摘要Kava(Piper Methysticum)是Pepper家族中的一种灌木,它原产于南太平洋岛屿。该根在娱乐和治疗目的传统上被用作饮料,它以镇静,抗焦虑和社交能力的促进者而闻名。它在其特有地区以外的地区广受欢迎,并且已广泛使用。由于不同的药理学作用与Kava的不同品种有关,并且由于可以将品种与组成品的特征链接kavalactone和Flavokavains相关,因此对这些成分的测量可以促进该工厂的安全有效使用。在本申请说明中,提出了一种用于准确预测使用HoribaAqualog®和A-TEEM技术进行的光谱吸光度和荧光测量的Kava根主要成分量的方法。使用一组具有已知化学性质的Kava样品建立了部分最小二乘回归的化学计量模型,并讨论了该模型的改进和适当的应用范围。
在集成电路制造过程中,晶圆表面状态及洁净度是影响晶圆良率和器件质量与可靠性的最重要因素之一,化学机械抛光 ( CMP )、湿法清洗、刻蚀、电化学沉积(电镀)等表面技术扮演重要的作用。公司围绕液体与固体衬底表面的微观处理 技术和高端化学品配方核心技术,专注于芯片制造过程中工艺与材料的最佳解决方案,成功搭建了 “ 化学机械抛光液 - 全品类 产品矩阵 ” 、 “ 功能性湿电子化学品 - 领先技术节点多产品线布局 ” 、 “ 电镀液及其添加剂 - 强化及提升电镀高端产品系列战略供 应 ” 三大核心技术平台。
用于 mmWave 封装测试的 xWave 平台 • 信号完整性 – 短阻抗控制共面波导 (CPW) – 测试仪和 DUT 之间的 1 个转换(连接器到引线框架) – DUT 球接触 CPW • 集成解决方案(PCB/接触器合一) – 包括从测试仪到 DUT 的完整 RF 路径 – 用于电源和控制信号的 Pogo 引脚 • 生产封装测试解决方案 – 坚固的引线框架可持续数百万次循环 – 机械组装完全可现场维护 – 包括校准套件(s 参数) – 用于三温测试(-55 至 155°C)的 CTE 匹配材料
范围和章节大纲 本章旨在简要概述晶圆级封装 (WLP),包括晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 和扇出型封装,作为这些技术未来发展路线图的背景。本文并非旨在提供详细的历史,也不是与这些技术相关的所有可能的结构、工艺和材料的详细描述。在有关该主题的各种文章和书籍中可以找到更详细的信息。本章试图回顾 WLP 技术迄今为止的发展,并预测未来的需求和挑战。 晶圆级封装是指在晶圆仍为晶圆时对芯片进行封装,可以单独封装,也可以与其他芯片或其他组件(例如分立无源器件)或功能组件(例如微机电系统 (MEMS) 或射频 (RF) 滤波器)组合封装。这允许使用异构集成进行晶圆级和面板级封装。尽管从定义上讲,WLP 历来都是使用直径为 200 毫米或 300 毫米的圆形晶圆格式生产的,但多家供应商正在将类似的制造方法扩展到矩形面板格式。这将允许不仅在晶圆级基础设施(晶圆级封装,或 WLP)上制造异构封装,而且还可以在面板级基础设施(面板级封装,或 PLP)上制造异构封装。本章将包括异构集成路线图 (HIR) 的 WLP 和 PLP 格式。本章分为 7 个部分:1. 执行摘要 2. 晶圆级封装的市场驱动因素和应用 3. 晶圆级封装概述:技术、集成、发展和关键参与者 4. 技术挑战 5. 供应链活动和注意事项 6. 总结、最终结论和致谢 7. 参考文献
半导体行业是新加坡的主要制造业之一;占2014年制造总价值的17.6% - 该行业雇用了3600名工人,约占电子劳动力总数的53%。今天,新加坡是世界上三大晶圆铸造厂的所在地,全球四家顶级外包组装和测试服务公司,以及世界上9家顶级女装的半导体公司。其中一些公司包括Broadcom,NXP,Mediatek,Micron Semiconductor Asia PTE Ltd,United Microelectronics Corporation,STATS CHIPPAC,QUAPCOM,Qualcomm和Silicon Manufacturing Company的系统。在2013年,我们的晶圆厂每月生产约100万个晶圆,在全球范围内约有10个晶圆的晶圆。工作详细信息:
根据与诺斯罗普·格鲁曼公司的协议,合作者将有一段预定的时间(“设计期”),使用诺斯罗普·格鲁曼公司提供的模型和 PDK 进行设计。设计期结束后,合作者需要在规定的截止日期前向代工厂提交设计,以便将其设计纳入工厂运行。合作者还需要提交其设计和文档,以便在 STARRY NITE IP 存储库中存档。一旦掩模完成流片,诺斯罗普·格鲁曼公司将使用该掩模制造晶圆。请注意,诺斯罗普·格鲁曼公司不会对电路进行直流或射频测试;整个工厂流程中都会测量掩模上的过程控制监视器 (PCM) 结构。b. 合作者同意公布设计提交和掩模流片时间表。c. 请注意,美国政府对哪些设计将投入生产拥有最终决定权
