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硅技术和组件 - CEA-Leti
在 CEA Tech 和 Leti 内部，硅技术和组件研究活动由两个部门共同承担，共有约 600 名研究人员：硅技术部门开展创新工艺工程解决方案和研究，全年 24/7 全天候运营，7,500 平方米的先进洁净室空间分为三个不同的技术平台。硅组件部门开展纳米电子和硅异质集成研究，重点关注两个主要领域：CMOS 器件的不断缩小，以扩展摩尔定律，实现更快、更便宜的计算能力，以及将新功能集成到 CMOS 中，例如传感器、功率器件、成像技术和新型内存，以实现新应用。本手册包含 47 份一页的研究摘要，涵盖了我们硅器件和技术部门重点领域的进展，重点介绍了 2015 年取得的新成果。
从 KCl 电化学合成纳米硅——...
本书章节 用 KCl–K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于高功率锂离子电池 Timofey Gevel 1,2、Sergey Zhuk 1,2、Natalia Leonova 1、Anastasia Leonova 1、Alexey Trofimov 1,2、Andrey Suzdaltsev 1,2* 和 Yuriy Zaikov 1,2 1 俄罗斯乌拉尔联邦大学电化学器件与材料科学实验室 2 俄罗斯科学院乌拉尔分院高温电化学研究所 *通讯作者：Andrey Suzdaltsev，乌拉尔联邦大学电化学器件与材料科学实验室，Mira St. 28, 620002 叶卡捷琳堡，俄罗斯 2022 年 4 月 12 日出版 本书章节是 Andrey Suzdaltsev 等人发表的文章的转载al. 于 2021 年 11 月在 Applied Sciences 上发表。 （Gevel, T.；Zhuk, S.；Leonova, N.；Leonova, A.；Trofimov, A.；Suzdaltsev, A.；Zaikov, Y. 通过 KCl-K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于强效锂离子电池。应用科学。2021，11，10927。https://doi.org/10.3390/app112210927） 如何引用本章：Timofey Gevel、Sergey Zhuk、Natalia Leonova、Anastasia Leonova、Alexey Trofimov、Andrey Suzdaltsev、Yuriy Zaikov。通过 KCl-K 2 SiF 6 熔体电化学合成纳米硅，用于强效锂离子电池。收录于：应用科学主要档案。印度海得拉巴：Vide Leaf。2022 年。© 作者 2022 年。本文根据知识共享署名 4.0 国际许可条款分发（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），该许可条款允许
氨基硅烯 (HSiNH2
摘要：氨基硅烯分子（HSiNH 2 ，X 1 A ′） 是不饱和氮硅烯的最简单代表，它是在单次碰撞条件下通过气相基元反应形成的，反应涉及硅基自由基（SiH）和氨（NH 3 ）。反应由硅基自由基无势垒加成到氮的非键合电子对上引发，形成 HSiNH 3 碰撞复合物，然后通过从氮原子中失去氢原子，单分子分解为氨基硅烯（HSiNH 2 ）。与等价氨基亚甲基卡宾 (HCNH 2 , X 1 A ′ ) 相比，通过用硅取代单个碳原子，对等价甲亚胺 (H 2 CNH) − 氨基亚甲基 (HNCH 2 ) 和氨基硅烯 (HSiNH 2 ) − 硅亚胺 (H 2 SiNH) 异构体对的稳定性和化学键产生了重大影响；例如，卡宾与硅烯的热力学稳定性逆转了 220 kJ mol − 1。因此，发现第十四主族元素硅的等价性与原子碳几乎没有相似性，不仅对反应性而且对热化学和化学键也表现出显着影响。
基于硅的异质结构设备和电路
