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第25 届电子封装技术国际会议
车博士曾 4 次获得最佳国际会议论文奖 (EPTC2003 、 EPTC2013 、 Itherm2006 、 ICEPT2006) 。 他合着了一本书，并在先进微电子封装领域的同行期刊和会议论文集上发表了 170 多篇技术论文。他拥有 11 项 已获授权或正在申请的美国专利。 他的研究兴趣包括先进封装的可靠性设计、铜线键合、硅通孔 (TSV) 技术、扇出型晶圆级 / 皮肤级封装、有限元 建模与仿真、微电子封装材料特性、物理驱动和数据驱动的机器学习方法，用于先进封装技术的快速技术风险评 估。 车博士担任 35 多个国际科学期刊的同行评审员，例如 J. of Materials Science 、 J. of Electronic Materials 、 J.Materials and Design 、 Materials characterization 、 Microelectronics Reliability 、 IEEE Trans.on CPMT 、 IEEE Trans.on DMR 、 International J. of Fatigue 、 J. of Alloys and Compounds 、 J. of Micromechanics and Microengineering 等。 车博士连续四年（ 2020 年至 2023 年）被斯坦福大学评为全球前 2% 科学家。 他是 IEEE 高级会员。
300 毫米硅光子学的异质集成...
引言硅光子学和三维 (3-D) 集成是实现更高性能计算设备的新兴技术。与传统电互连相比，使用光子元件的几个主要优势是更低的功耗、更低的延迟和更高的带宽。此外，硅光子学与当前的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 技术完全兼容，这使得可以直接过渡到集成电路 (IC) 制造 [1-4]。3-D IC 技术通过晶圆（或芯片）堆叠实现了硅光子学与传统 CMOS 技术的异构集成 [5-9]。异构晶圆堆叠是通过直接氧化物晶圆键合和称为氧化通孔 (TOV) 的 3-D 互连来实现的。直接氧化物晶圆键合为下游处理提供了强大的物理系统，并实现了高吞吐量的可制造性。此外，与传统的硅通孔 (TSV) 相比，后通孔方案中集成的 TOV 对 Si 光子学至关重要，因为它们的通孔电容较低，在此工艺中测得每个通孔的电容为 1.45 fF，从而
功率器件 | 提高生产率和产量
在背面金属化之前，晶圆会被减薄，因为基板是设备的功能部分。300 毫米/12 英寸晶圆要么减薄到约 200 微米厚，要么遵循所谓的 Taiko 晶圆研磨原理。在后一种情况下，硅晶圆由一个外部 Taiko 环和减薄的硅膜组成。对于 300 毫米/12 英寸晶圆，该膜会根据设备电压等级减薄到 60、90 或 120 微米。薄基板的热容量低，因此需要严格控制工艺温度。沉积过程中的温度对固有薄膜应力有显著影响。为了最大限度地减少晶圆弯曲，必须最大限度地减少金属层堆栈引入的应力。CLUSTERLINE® 采用特殊的卡盘设计，可控制晶圆温度而不会损坏正面。在标准应用中，使用凹陷卡盘配置。在这种经典设计中，晶圆在沉积过程中位于外环上，从而防止与设备表面接触。然而，尽管凹陷式卡盘是一种经济高效的解决方案，但由于缺乏主动卡盘，热耦合受到限制。因此，对于需要更严格温度控制的应用，独特的 BSM-ESC（用于背面金属化的静电卡盘）是首选。
1. 描述导致绩效的八个想法......
