nm(分别为 O、C 和 L 波段)为中心的非常重要的光纤光谱带。硅光子学已经成为十多家公司(其中大部分是无晶圆厂公司)用于数据中心和电信网络中高数据速率收发器产品的首选技术。总的来说,他们向市场部署了估计数百万个硅光子收发器。大约有 20 个硅光子制造平台(部分为工业平台,部分为支持原型设计和小批量制造的研究机构平台)已经建立,这些平台基于现有基础设施和源自硅电子行业的专有技术(见附录 A1)。典型平台允许集成高速调制器和高速 Ge 探测器,符号率范围为 50 至 100 Gbaud,以及用于光束组合/分裂、波长选择功能、偏振选择功能和片外耦合的高级无源功能。一些平台允许其他功能,例如与高级电子设备的集成(单片或混合)、光源的集成(异构或混合)以及面向传感的功能(例如微流体)。大多数平台的运作方式类似于代工厂:任何最终用户都可以访问它们,无论是全掩模版/全晶圆批次 (FRFL) 模式还是成本分摊多项目晶圆 (MPW) 模式,其中最终用户可以提交部分掩模版的设计,并将收到几十个处理过的芯片而不是完整的晶圆。 FRFL 模式成本高昂(数十万欧元/美元),但每芯片成本较低(每芯片约 10 欧元/美元),而 MPW 模式每设计成本更实惠(数十万欧元/美元),但每芯片成本约 1000 欧元/美元。当扩展到更高产量(例如 1000 片晶圆)时,芯片成本可降至每芯片 1 欧元/美元以下,因为固定掩模和间接成本在整个批次中摊销。当代工厂基础设施的投资已经折旧或与其他用户共享时,较低的单芯片成本也会受益。芯片代工厂向其客户提供工艺设计套件 (PDK)。这些 PDK 详细说明了给定平台的设计规则,并包含基本组件和电路库。硅光子学 PDK 的成熟度尚未达到 CMOS IC 代工厂的水平。今天,硅光子学 PDK 仅包含非常基本的构建模块库,特别是对于 MPW 操作模式。未来的硅光子学 PDK 必须包含组件和电路的紧凑模型,其参数基于经过验证的测量数据,并考虑到晶圆之间和晶圆之间的工艺变化。
电磁充当电子和光子学之间的关键桥梁,解锁了从通信和计算到传感和量子信息的广泛应用。综合的电磁方法特别是对光子学的必需电子高速控制,同时为电子产品提供了实质性的光子并行性。在薄膜锂锂光子学中的最新进展已取得了革命性的革命性进步。这项技术不仅提供了必要的强电磁耦合,而且还具有超低光损失和高微波带宽。此外,它的紧密限制和与纳米化的兼容性允许前所未有的可重构性和可扩展性,从而促进了曾经在散装系统中几乎被认为几乎不可能的新颖和复杂的设备和系统的创建。在这个平台上建立了该领域,目睹了各种开创性的电磁设备的出现1-12超过了1-6,9-12的当前状态,并引入了以前不存在3,7,8的功能。这一技术飞跃向前提供了一个独特的框架,以探索各种物理领域,包括光子非热式合成维度13-15,主动拓扑物理学16,17和量子电动镜12,18-20。在这篇综述中,我们介绍了电探针的基本原理,即基本科学与技术前沿之间的联系。我们讨论了由薄膜Niobate平台启用的综合电视的成就和未来前景。
2024 年 11 月 6 日 — 尺寸 100×100×60 颜色:白色。EA 30。估算数据发布价格版本 2024 (6) P16 东北硅砂。5 号 25 公斤/袋。5C。硅砂。EA 5。数量。建筑价格 2024 (6) P129 再生碎石再生破碎机运行。
GF-1 DNA/RNA 提取试剂盒适用于提取和纯化各式不同样品的 DNA/RNA 。 GF-1 试剂盒最主要的 GF-1 硅胶膜离 心柱能在高盐缓冲液的裂解帮助下有效地离心吸附 DNA/RNA 。硅胶膜离心柱法以及洗涤缓冲液可去除残余蛋 白质和各种杂质,让吸附在离心柱的 DNA/RNA 更进一步地被纯化。最后通过洗脱液把 DNA/RNA 洗脱下来。提 取的 DNA/RNA 可用在各种不同的后续实验。
