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World File Search System硅是
基于硅的 3D 锂离子微电池...
物联网 (IOT) 领域中可穿戴设备、智能电子产品和医疗植入物等小型电子设备的市场日益增长，这需要合适的储能设备。锂离子电池 (LIB) 目前是微电子领域的首选电池，因为它们具有较高的重量能量 (W h kg 1 ) 和体积能量 (W hl 1 )。1 然而，传统设计的 LIB（即袋式、棱柱形、圆柱形）难以小型化。另一方面，超级电容器和薄膜电池可以小型化，并且已经用于微电子设备，但却以牺牲能量密度为代价。2 – 5 对于薄膜电池，可以通过实现 3D 结构阴极来提高能量和功率密度。6,7 增材制造微电池是一种很有前途的技术，可以解决与电子设备的集成问题，并且具有
朝硅光子学4.0
• Most manufacturing and product companies in the field of silicon photonics are US based or SE/E-Asia based • The EU has very strong R&D players in silicon photonics • India is building up strong R&D capacity in silicon photonics • The field is diversifying quickly (new materials, technologies, markets) • The diversity will bring opportunities for both EU and India • Cooperation may be key in this context
碳和硅杂质缺陷
摘要：硝酸盐（GAN）中的缺陷单光子发射器（SPE）近年来由于其提供的优势而引起了人们的关注，包括在室温下操作，狭窄的排放线宽和高亮度。尽管如此，由于可能在GAN中形成的许多潜在缺陷，单光子发射机制的确切性质仍然不确定。在这项工作中，我们对从头算计算进行的系统研究表明，碳和硅作为氮化碳中的常见掺杂剂可以与GAN中的固有缺陷相互作用，并形成新的高速缺陷单光子来源。我们的发现确定了三元缺陷n ga v n c n，其寿命短于1 ns，而小零光子线（ZPL）为864 nm。换句话说，此缺陷可以用作短波长窗口中的高速单光子源进行纤维通信。在尖锐的对比度中，Si支持的缺陷N GA V n Si N具有较高的无占缺陷能水平，该缺陷能水平进入传导带，因此不适合单个光子发射。已经对潜在的缺陷，热稳定性和单光子发射特性进行了系统的研究。分别采用了perdew-burke-ernzerhof交换相关功能和HEYD-SCUSERIA-ERNZERHOF交换相关功能的放松计算和自洽计算。这些发现表明了通过碳或硅掺杂剂的高性能单光子来源的潜力。
创建二维硅碳化物
通过将碳和硅添加到碳化物表面上，我的论文揭示了一种创建二维碳化硅碳化物的新方法，这种材料可能导致更有效的电子设备。如大多数人所知道的那样，今天的电子产品严重依赖硅。为了改善我们的设备，这些硅电子设备已变得越来越小，但现在已经达到了极限。想象一下，如果不使用庞大的三维结构，我们可以使用堆叠在一起的超薄原子。这些床单被称为二维（2D）材料，自2010年获得诺贝尔奖获奖石墨烯以来就引发了一波研究。石墨烯是一层碳原子，向我们展示了2D材料可以彻底改变技术，但它有局限性。例如，石墨烯没有带隙，这对于控制计算机等设备中的电流至关重要，我们需要清除开/关状态（例如管理汽车流量的交通信号灯）。此频段间隙对于创建二进制二进制（电流）和零（无电流）是计算机逻辑的基础至关重要。带有带隙的材料称为半导体，具有直接带隙的材料对于LED，激光器和太阳能电池等设备特别有用。直接带隙就像是一条井井有条的道路，在交通信号灯处停止后，允许汽车平稳，高效地加速，而间接的频段隙就像是一条扭曲的道路，使汽车需要更长的时间才能达到全速。建立在这一发现的基础上，我的目标是直接在TAC水晶上创建2D SIC。在我的研究中，我专注于创建一种新的2D材料：碳化硅（SIC），将硅原子和碳原子组合成单层。科学家认为，2D SIC可能是一个改变游戏规则的人，因为它具有直接的乐队差距，但使其非常具有挑战性。最近，一个突破表明，在顶部加热用薄薄的碳化物（TAC）加热碳化硅晶体可以帮助形成2D SIC。通过将碳和硅添加到加热的TAC表面，我成功形成了2D SIC。这种方法使我可以更好地控制编队过程，并更深入地了解2D SIC的成长方式。另外，通过调整碳的量，我可以在2D SIC的顶部创建石墨烯层。石墨烯的稳定性提高了将其用作2D SIC上的保护层的令人兴奋的可能性。未来的研究可以探索这种可能性。最重要的是，我的作品展示了一种创建2D SIC的新方法，使其更接近被用于下一代电子和光学设备。这可能会导致更快，更高效的技术，继续我们用硅取得的进步，但将其提升到一个新的水平。
