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World File Search System硅是
在无模拟海马避免硅的硅试验中
背景和目的：避免海马 - 整个脑放射疗法（HA-WBRT）可能是一个耗时的过程，与常规的全脑技术相比，因此有可能限制广泛利用。因此，我们通过利用计算机断层扫描（CT）基于计算机的商业自适应放射疗法（ART）平台和工作流程来创建和交付不含患者特定于患者的无模拟HA-WBRT，通过剂量 - 体积指标和时间来评估了In In In In In In In In In inico临床可行性。材料和方法：这项研究包括了十名先前接受过具有锥束计算机断层扫描（CBCT）成像的中枢神经系统癌症治疗的患者。CBCT是模拟第一部分板载成像的自适应图像。在MRI上定义的初始轮廓与CBCT匹配。在线艺术是在第一部分制定治疗计划的。将这些无模拟计划的剂量 - 体积指标与每个患者CT仿真数据集中的标准工作流程HA-WBRT计划进行了比较。记录了自适应计划会话的定时数据。结果：对于所有十名患者，无模拟的HA-WBRT计划通过在线艺术工作流程成功地制定了所有限制。在自适应计划中，海马中位数100％为7.8 Gy（6.6 - 8.8 Gy），而标准工作流计划中的8.1 Gy（7.7 - 8.4 Gy）。由于海马约束（6/10自适应分数）和亚最佳目标覆盖范围（6/10自适应片段），所有计划都需要在第一部分进行自适应。自适应课程的中间时间为45.2分钟（34.0 - 53.8分钟）。结论：通过计划质量指标和时间安排在临床上可行的无模拟Ha-wbrt在临床上是可行的。
CSET - 硅扭曲
在过去五年中，中国人民解放军 (PLA) 在采用人工智能进行战斗和支援方面取得了重大进展。中国领导人普遍预计人工智能将开启军事“智能化”，其特点是无处不在的传感器网络、更频繁的机器对机器交战和更快的作战节奏。1 但解放军在人工智能和相关技术方面的进步很大程度上取决于能否继续获得一类特殊的半导体——人工智能芯片——这些芯片用于训练先进的机器学习系统。通过分析解放军部队和国有国防企业在 2020 年授予的 24 份公共合同，本政策摘要对中国军方如何获得这些设备进行了有限但详细的分析。
硅锗异质结双极晶体管
晶体管诞生 75 周年（从“跨阻放大器”缩写为“跨阻器”再缩写为“晶体管”）。时光飞逝。这是一个非凡的量子物理学小片段。2022 年，晶体管将像病毒一样大小，速度几乎与光速一样快，而且重要的是，它们巧妙地拥有放大这一独特黄金属性，可使微小的电压和电流变得更大。到 2022 年，地球上将有超过 10 24 个晶体管，这得益于摩尔定律所体现的令人瞠目结舌的指数增长模式。晶体管在现代生活中无处不在，无论技术提供者还是消费者是否看到它们。当然，“晶体管”一词应该添加到地球上每个人的词汇表中。同样，从智能手机到汽车、飞机、互联网、GPS，所有现代技术，如果从地球上消失，无一例外都会立即停止运行。事实上，就其对人类文明轨迹的影响而言，人们可以公平地说，晶体管的发明是人类历史上最重要的发现。这话很大胆，但有理有据 [1]。1947 年底，巴丁和布拉顿在贝尔实验室使用点接触装置首次观察到了晶体管的作用。这次固态放大器的演示在历史记录中也是独一无二的，因为我们可以精确地定位它——1947 年 12 月 23 日下午 5 点左右。正是在那一刻，世界发生了不可逆转的变化。新泽西州默里山正下着雪。肖克利不甘示弱，到 1948 年 2 月，“晶体管三人组”中的第三位成员肖克利开发出了晶体管。
硅 - 基于锂离子电池的阳极
摘要：维持基于硅的阳极的物理完整性，该阳极受到骑自行车期间严重变化造成的损害，这是其实际应用的重中之重。通过将纳米座粉与硅片与锂离子电池（LIBS）制造阳极（libs）的阳极（LIBS）的阳极（LIBS）混合，从而显着改善了基于硅粉的阳极的性能。纳米 - 膜粘附在硅片的表面上，并分布在薄片之间的粘合剂中。借助丰富的反应性表面连锁官能团和暴露的纳米原子悬挂键，促进了一致且坚固的固体电解质相（SEI），从而促进了硅片和阳极的物理完整性的增强。因此，电池的高速放电能力和循环寿命得到了改善。sem，拉曼光谱和XRD检查阳极的结构和形态。电化学性能在200个周期后评估了近75％的能力保留，在4 mA/cm 2的测试电流下，最终的特异能力超过1000 mAh/g。这归因于通过在阳极中将纳米座和硅片整合到纳米座中实现的固体电解质相（SEI）结构的稳定性，从而实现了增强的循环稳定性和快速的电荷 - 电荷 - 递送性能。这项研究的结果提出了一种有效的策略，即通过在基于硅 - 弗拉克的阳极中添加纳米座量来实现高循环表现。
硅光子学
• A large range of world-class pre-industrialization facilities • High level multidisciplinary expertise and services • A Large portfolio of background IPs • Lower risks in developing breakthrough solutions • Customized innovation projects • A clear intellectual property policy to provide competitive advantage • A complete ecosystem: startups, industrial partners along the whole value chain • Coordination of world-class European projects
TUe 硅激光器
过去 50 年来，世界各地的研究人员一直在寻找制造硅基或锗基激光器的方法。埃因霍温工业大学 (TU/e) 和慕尼黑工业大学 (TUM) 的研究团队与耶拿大学和林茨大学的同事合作，现已开发出一种可以发光的硅锗合金（EMT Fadaly 等人，《六方 Ge 和 SiGe 合金的直接带隙发射》，Nature vol580，p205（2020 年 4 月 8 日）；DOI：10.1038/s41586-020-2150-y）。因此，人们认为，开发能够集成到现有芯片中的硅激光器首次指日可待。硅通常以立方晶格结晶，由于具有间接带隙，这种形式不适合将电子转换为光。研究团队迈出的关键一步是能够利用具有六方晶格的锗和硅生产锗和合金。“这种材料具有直接带隙，因此可以自行发光，”慕尼黑工业大学半导体量子纳米系统教授乔纳森·芬利 (Jonathan Finley) 说道。