分子电子的领域与使用分子术的使用来允许,控制和操纵两个电极之间的电气传输。[1,2]探索的基本工具是电极|分子|电极“分子连接”。[3–6]分子连接的设计与追求分子电子的早期动机对齐,这一直基于以下概念:适当设计的分子可以作为执行电路元件的基本功能的一个(或更多)。为此,执行电线功能的分子,[7]开关,[8]二极管,[9]直径,[10]晶体管,[11],[11]和高效的电阻[12] [12]及其在连接中的电特性。最近的注意力已转向分子连接的特性,这些连接范围延伸到了电气的模仿
摘要 原子层沉积(ALD)已成为当代微电子工业中不可或缺的薄膜技术。ALD 独特的自限制逐层生长特性使该技术能够沉积高度均匀、共形、无针孔的薄膜,并且厚度可控制在埃级,尤其是在 3D 拓扑结构上。多年来,ALD 技术不仅使微电子器件的成功缩小,而且还使许多新颖的 3D 器件结构成为可能。由于 ALD 本质上是化学气相沉积的一种变体,因此全面了解所涉及的化学过程对于进一步开发和利用该技术至关重要。为此,我们在本综述中重点研究 ALD 的表面化学和前体化学方面。我们首先回顾了气固 ALD 反应的表面化学,并详细讨论了与薄膜生长相关的机制;然后,我们通过比较讨论 ALD 工艺中常用的前体来回顾 ALD 前体化学;最后,我们有选择地介绍了 ALD 在微电子领域的一些新兴应用,并对 ALD 技术的未来进行了展望。
- 奥地利航天局(ASA)/奥地利。- 比利时科学政策办公室(BELSPO)/比利时。- 机器建筑中央研究所(TSNIIMASH)/俄罗斯联合会。- 北京跟踪与电信技术研究所(CLTC/BITTT)/中国/中国卫星卫星发射和跟踪控制将军/中国。- 中国科学院(CAS)/中国。- 中国太空技术学院(CAST)/中国。- 英联邦科学与工业研究组织(CSIRO)/澳大利亚。- 丹麦国家航天中心(DNSC)/丹麦。- deciênciae tecnologia Aerospacial(DCTA)/巴西。- 电子和电信研究所(ETRI)/韩国。- 欧洲剥削气象卫星(Eumetsat)/欧洲的组织。- 欧洲电信卫星组织(Eutelsat)/欧洲。- 地理信息和太空技术发展局(GISTDA)/泰国。- 希腊国家太空委员会(HNSC)/希腊。- 希腊航天局(HSA)/希腊。- 印度太空研究组织(ISRO)/印度。- 太空研究所(IKI)/俄罗斯联合会。- 韩国航空航天研究所(KARI)/韩国。- 通信部(MOC)/以色列。- 穆罕默德垃圾箱拉希德航天中心(MBRSC)/阿拉伯联合酋长国。- 国家信息与通信技术研究所(NICT)/日本。- 国家海洋与大气管理局(NOAA)/美国。- 哈萨克斯坦共和国国家航天局(NSARK)/哈萨克斯坦。- 国家太空组织(NSPO)/中国台北。- 海军太空技术中心(NCST)/美国。- 荷兰太空办公室(NSO)/荷兰。- 粒子与核物理研究所(KFKI)/匈牙利。- 土耳其科学技术研究委员会(Tubitak)/土耳其。- 南非国家航天局(SANSA)/南非共和国。- 太空和高中气氛研究委员会(Suparco)/巴基斯坦。- 瑞典太空公司(SSC)/瑞典。- 瑞士太空办公室(SSO)/瑞士。- 美国地质调查局(USGS)/美国。
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