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World File Search System硅芯片
采用玻璃上有机 P 型薄膜晶体管的 3.3 V 6 位 100 kS/s 电流控制数模转换器
I. 引言基于有机薄膜晶体管 (OTFT) 的集成电路近年来呈现出快速发展势头，向着更高集成度和更高性能发展。与无机晶体管相比，OTFT 因其成本低、温度低、制造速度快，尤其是与机械柔性和轻质聚合物基板的兼容性而前景看好 [1]。因此，OTFT 有望实现大面积、可弯曲和可卷曲的应用，如电子纸和平板显示器 [2]。此外，近期 OTFT 的低压工作能力为集成大面积有机电子器件和高性能薄硅芯片的混合解决方案提供了可能性 [3]，也使其非常适合电池供电或频率耦合的便携式设备，如射频识别 (RFID) 标签 [4]。最后，由于有机半导体与多种溶剂蒸汽具有化学相互作用，OTFT 还可用于化学和生物传感器 [5]。在所有这些
AN5558：空间应用中 RTG4™ 和 RT PolarFire® FPGA 的热管理和安装方法（早期 AC486）
结到外壳 (Θjc) 热阻设置：在封装顶部安装一个充当边界条件的冷板。较热结和冷板之间的温差迫使热量从芯片表面流到封装顶部。根据 CG/CGG1657 和 CG1509 封装的结构，由于结到外壳的热阻较低，因此可以通过 Kovar 盖散热（图 1 和表 1-1）。但是，绑在 Kovar 盖顶部的散热器会增加 CG/CGG1657 和 CG1509 封装的质量。航天器发射期间封装所经受的冲击和振动可能会使封装的焊柱引脚承受巨大的应力，从而对焊柱引脚和焊点造成潜在损坏。此外，用于将盖子粘合到硅芯片背面的热界面材料 (TIM) 可能会损坏。
心理和同理心理论的神经元相关
在过去的十年中，已广泛报道了使用玻璃 - 硅芯片进行PCR分析，但是几乎没有系统的努力来限制这些系统带来的生化问题。在这里，我们报告了玻璃 - 西里孔PCR芯片中与材料相关的抑制和吸附现象的系统分析。结果表明，先前报道的与硅相关材料对PCR的抑制作用主要源于由于地表到体积比的增加，在芯片壁上吸附了Taq聚合酶，而不是源于PCR-MIX上硅相关材料的直接化学作用。与TAQ聚合酶相比，DNA并未以明显的吸附。可以通过添加滴定量的竞争蛋白牛血清白蛋白（BSA）来抵消聚合酶吸附的净效应，并且可以在芯片中进行动力进行优化，以在20分钟的惠氏20分钟内进行有效的反应以产生有效的放大器。©2003 Elsevier B.V.保留所有权利。
六方氮化硼在光子芯片上的直接生长可用于高通量表征
采用光学显微镜方法对二维 (2D) 材料中的缺陷进行纳米级表征是光子片上器件的关键步骤。为了提高分析吞吐量，最近开发了基于波导的片上成像平台。然而，它们固有的缺点是必须将 2D 材料从生长基底转移到成像芯片，这会引入污染，可能会改变表征结果。在这里，我们提出了一种独特的方法来规避这些不足，即直接在氮化硅芯片上生长一种广泛使用的 2D 材料（六方氮化硼，hBN），并对完整的原生材料中的缺陷进行光学表征。我们将直接生长方法与标准湿转移法进行了比较，并证实了直接生长的明显优势。虽然在当前工作中用 hBN 进行了演示，但该方法很容易扩展到其他 2D 材料。
电源 XED
独特功能 - 专有硅芯片 [CiS] 技术 - 硅（Si-wafer）通用封装 - 微型尺寸：2.55mm x 2.55mm x 0.6mm - 单色范围，公差严格：Mac Adams 6 - 同类最佳热阻：5,1 K/W - 适合在标准 FR4 - 和 MC - PCB 上组装，设计和指定用于 - 汽车外部和内部照明 - 汽车日间行车灯 - 医疗和牙科照明 - 运输设备内部照明（飞机、火车、船舶） - 应急灯具 - 手持电子设备（手机、PDA）的闪光灯 - LCD 显示器的背光光源 - 卤素灯的替代品 - 装饰和建筑照明 - 重点照明 - 高品质手电筒和娱乐灯 - 工业设备照明。CCT：5700K。光通量：60 流明。CRI > 75 (Ra8)。标准 SMT 组装。典型平均寿命*)：> 50,000 小时 (T70)。ESD 耐压：2kV
