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World File Search System硅晶体
通过静水称重进行高精度密度测定的程序
可获得更可重复的结果。讨论了单盘双刀天平的操作，并建议进行简单的修改以使其适应静水工作。提出了一种数据哲学，它特别适用于现在正在开发的用于静水工作的新一代测力仪器。提出了一个简化的空气密度公式和一个估计水密度日常变化的公式。附录中介绍了一种简单的平衡校准程序，并描述了制造悬挂线和样品表面脱气的简化方法。通过对硅晶体的测量说明了这些技术的使用，这些测量表明该过程的标准偏差可重复性约为百万分之一。
太阳能光伏发电概述.pdf
Matrifit 已知只有少数材料（经过特殊处理的半导体）能够以合理的效率显示 PV 效应（参见下方方框中的“太阳能电池”条目）。大多数商用 PV 模块都基于从高品位硅单晶或多晶锭上锯下的薄片。单晶锭以“批量”工艺生长。尽管该方法速度慢且耗能大，但它可以生产出具有良好转换效率（通常为 12% 到 17%）的电池。多晶 PV 材料由较不费力的方法制成，即从许多小硅晶体铸造锭，转换效率通常略低。如果封装并得到适当的护理，这两种材料的性能都不会降低。图 1 显示了晶体硅如何生产成 PV 模块。
1. 描述导致绩效的八个想法......
（绝缘体和开关） 硅晶锭：是由直径为 8 至 12 英寸、长度约为 12 至 24 英寸的硅晶体组成的棒。 切片机：这些圆柱体被切成薄片 毛坯晶圆：这些圆柱体是高度抛光的晶圆，厚度不到四十分之一英寸。 20 到 40 个处理步骤：晶圆要经过多步光刻工艺，电路所需的每个掩模都要重复一次。每个掩模定义组成完整集成电路的晶体管、电容器、电阻器或连接器的不同部分，并定义制造器件的每个层的电路图案。 图案化晶圆：晶圆上的图案与掩模的精确设计一致
粒子通道精细结构的观察...
利用 Mainz Microtron MAMI 新开发的 530 MeV 正电子束和弯曲硅晶体，我们首次成功通过平面通道和体积反射高效操纵正电子轨迹。这揭示了带电粒子在弯曲晶体平面之间通道时，其角分布中存在精细结构。我们的实验结果与模拟结果的一致不仅表明对带电粒子束和弯曲晶体之间相互作用的理解更加深刻，而且标志着在 GeV 范围内运行的圆形加速器中慢速提取创新方法开发的新阶段，对全球加速器都有影响。我们的研究结果还标志着通过周期性弯曲晶体中的通道过程生成先进 x 射线源的重大进展，这源于对正电子束和此类晶体之间相互作用的全面理解。
用于集成在电子集成电路上方的光子层的 CMOS 兼容沉积材料
摘要 — 近年来，硅光子学引起了越来越多的关注，主要用于微电子电路或生物传感应用中的光通信光互连。主要在绝缘体上硅平台上制造的用于 CMOS 兼容制造的基本无源和有源元件（包括探测器和调制器）的开发已达到如此高的性能水平，以至于应该解决硅光子学与微电子电路的集成挑战。由于晶体硅只能从另一个硅晶体中生长，因此无法在这种状态下沉积，因此光学器件通常仅限于单层。另一种方法是使用后端 CMOS 制造工艺在 CMOS 芯片上方集成光子层。本文讨论了用于此目的的各种材料，包括氮化硅、非晶硅和多晶硅。关键词 — 硅光子学、CMOS、集成。
针对软错误的架构设计
1 简介 1 1.1 概述 1 1.1.1 软错误的证据 2 1.1.2 软错误的类型 3 1.1.3 减轻软错误影响的经济有效的解决方案 4 1.2 故障 6 1.3 错误 7 1.4 指标 9 1.5 可靠性模型 11 1.5.1 可靠性 12 1.5.2 可用性 13 1.5.3 其他模型 13 1.6 互补金属氧化物半导体技术中的永久性故障 14 1.6.1 金属故障模式 15 1.6.2 栅极氧化物故障模式 17 1.7 CMOS 晶体管中的辐射诱发瞬态故障 20 1.7.1 阿尔法粒子 20 1.7.2 中子 21 1.7.3 阿尔法粒子和中子与硅晶体的相互作用 26 1.8 阿尔法粒子和中子撞击的架构故障模型 30 1.9 静默数据损坏和检测到的不可恢复错误 32 1.9.1 基本定义：SDC 和 DUE 32 1.9.2 SDC 和 DUE 预算 34
A6-8 邀请 - NIST 的 TSAPPS