课程说明微电动设备和电路设计师长期以来一直在寻求结合带隙工程提供的卓越运输特性和设计灵活性（如在GAAS和INP等复合半导体中常规实践），以及高产量和较低的常规硅（SI）制造成本。随着介绍外延硅果（Sige）合金，这一梦想终于成为现实。SIGE异质结双极晶体管（SIGE HBT）是在SI材料系统中实现的第一个实用带段的实用设备。The first functional SiGe HBT was demonstrated in 1987, and the technology has matured rapidly, at present achieving a unity-gain cutoff frequency above 700 GHz, circuit delays below 2 picoseconds, and integration levels sufficient to realize a host of record-setting digital, analog, RF, mm-wave, and sub-mm-wave circuits.自然兼容，将SIGE HBT与最佳的SI CMO组成以形成SIGE HBT BICMOS技术，这显然适合于解决新兴的性能受限，高度集成的系统，目前正在商业和国防部门在全球范围内追求。
储能的未来 - 硅纳米技术
一旦锂离子技术进入市场，其更高的性能使其成为镍金属氢化物的优质选择。首先，成本在大多数应用中都令人难以置信，但是随着细胞制造开始扩展，李开始经历了巨大的绩效改进时期，加上降低成本，从90年代后期开始。成本提高在2000年中期放缓，因为最常生产的18650型号不受欢迎，每个新小工具的定制小袋细胞更加昂贵，随着钴和镍价格暂时上涨。，但由于电动汽车发货的巨大规模推动了2010年的累积历史产量，因此再次降低了成本。受到斯旺森法律的启发，2,3跟踪和预测了太阳能成本的巨大下降，我们从无数数据源中汇编了数据，以及我们自己的行业经验，以进行历史外观，并进行预测，其中锂离子技术的成本将随着规模而言。尽管生产的速度越来越快，但近期成本曲线的变平仍表明，基本锂离子化学的体积缩放范围不仅仅是继续降低电池成本并加速电动汽车的采用。我们需要创新才能达到到2030年到达1亿辆电动汽车的目标（图3）。
硅光子学平台
美国专利 9759862 绝热/非绝热偏振分束器 美国专利 9748429 具有减少暗电流的雪崩二极管及其制造方法 美国专利 9740079 集成光学。具有电子控制光束控制的收发器 美国专利 9696492 片上光子-声子发射器-接收器装置 美国专利 9612459 带有微加热器的谐振光学装置 美国专利 9467233 功率计比率 稳定谐振调制器的方法 美国专利 9488854 高速光学相移装置 美国专利 9391225 二维 APD 和 SPAD 及相关方法 美国专利 9366822 具有同时电连接和热隔离的热光调谐光子谐振器 美国专利 9329413 高线性光学调制的方法和装置 美国专利 9268195 使用四波混频产生纠缠光子的方法和装置 美国专利 9268092 导波光声装置 美国专利 9261647在半导体波导和相关设备中产生应变 美国专利 9239431 通过热机械反馈实现谐振光学设备的无热化 美国专利 9235065 适用于差分信号的热可调光学调制器 美国专利 9128308 低压差分信号调制器 美国专利 9127983 用于控制工作波长的系统和方法 美国专利 9083460 用于优化半导体光学调制器操作的方法和设备 美国专利 9081215 硅光子加热器调制器 美国专利 9081135 用于维持光子微谐振器谐振波长的方法和设备 美国专利 9063354 用于稳健无热光子系统的被动热光反馈 美国专利 9052535 电折射光子设备 美国专利 8947764 高速光子调制器设计 美国专利 8822959 光学相位误差校正方法和装置 美国专利 8625939 超低损耗腔和波导散射损耗消除 美国专利 8615173 集成谐振光学装置波长主动控制系统 美国专利 8610994 具有减小的温度范围的硅光子热移相器 美国专利 8600200 纳米光机械换能器 美国专利 8027587 集成光学矢量矩阵乘法器 美国专利 7983517 波长可调光环谐振器 美国专利 7941014 具有绝热变化宽度的光波导装置 美国专利 7667200 热微光子传感器和传感器阵列 美国专利 7616850 波长可调光环谐振器