Silicontech-硅技术研究所
2021年4月至6月的季度开始，首先是第一年的学生，这是第一次来校园。不幸的是，由于政府施加了锁定而与第二浪浪潮作斗争，这种兴奋是短暂的。，我们通过课堂设置回到了混合教学模式，并继续教学过程。课程和暑期实习计划在线完成，包括结束学期考试。一项关于“电力电子高级控制技术”，“硅技术2021”的STTP - 针对学生的全国性在线海报演示竞赛，以及本季度的“ 5G技术” FDP也进行了。第二波的共同浪潮使硅家族的成员留下了深刻的伤痕。我们的几个学生和工作人员都输给了Corona。我们的咨询心理学家一直在与学生和员工进行情感康复的不懈努力。该研究所还采取了行动，为失去了唯一的家庭成员的学生安排各种来源的财政支持。由BMC在Silicontech校园设立的驱动式疫苗接种中心已被认为是社区中最好的中心之一。还组织了专门为学生和员工的特殊疫苗接种驱动器。直到大流行状况过去，让我们保持安全，照顾我们的健康，并保持我们对卓越的承诺。
微机械硅静电Chuck
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在硅氧基硅烷基硅胶和体外筛选中基于吡咯的夹层...
虚拟筛选正在作为一种高度应用的技术出现，并作为广泛使用的搜索和识别潜在命中的方法获得了突出，与高插入率筛选相比，发现了发现新颖和有效的化合物所需的时间。最近，与单个软件对接相比，具有多个程序的模拟优越性已被解散。这项工作的目的是应用共识对接，分子力学/广义出生表面积（MM/GBSA）游离结合能量重新计算，并在最近合成的基于吡咯的内部基于吡咯的夹层 - 氢氮化物区域的内部数据集中进行体外评估，以搜索新型乙酰基烯基烯酶（ACHETYLCHOLCHOLINERTERASE）（ACHEER）（ACHEE）。使用了两个许可的软件 - 金5.3和滑行，用于虚拟筛选，并确定了几个化学治疗势命中率。此外，还提供了MM/GBSA的无结合能重计重估算以增强硅成果中的鲁棒性。前十名基于吡咯的氢氮化物hydrazones的MM/GBSA得分范围从-60.44到-70.93 kcal/mol。随后对最高排名化合物的体外评估表明，12D表现出最高的ACHE抑制活性，抑制速率为55％，浓度为10μM。此外，这种基于吡咯的ACHE抑制剂与酶的活性位点形成了稳定的复合物。与活性氨基残基Tyr72和Tyr286的相互作用表明12D位于酶的外围阴离子位点附近。此外，在使用Qikprop进行的硅ADME研究中，12D具有最佳的药代动力学特性。总而言之，这项研究通过计算和实验发现的结合确定了一种新型基于吡咯的ACHE抑制剂12D。
开发基于硅离子电池的基于硅的阳极及其在固态电解质中的应用
doi：https：//dx.doi.org/10.30919/es1060锂离子电池的基于硅的阳极开发及其在固态电解器Yifei Zhou，1 Wenfan Feng，1 Wenfan Feng，1 Yanbin Xu Xu 1，* Yanbin Xu Xu Xu 1，* Xingang Liu，* Xingang Liu，1 Zhiai Weqiia，1 Zhiai wangang，1 Zhi wangang，1 Zhi wang， Burcar，2 Zhe Wang 2，*和Zhenglong Yang 1，*抽象的锂离子电池（LIBS）由于其高能密度，较大的工作温度范围，高工作电压以及良好的安全性和循环稳定而广泛用于日常生活的各个方面。阳极是锂离子电池的重要组成部分，可以存储和释放锂离子。因此，选择阳极对改善电池性能的关键影响。基于硅的阳极预计将是下一代高性能锂离子电池的阳极材料，这是由于其高理论特异性能力和其他优势。然而，锂过程中硅的体积变化和诱导的SEI的不稳定性对硅阳极的发展构成了巨大的挑战。本文回顾了锂离子电池中硅阳极的开发，系统地介绍了基于硅的材料作为阳极所带来的挑战和改进方法，并研究了硅阳极在固态电解质中的应用。最后，关于锂电池的硅阴极的未来开发的一些看法。