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硅光子学
执行摘要 最新技术摘要 在过去 20 年中，硅光子学已成为光子集成电路 (PIC) 的一项极具吸引力的技术，因为它直接建立在硅纳米电子领域的极度成熟基础之上。因此，它开辟了一条通往非常先进的 PIC 的道路，具有非常高的产量和低成本。更准确地说，今天，硅光子 PIC 正在 200 毫米和 300 毫米 CMOS 代工厂中以纳米级精度和可重复性进行商业化生产，这从光子学的角度来看是前所未有的。基本技术利用绝缘体上硅 (SOI) 晶圆，其中埋氧层顶部的硅层充当连接芯片上器件的波导的核心。由于硅是导光材料，氧化硅是包层，该技术可以解决波长范围约为 1 至 4 m 的应用，从而包括以 1300nm、1550nm 和 1550(+)nm（分别为 O、C 和 L 波段）为中心的非常重要的光纤光谱带。硅光子学已经成为十多家公司（其中大部分是无晶圆厂公司）用于数据中心和电信网络中高数据速率收发器产品的首选技术。总的来说，他们向市场部署了估计数百万个硅光子收发器。大约有 20 个硅光子制造平台（部分为工业平台，部分为支持原型设计和小批量制造的研究机构平台）已经建立，这些平台基于现有基础设施和源自硅电子行业的专有技术（见附录 A1）。典型平台允许集成高速调制器和高速 Ge 探测器，符号率范围为 50 至 100 Gbaud，以及用于光束组合/分裂、波长选择功能、偏振选择功能和片外耦合的高级无源功能。一些平台允许其他功能，例如与高级电子设备的集成（单片或混合）、光源的集成（异构或混合）以及面向传感的功能（例如微流体）。大多数平台的运作方式类似于代工厂：任何最终用户都可以访问它们，无论是全掩模版/全晶圆批次 (FRFL) 模式还是成本分摊多项目晶圆 (MPW) 模式，其中最终用户可以提交部分掩模版的设计，并将收到几十个处理过的芯片而不是完整的晶圆。 FRFL 模式成本高昂（数十万欧元/美元），但每芯片成本较低（每芯片约 10 欧元/美元），而 MPW 模式每设计成本更实惠（数十万欧元/美元），但每芯片成本约 1000 欧元/美元。当扩展到更高产量（例如 1000 片晶圆）时，芯片成本可降至每芯片 1 欧元/美元以下，因为固定掩模和间接成本在整个批次中摊销。当代工厂基础设施的投资已经折旧或与其他用户共享时，较低的单芯片成本也会受益。芯片代工厂向其客户提供工艺设计套件 (PDK)。这些 PDK 详细说明了给定平台的设计规则，并包含基本组件和电路库。硅光子学 PDK 的成熟度尚未达到 CMOS IC 代工厂的水平。今天，硅光子学 PDK 仅包含非常基本的构建模块库，特别是对于 MPW 操作模式。未来的硅光子学 PDK 必须包含组件和电路的紧凑模型，其参数基于经过验证的测量数据，并考虑到晶圆之间和晶圆之间的工艺变化。
薄膜硅锂
电磁充当电子和光子学之间的关键桥梁，解锁了从通信和计算到传感和量子信息的广泛应用。综合的电磁方法特别是对光子学的必需电子高速控制，同时为电子产品提供了实质性的光子并行性。在薄膜锂锂光子学中的最新进展已取得了革命性的革命性进步。这项技术不仅提供了必要的强电磁耦合，而且还具有超低光损失和高微波带宽。此外，它的紧密限制和与纳米化的兼容性允许前所未有的可重构性和可扩展性，从而促进了曾经在散装系统中几乎被认为几乎不可能的新颖和复杂的设备和系统的创建。在这个平台上建立了该领域，目睹了各种开创性的电磁设备的出现1-12超过了1-6,9-12的当前状态，并引入了以前不存在3,7,8的功能。这一技术飞跃向前提供了一个独特的框架，以探索各种物理领域，包括光子非热式合成维度13-15，主动拓扑物理学16,17和量子电动镜12,18-20。在这篇综述中，我们介绍了电探针的基本原理，即基本科学与技术前沿之间的联系。我们讨论了由薄膜Niobate平台启用的综合电视的成就和未来前景。
新的粘合剂胶带像Child's Play