关键词:GaN、焊料、AuSn 焊料、溅射、共晶、芯片粘接摘要对于 GaN MMIC 芯片粘接,经常使用 80%Au20%Sn 共晶焊料。通常的做法是使用预制件 AuSn 将芯片粘接到 CuW 或其他一些基板上。在此过程中,操作员可能需要将预制件切割成芯片尺寸,然后对齐预制件、芯片和基板。由于操作员需要同时对齐三个微小部件(预制件、芯片和基板),因此这是一个具有挑战性的过程,可能需要返工。此外,预制件厚度为 1mil(在我们的例子中),这可能导致过量的焊料溢出,需要清理,因为它会妨碍其他片外组装。整个芯片粘接过程可能很耗时。在本文中,我们描述了一种在分离芯片之前在 GaN 晶圆上使用共晶成分溅射靶溅射沉积共晶 AuSn 的方法。它消除了预制件和芯片的对准,并且不会挤出多余的 AuSn。通过使用共晶溅射靶,它还可以简化靶材制造。下面给出了芯片粘接结果。引言宽带微波 GaN MMIC 功率放大器在国防和通信应用中具有重要意义。随着设备性能的提高,芯片粘接变得非常重要,因为它会极大地影响 MMIC 的热预算。80%Au/20%Sn 焊料已用于半导体应用超过 50 年,通常作为冲压预制件。然而,由于需要将 MMIC 芯片中的多个小块和焊料预制件对准到载体上,因此芯片粘接过程可能很繁琐且耗时。在芯片分离之前在整个晶圆上溅射沉积 AuSn 将大大简化芯片粘接过程。然而,溅射的 AuSn 成分对于正确的焊料回流至关重要。由于 Au 和 Sn 的溅射产率不同,AuSn 溅射靶材的化学性质和沉积的 AuSn 薄膜之间存在显著的成分变化 [参考文献 1]。下图 1 显示了 Au-Sn 相图。通过仔细控制溅射参数(功率、压力和氩气),我们能够从共晶成分溅射靶中沉积共晶 AuSn。制造共晶成分溅射靶要容易得多/便宜得多。
直接键合技术不断发展,以应对“更多摩尔”和“超越摩尔”的挑战。自 20 世纪 90 年代绝缘体上硅 (SOI) 技术的出现以来,CEA-Leti 已在直接键合方面积累了丰富的专业知识。从那时起,CEA-Leti 团队一直在积极创新直接键合,以拓宽应用领域。该技术基于室温下两个紧密接触的表面之间的内聚力。然后,范德华力(氢键)和毛细桥产生所需的粘附能。键合后退火将弱键转变为共价键,最终形成一块材料。随着混合键合的出现,直接键合现在不仅解决了基板制造问题,还解决了 3D 互连领域的问题。本文介绍了 CEA-Leti 开发的不同直接键合技术及其在微电子行业和研发中的应用。在文章的第一部分,简明扼要地介绍了直接键合物理学。然后,概述了最先进的键合技术,包括晶圆对晶圆 (WTW) 混合键合、芯片对晶圆 (DTW) 混合键合和 III-V 异质键合。针对合适的应用领域,比较了每种技术的优势、挑战、应用和利害关系。第三部分重点介绍 CEA-Leti 在 ECTC 2022 和 ESTC 2022 上展示的最新混合键合 D2W 结果。讨论了集成挑战以及专用设备开发的作用。最后一部分介绍了潜在的市场和相关产品,并以具有硅通孔 (TSV) 和多层堆叠的芯片为例。
SEMI E62 描述了 FOSB 开门装置的特性和基本功能。E62 是针对设备配置的非常具体的标准,包括定位销、密封区域和锁销形状、位置、运动和扭矩。300 毫米 FOSB 必须与这些功能配合使用,但精确的配合功能尺寸、位置和设计由载体制造商决定。与 E62 FOSB 开门器配合的 FOSB 功能由 Entegris 设计规范定义。一般而言,这种兼容性涉及 E62 FOSB 开门器功能周围的适当间隙和相对位置。
创新、小巧、快速、精确。并且具有一定的节能效果。这些是许多先进技术和微型部件所需的要素。为了继续快速的技术进步,弗劳恩霍夫光机电系统研究所还向小型企业提供其研究组合、最先进的技术和设备以及 200 毫米和 300 毫米洁净室。 200 毫米晶圆上的 MEMS 技术和设备 在弗劳恩霍夫光机电系统研究所,MEMS 技术的技术开发和支持贯穿整个价值链:从单个工艺到技术模块再到完整技术,以及洁净室设备的工艺技术支持。i. 成功开发后,该研究所提供试生产或技术转让支持。弗劳恩霍夫光机电系统研究所涵盖的技术成熟度 (TRL) 为 3 至 8。因此,初创企业、中小型企业和没有自己工厂的公司尤其可以从低投资成本中受益。在传感器和执行器领域,弗劳恩霍夫光机电系统研究所开发了电容式超声波传感器等产品。这些是作为快速客户定制化调整的平台提供的。这为中小型公司提供了经济高效的高科技访问方式。对客户来说,另一个重要方面是:一种简单且经济高效的方法来测试其应用中的最新开发成果。为此,Fraunhofer IPMS 提供了评估套件。借助这些现成的设置,客户可以例如