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World File Search System硅是
英特尔俄勒冈州：硅森林
社区学院、Worksource、华盛顿县和希尔斯伯勒市通过为期两周的快速启动计划开展工作，该计划包括为未来的技术人员提供加速职业准备和实践学习。快速启动旨在增加该领域代表性不足的群体和女性的机会。截至 2024 年 10 月，已有 27 个快速启动班毕业，超过 200 名毕业生从该计划中受聘。
硅技术和组件 - CEA-Leti
在 CEA Tech 和 Leti 内部，硅技术和组件研究活动由两个部门共同承担，共有约 600 名研究人员：硅技术部门开展创新工艺工程解决方案和研究，全年 24/7 全天候运营，7,500 平方米的先进洁净室空间分为三个不同的技术平台。硅组件部门开展纳米电子和硅异质集成研究，重点关注两个主要领域：CMOS 器件的不断缩小，以扩展摩尔定律，实现更快、更便宜的计算能力，以及将新功能集成到 CMOS 中，例如传感器、功率器件、成像技术和新型内存，以实现新应用。本手册包含 47 份一页的研究摘要，涵盖了我们硅器件和技术部门重点领域的进展，重点介绍了 2015 年取得的新成果。
从 KCl 电化学合成纳米硅——...
本书章节 用 KCl–K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于高功率锂离子电池 Timofey Gevel 1,2、Sergey Zhuk 1,2、Natalia Leonova 1、Anastasia Leonova 1、Alexey Trofimov 1,2、Andrey Suzdaltsev 1,2* 和 Yuriy Zaikov 1,2 1 俄罗斯乌拉尔联邦大学电化学器件与材料科学实验室 2 俄罗斯科学院乌拉尔分院高温电化学研究所 *通讯作者：Andrey Suzdaltsev，乌拉尔联邦大学电化学器件与材料科学实验室，Mira St. 28, 620002 叶卡捷琳堡，俄罗斯 2022 年 4 月 12 日出版 本书章节是 Andrey Suzdaltsev 等人发表的文章的转载al. 于 2021 年 11 月在 Applied Sciences 上发表。 （Gevel, T.；Zhuk, S.；Leonova, N.；Leonova, A.；Trofimov, A.；Suzdaltsev, A.；Zaikov, Y. 通过 KCl-K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于强效锂离子电池。应用科学。2021，11，10927。https://doi.org/10.3390/app112210927） 如何引用本章：Timofey Gevel、Sergey Zhuk、Natalia Leonova、Anastasia Leonova、Alexey Trofimov、Andrey Suzdaltsev、Yuriy Zaikov。通过 KCl-K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于强效锂离子电池。收录于：应用科学主要档案。印度海得拉巴：Vide Leaf。2022 年。© 作者 2022 年。本文根据知识共享署名 4.0 国际许可条款分发（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），该许可条款允许
氨基硅烯 (HSiNH2
摘要：氨基硅烯分子（HSiNH 2 ，X 1 A ′） 是不饱和氮硅烯的最简单代表，它是在单次碰撞条件下通过气相基元反应形成的，反应涉及硅基自由基（SiH）和氨（NH 3 ）。反应由硅基自由基无势垒加成到氮的非键合电子对上引发，形成 HSiNH 3 碰撞复合物，然后通过从氮原子中失去氢原子，单分子分解为氨基硅烯（HSiNH 2 ）。与等价氨基亚甲基卡宾 (HCNH 2 , X 1 A ′ ) 相比，通过用硅取代单个碳原子，对等价甲亚胺 (H 2 CNH) − 氨基亚甲基 (HNCH 2 ) 和氨基硅烯 (HSiNH 2 ) − 硅亚胺 (H 2 SiNH) 异构体对的稳定性和化学键产生了重大影响；例如，卡宾与硅烯的热力学稳定性逆转了 220 kJ mol − 1。因此，发现第十四主族元素硅的等价性与原子碳几乎没有相似性，不仅对反应性而且对热化学和化学键也表现出显着影响。
基于硅的异质结构设备和电路
课程说明微电动设备和电路设计师长期以来一直在寻求结合带隙工程提供的卓越运输特性和设计灵活性（如在GAAS和INP等复合半导体中常规实践），以及高产量和较低的常规硅（SI）制造成本。随着介绍外延硅果（Sige）合金，这一梦想终于成为现实。SIGE异质结双极晶体管（SIGE HBT）是在SI材料系统中实现的第一个实用带段的实用设备。The first functional SiGe HBT was demonstrated in 1987, and the technology has matured rapidly, at present achieving a unity-gain cutoff frequency above 700 GHz, circuit delays below 2 picoseconds, and integration levels sufficient to realize a host of record-setting digital, analog, RF, mm-wave, and sub-mm-wave circuits.自然兼容，将SIGE HBT与最佳的SI CMO组成以形成SIGE HBT BICMOS技术，这显然适合于解决新兴的性能受限，高度集成的系统，目前正在商业和国防部门在全球范围内追求。
储能的未来 - 硅纳米技术
一旦锂离子技术进入市场，其更高的性能使其成为镍金属氢化物的优质选择。首先，成本在大多数应用中都令人难以置信，但是随着细胞制造开始扩展，李开始经历了巨大的绩效改进时期，加上降低成本，从90年代后期开始。成本提高在2000年中期放缓，因为最常生产的18650型号不受欢迎，每个新小工具的定制小袋细胞更加昂贵，随着钴和镍价格暂时上涨。，但由于电动汽车发货的巨大规模推动了2010年的累积历史产量，因此再次降低了成本。受到斯旺森法律的启发，2,3跟踪和预测了太阳能成本的巨大下降，我们从无数数据源中汇编了数据，以及我们自己的行业经验，以进行历史外观，并进行预测，其中锂离子技术的成本将随着规模而言。尽管生产的速度越来越快，但近期成本曲线的变平仍表明，基本锂离子化学的体积缩放范围不仅仅是继续降低电池成本并加速电动汽车的采用。我们需要创新才能达到到2030年到达1亿辆电动汽车的目标（图3）。