“制造石墨烯的主要方法之一是通过化学蒸气沉积，在铜膜上生长石墨烯。但要正确执行，必须将石墨烯与铜分开并转移到像硅这样的绝缘基质上。“为此，将保护性聚合物放在石墨烯上，然后使用蚀刻溶液（例如酸）除去铜。一旦连接到新的底物，保护性聚合物层就会用溶剂溶解。这个过程是昂贵的，耗时的，可能会导致石墨烯表面的缺陷或将聚合物的痕迹留在后面。”
联锁积木 6 件以下
2024 年 11 月 6 日 — 尺寸 100×100×60 颜色：白色。EA 30。估算数据发布价格版本 2024 (6) P16 东北硅砂。5 号 25 公斤/袋。5C。硅砂。EA 5。数量。建筑价格 2024 (6) P129 再生碎石再生破碎机运行。
从樟脑制造石墨烯
由于其缩放限制，一大批新兴材料和设备正在广泛地进行替代硅。锗已被硅替代大约半个世纪前，通过在周期桌子的第四组上移动一个街区。有趣的是，我们又向上移动一个块，我们到达碳，由于其令人印象深刻的晶体结构或同素体性，该碳被广泛用作下一代电子产品的替代品。随着我们在摩尔定律结束时采用基于硅技术的技术，在碳同素异形物中，石墨烯有可能成为未来技术的下一项候选材料，并有助于将电子设备超越摩尔的定律。发现石墨烯是一个碳薄片的单个原子层，2004年促使其研究了其出色的电子，光子和机械性能，研究其在开发未来电子和光子设备方面的潜力。制造石墨烯的各种方法仍处于早期阶段，工程师需要设计用于大规模生产纯净的单牌石墨烯片的大量生产方法。超快速发展的技术的开发主要依赖于对具有独特属性的新型2D材料以及具有更多样化和更好功能的设备架构设计的基本理解。
研究单纳米诺的物理特性
在本文中，我们使用密度功能理论研究了P 2 Si纳米骨的物理特性，具有不同的磷 - 磷，磷酸磷和硅硅硅的边缘结构。我们的计算表明，所有三个不同边缘的纳米骨都具有热力学稳定性。具有磷 - 磷边缘结构的纳米替比是半导体，具有不同的能量差异，可向上和向下旋转，并且具有磷 - 硅和硅 - 硅边缘边缘结构的纳米锥具有准代理性能。这些发现在这些纳米容器中表现出磁性的存在。此外，我们已经表明，边缘原子对电子特性的贡献比纳米骨中的中央原子的贡献更为主导。我们的发现表明，具有不同边缘结构的PENTA-P2SI纳米容器可以用作电子和光电应用的有前途的候选者。关键字：五烯 - 格雷烯，状态的部分密度，密度功能理论，带隙。pacs no。73，81
石墨烯和掺杂石墨烯：DFT 比较研究
已经考虑了两种不同的模型，即卵烯 (C 32 H 14 ) 和环环烯 (C 54 H 18 ) 及其各自的掺杂模型 (C 31 XH 14 、C 53 XH 18，其中 X = B、Al、N、P、Fe、Ni 和 Pt)，用于 GGA-PBE/DNP 级别的 DFT 计算。根据各种计算出的结构参数和电子特性对这两个模型进行了比较。还绘制了电子态密度 (DOS) 光谱，以查看尺寸增加时电子特性的变化。从较小的模型移动到较高的模型时，结构和电子特性没有发生重大变化。发现掺杂保持了表面的平面性，但会引起掺杂原子周围键长发生相对较大的变化，从而削弱键。版权所有 © VBRI Press。关键词：DFT、石墨烯、掺杂、DOS。简介
GF-1 DNA/RNA 提取试剂盒(小量试剂盒)
GF-1 DNA/RNA 提取试剂盒适用于提取和纯化各式不同样品的 DNA/RNA 。 GF-1 试剂盒最主要的 GF-1 硅胶膜离 心柱能在高盐缓冲液的裂解帮助下有效地离心吸附 DNA/RNA 。硅胶膜离心柱法以及洗涤缓冲液可去除残余蛋 白质和各种杂质，让吸附在离心柱的 DNA/RNA 更进一步地被纯化。最后通过洗脱液把 DNA/RNA 洗脱下来。提 取的 DNA/RNA 可用在各种不同的后续实验。
突破方法产生灵活的钻石膜
Zhiqin Chu受到启发，使用粘性胶带通过单层石墨烯发现故事从硅表面上删除钻石胶片。Konstantin Novoselov和Andre Geim赢得了2010年诺贝尔物理奖，因为您可以使用粘性胶带从石墨（铅笔线索中的材料）剥离一层石墨烯。