2024强迫劳动和童工报告
集成电路制造 - 我们的绝大多数集成电路都是使用广泛可用的CMOS工艺制造的，该过程旨在提供更大的灵活性，以使独立的铸造厂以较低的成本来制造集成电路。通过外包制造，我们能够避免拥有和经营自己的制造设施相关的成本。这旨在使我们能够将精力集中在产品的设计和营销上。我们试图与铸造伙伴紧密合作，以每月的方式预测我们的制造能力要求。我们还寻求密切监视铸造厂的生产，以帮助确保一致的总体质量，可靠性和收益水平。我们的集成电路目前是在几个高级制造过程中制造的。由于预计更精确的制造过程将导致性能提高，较小的硅芯片尺寸和较低的功率要求，因此我们不断寻求评估迁移到较小的几何过程技术的收益和可行性，以降低成本并提高性能。
将超薄芯片嵌入高柔韧性、感光性阻焊剂中
摘要：本文介绍了一种将超薄硅芯片嵌入机械柔性阻焊层中并通过喷墨打印实现电接触的方法。将感光阻焊层通过保形喷涂涂覆到具有菊花链布局的环氧粘合超薄芯片上。使用紫外线直接曝光的光刻技术打开接触垫。实现了直径为 90 µ m 和边长为 130 µ m 的圆形和矩形开口。喷墨打印含有纳米银和金的商用油墨，以在菊花链结构之间形成导电轨道。应用了不同数量的油墨层。通过针探测来表征轨道电阻。银油墨仅在多层和 90 µ m 开口时才显示低电阻，而金油墨在至少两层印刷层时表现出个位数 Ω 范围内的低电阻。
量子错误校正代码
在过去的三十年中，由于硅芯片的发展，传统计算机的开发增加了100,000倍。这是所谓的摩尔定律[1]，它预测微芯片上的晶体管数量每两年翻倍。但是，专家们同意，计算机应在2020年代的某个时候达到摩尔定律的物理极限[2]。传统计算机的第二个问题是，正如Feynman所指出的那样，在模拟古典计算机上模拟量子机械系统时，似乎有必要的差异。因此，我们需要紧急设计量子计算机。，但噪声始终是信息过程系统的巨大祸根。保护信息免受噪声的影响非常重要，尤其是噪声对量子计算机的影响比分类计算机更大。已经有一个非常完整的经典误差校正理论[3]。但是现有的量子误差校正方法是不够的。由于无用定理[4]和波函数崩溃，量子信息不能以与经典信息相同的方式复制。所有这些分歧和挑战都要求我们构建一种新的理论，即量子误差理论。
铝约瑟夫森结微结构和电性能的退火改进 Nikita D. Korshakov 1,2，Dmitry O. Moskale
基于 Al/AlO x /Al 约瑟夫森结的超导量子比特是通用量子计算机物理实现最有希望的候选者之一。由于可扩展性和与最先进的纳米电子工艺的兼容性，人们可以在单个硅芯片上制造数百个量子比特。然而，由非晶电介质中的双层系统（包括隧道势垒 AlO x ）引起的这些系统中的退相干是主要问题之一。我们报告了一种约瑟夫森结热退火工艺开发，用于结晶非晶势垒氧化物（AlO x ）。获得了热退火参数对室温电阻的依赖关系。所开发的方法不仅可以将约瑟夫森结电阻提高 175%，还可以将其降低 60%，R n 的精度为 10%。最后，提出了关于隧道势垒结构修改的理论假设。建议的热退火方法可用于为广泛使用的固定频率 transmon 量子比特形成稳定且可重复的隧道屏障和可扩展的频率调整。
智能手机革命
在1998年，Rofougaran作为一名后学生AL学生，讲述了Darpa Sbir主题。合同促进的研究引入了新的皱纹：将GPS（GLO BA定位系统）功能添加到单层硅芯片中。对于Rofougaran，SBIR合同高点使用了使用相同类型的无线电连接与附近设备通信的潜在价值。 “ GPS与卫星进行了交谈，但是所有[无线通信]都必须进行大量的握手和频率跳跃，” Rofougaran说。 “我意识到真实的应用程序是在短距离通信中。 没有电线的世界将是巨大的。 我知道如果我启动了这个，它将导致产品后的产品。”对于Rofougaran，SBIR合同高点使用了使用相同类型的无线电连接与附近设备通信的潜在价值。“ GPS与卫星进行了交谈，但是所有[无线通信]都必须进行大量的握手和频率跳跃，” Rofougaran说。“我意识到真实的应用程序是在短距离通信中。没有电线的世界将是巨大的。我知道如果我启动了这个，它将导致产品后的产品。”