（绝缘体和开关） 硅晶锭：是由直径为 8 至 12 英寸、长度约为 12 至 24 英寸的硅晶体组成的棒。 切片机：这些圆柱体被切成薄片 毛坯晶圆：这些圆柱体是高度抛光的晶圆，厚度不到四十分之一英寸。 20 到 40 个处理步骤：晶圆要经过多步光刻工艺，电路所需的每个掩模都要重复一次。每个掩模定义组成完整集成电路的晶体管、电容器、电阻器或连接器的不同部分，并定义制造器件的每个层的电路图案。 图案化晶圆：晶圆上的图案与掩模的精确设计一致
3.4 迈向硅代工厂兼容、高性能、0.25 微米栅极、高阻 200 毫米硅上的 GaN MMIC 工艺，采用 Cu 镶嵌 BEOL
在高电阻率 200 mm <111> Si 上采用 Cu 大马士革 BEOL 工艺开发与 Si 代工厂兼容的高性能 ≤0.25 µm 栅极 GaN-on-Si MMIC 工艺 Jeffrey LaRoche 1 、Kelly Ip 1 、Theodore Kennedy 1 、Lovelace Soirez 2 、William J. Davis 1 、John P. Bettencourt 1 、Doug Guenther 2 、Gabe Gebara 2 、Tina Trimble 2 和 Thomas Kazior 1 1 Raytheon IDS Microelectronics，362 Lowell St.，Andover，MA 01810 电子邮件：jeffrey_r_laroche@raytheon.com 电话：(512)-952-2927 2 Novati Technologies, Inc.，2706 Montopolis Drive，Austin，TX 78741 关键词：GaN、HEMT、硅、MBE、大马士革、200 mm 摘要 雷神公司正在开发一种 200 mm GaN on Si MMIC 工艺，该工艺适用于独立的高频 MMIC 应用，以及与 Si CMOS、SiGe BiCMOS 和其他 III-V 族的异质集成。在之前的 100 mm 和 200 mm GaN-on-Si 工作 [1-5] 的基础上，这项工作报告了在完全集成的 MMIC 方面取得的进展，以及在 200 mm 直径的 Si 晶片上实现世界上第一个 X 波段 GaN 0.25 µm 功率晶体管。这种 GaN-on-Si HEMT 在 V d = 28 V 时可提供 4.7 W/mm 的功率和 9 dB 的增益，PAE 为 49%。晶圆由商业 CMOS 代工厂 Novati Technologies 制造，采用完全减成、无金、类硅的制造方法。简介 在过去十年中，氮化镓 (GaN) 在电力电子以及高功率密度和高线性度 RF 应用中引起了广泛关注。很显然，200 mm 硅基 GaN 晶圆的大规模商业化生产将由电力电子应用推动。然而，随着这些应用开始填充 200 mm 代工厂，高性能硅基 GaN RF MMIC 应用将自然跟进，并利用大直径晶圆和背景晶圆体积来降低 RF IC 的成本。除了在 200 mm 晶圆上制造的硅基 GaN MMIC 的成本优势之外，与芯片到晶圆方法相比，大直径晶圆制造还为 GaN HEMT 与硅 CMOS 的异质集成（以实现附加功能）提供了优势。虽然与芯片到晶圆集成兼容，但 200 毫米 GaN IC 与 200 毫米 CMOS 的晶圆到晶圆异质集成在缩短互连长度和提高高密度、高性能 IC 产量方面更有前景。为了促进未来成本、产量和功能的改进，雷神公司正在高电阻率 200 上开发亚微米（≤0.25 µm 栅极）GaN-on-Si MMIC 工艺
芯片级评论 5 月
硅光子学已成为一个有前途的平台，可满足下一代数据中心、先进计算以及 5G/6G 网络和传感器对高速数据传输、低功耗和低延迟日益增长的需求。硅光子学市场在过去几年中大幅扩张，预计未来五年的复合年增长率 (CAGR) 将达到 26.8% [1]。尽管通过使用标准半导体量产工艺和现有基础设施，硅光子学的晶圆制造能力已经非常先进，但硅光子学的封装和测试仍然落后，缺乏生产可扩展性，这限制了硅光子学的更广泛部署。本文介绍了光子凸块技术，这是一种新的晶圆级光学元件实现，具有可扩展的封装和测试能力。光子凸块相当于电焊凸块，有可能将硅光子学与标准半导体晶圆制造和封装线结合起来，从而弥合硅光子学向大批量制造的差距。
有机碱催化苯基硅橡胶的合成与阻尼性能研究