摘要；阿伏伽德罗常数与质量单位和各种基本物理和电常数有关，是精确测量分子质量的必要条件。由于半导体技术的最新成功，硅元素因其晶体中近乎完美的原子结构而成为精确测量的通用参考材料的可能候选者。使用硅晶体确定阿伏伽德罗常数的项目是世界标准组织研究的主题，具有历史意义。国家医学研究实验室的团队刚刚开始使用 1 千克完美硅球的长期项目的最后阶段。它使用光学干涉仪测量球体的直径，并使用国家千克标准测量其质量，从而得到球体的宏观密度。它还测量了由相同硅锭制成的 X 射线干涉仪的晶格间距。后者将与与比利时 CBNM. Geel 合作确定的平均原子质量相结合，得出微观密度。这两个密度之间的等效性提供了阿伏伽德罗常数。目前声称的测量精度为体积 O.3ppm、质量 O.05ppm、晶格间距 Ippm。该项目对相应测量的目标精度将提供总不确定度小于 0.3ppm 的阿伏伽德罗常数。 lut 修订于
故事
通过传统冶金法（在熔体中生长的过程）和核嬗变法（硅同位素在捕获热中子的过程中发生变化）研究了掺杂磷的n型硅晶体。嬗变合金化与冶金合金化方法的根本区别在于，合金杂质不是从外部引入到源材料中，而是在辐照过程中直接从被合金材料的原子中形成的。为了退火辐射缺陷并激活磷-31原子（该原子在硅块中仅在晶格位置表现出施主特性），先对嬗变掺杂的硅进行 850°C 温度下 2 小时的技术退火，然后再进行热处理并以不同的速率进一步冷却。揭示了热退火时间和从退火温度到室温的冷却速度对通过熔体掺杂和核嬗变方法掺杂的n-Si〈P〉晶体的结构和电物理特性变化的影响。经过 2 小时的高温退火以及随后的快速冷却后，检测到了嬗变掺杂 Si 晶体中出现位错。研究发现，无论采用何种磷掺杂方法，对Si样品进行72小时的高温退火，均能在慢速和快速冷却过程中促进深施主中心的产生，并显著降低载流子的浓度。
![arxiv：2502.02606v1 [CS.OH] 2025年2月1日](/simg/g:\will\search\icon\source\4\43a0a25d75041d38d927de1a8c18a665a57c24b6.webp)
arxiv：2502.02606v1 [CS.OH] 2025年2月1日
摘要。随着计算能力的进步，半导体制造和操作的环境成本已成为关键的关注。但是，当前的可持续性指标无法量化现代处理器的基本构件晶体管一级的碳散发。本文引入了每个晶体管（CPT）for-mula的碳，这是一种新颖的方法和绿色实施度量，以测量从制造到寿命末期的半导体芯片的CO 2足迹。通过整合硅晶体生长，晶圆生产，芯片制造和运营功率耗散的排放，CPT公式为评估计算硬件的维持能力提供了科学严格的基准。使用Intel Core i9-13900k，AMD Ryzen 9 7950x和Apple M1/M2/M3处理器的现实世界数据，我们揭示了令人震惊的见解 - 制造的排放占主导地位，贡献了60-125千克CO 2，每CPU，远远超过了超过典型设备的运营装置。值得注意的是，尽管具有广泛的制造影响，苹果的高晶体管计数M系列芯片尽管能源效率，但与传统处理器相比，其碳足迹明显更大。这项研究为绿色计算计划建立了一个关键参考点，使行业领导者和研究人员能够在减少半导体相关的排放中做出数据驱动的决策，并为信息技术过程的绿色因素提供正确的时间。所提出的公式为可持续计算中的碳吸引芯片设计，监管标准和未来创新铺平了道路。
电动汽车电动传输的先进技术
摘要：无线充电是一种使用电磁场通过电磁诱导传输能量的一种充电方法。通过相互诱导的过程在设备（发射器和接收器）之间传递能量。来自太阳能的功率作为输入发射器电感线圈的输入，接收器电感线圈接收电源并将其转换为电流以给电池充电。太阳能电池板将太阳能转换为电力。他们使用光电效应的概念，当光落在太阳能电池板上时电子的发射。太阳能电池板由硅细胞组成，硅具有原子编号14。当光落在硅细胞上时，硅的最外部电子即两个电子设置为运动。这引发了电流。硅具有两种不同的细胞结构：单晶和多晶单晶太阳能电池板是由一个大硅块制造的，并以硅晶片格式制成。多晶太阳能电池也是硅细胞，它们是通过将多个硅晶体融合在一起而产生的。使用吸引人的回响的无线电力传输（WPT）是创新，它可能使人免于刺激性的电线。的确，WPT具有类似的基本假设，该假设刚刚创建了30年的归纳功率交换一词。最近，WPT创新在控制水平上正在迅速增长。使WPT对固定和动态充电情况的电动汽车（EV）充电应用非常有用。该项目调查了WPT中远程充电的进步。通过在电动汽车中呈现WPT，充电系统可以有效缓解。电池创新在电动汽车的大众市场入口中再也没有相关。信任的是，专家可以得到前沿成就的支持，并像EV的扩展一样推动WPT的进一步改进。