1 魏思奇 , 余双舰 , 吴思武 , 唐征海 , 郭宝春 , 张立群 .基于功能性橡胶颗粒集成的宽温域橡胶阻尼材料 .高分子学报 , 2024 , 55(3), 338 - 348.2 Sun, T. L.; Gong, X. L.; Jiang, W. Q.; Li, J. F.; Xu, Z.B.; Li, W. H. Study on the damping properties of magnetorheological elastomers based on cis -polybutadiene rubber.Polym.Test , 2008 , 27(4), 520 - 526.3 Prasertsri, S.; Rattanasom, N. Mechanical and damping properties of silica/natural rubber composites prepared from latex system.Polym.Test , 2011 , 30(5), 515 - 526.4 Liu, C.; Fan, J.; Chen, Y.Design of regulable chlorobutyl rubber damping materials with high-damping value for a wide temperature range.Polym.Test , 2019 , 79, 106003.5 Soleimanian, S.; Petrone, G.; Franco, F.; De Rosa, S.; Kołakowski, P. Semi-active vibro-acoustic control of vehicle transmission systems using a metal rubber-based isolator.Appl.Acoust., 2024 , 217, 109861.6 唐征海 , 郭宝春 , 张立群 , 贾德民 .石墨烯 / 橡胶纳米复合材料 .高分子学报 , 2014 , (7), 865 - 877.7 Xia, S.; Chen, Y.; Tian, J.; Shi, J.; Geng, C.; Zou, H.; Liang, M.; Li, Z.Superior low-temperature reversible adhesion based on bio-inspired microfibrillar adhesives fabricated by phenyl containing polydimethylsiloxane elastomers.Adv.Funct.Mater., 2021 , 31(26), 2101143.8 Zhu, Q.; Wang, Z.; Zeng, H.; Yang, T.; Wang, X.Effects of graphene on various properties and applications of silicone rubber and silicone resin.Compos.Part A: Appl.Sci.制造。，2021，142，106240。9刘z。 Shi，J。； Zhao，n。; Li，Z。通过环状三磷酸磷酸基碱催化的环环（CO）聚合物化，高分子量的高分子量聚二乙基硅氧烷和随机聚二甲基氧烷-Co-二甲基硅氧烷）共硅氧烷。欧洲。polym。J.，2022，173，111280。10什叶，J。; Liu，Z。； Zhao，n。; Liu，s。; Li，Z。由三挥手有组织酶催化为明确定义的聚（二甲基硅氧烷）S催化的己二甲基甲硅氧烷的己二甲硅氧烷的控制环的聚合。大分子，2022，55（7），2844-2853。11 Rius-Bartra，J.M。; Ferrer-Serrano，n。; Agulló，n。; Borrós，S。高抗性有机硅橡胶减少了杨的模量。 介电硅橡胶的工业选择。 J. 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面向先进光源的硅像素传感器保护环结构仿真研究
摘要：硅像素传感器上的防护环结构有益于提高传感器的高压承受性能。为了评估防护圈结构对硅像素传感器的保护效果，模拟和分析了三种防护环结构。通过技术计算机辅助设计进行了三个防护环结构的两个维度建模，并使用软件内置的电气模型模拟了三个防护圈结构的I -V特性。当前收集环的存在可以使像素可以承受高压，并且不等的防护戒指，不同的空间后卫环，内部和外部等距的Al悬架，并且多个防护戒指结构有益于进一步增加传感器的击穿电压。关键词：PIN二极管silicon Pixel Sensor；防护戒指；耐用高压；技术计算机辅助DEGSIN OCIS代码：280.4750 ；230。0040 ；230.5160
