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World File Search System硅锂
超低模式的设计压电量量子传感器
摘要：量子状态从微波炉到光学结构域的相干转导可以在量子网络和分布式量子计算中起关键作用。我们介绍了在硅平台上的混合锂锂锂中形成的压电机电设备的设计，该设备适用于微波至光学量子转导。我们的设计基于具有光力学晶体腔的超低模式压电腔的声学杂交。Niobate锂的强压电性质使我们能够通过声学模式介导转导，该声学模式仅与硝酸锂相互作用，并且主要是硅状的，并且具有非常低的电气和声学损失。我们估计，该传感器可以实现<0的固有转换效率高达35％。5添加噪声量子量当与超导式的transmon值偶联并以10 kHz的重复速率以脉冲模式运行时，添加了噪声量子。在这种混合锂硅硅酸盐透射剂中获得的性能改善使其适合通过光学纤维链路连接的超导量子处理器之间的量子纠缠。
下一步对预锂化策略的实用评估……
显示出更高的比容量和更低的ICE。4,5 例如，HC中石墨烯层的无序取向会导致严重的副反应，从而导致初始循环中额外的锂损失约 30%（ICE，约 60%）。硅基负极具有 1500 – 4200 mAh g −1 的理论比容量，是下一代电池最有希望的候选材料之一。尽管如此，硅基负极相对较低的 ICE（60% – 85%）和固体电解质中间相 (SEI) 膜的持续重建也严重阻碍了它们的实际应用。6 因此，当这些负极材料与具有有限 Li + 的正极材料（例如 LiCoO 2 和 LiFePO 4 ）结合时，由于不良的副反应（例如电解质分解），全电池的容量在长时间循环过程中会出现高不可逆活性锂损失，从而导致容量衰减和结构退化。因此，在循环前用化学或电化学方法向负极和正极中引入额外的锂源（即预锂化）是一种恢复全电池能量密度的有效策略。7此外，具有相对大容量的无锂正极（如硫）也可用于组装高能电池。此外，许多方法不仅可以补偿初始的不可逆容量损失（ICL），还可以恢复循环过程中的活性锂损失，提高后续循环中的电池稳定性。此外，最近发现通过预锂化可以形成坚固的SEI，从而提高硅基负极的倍率和循环性能。8目前，已经报道了各种预锂化方法（例如预锂化添加剂、直接接触法、含锂复合溶液和电化学循环）。虽然这些策略都可以实现电池中的锂补偿，但它们在实际应用中的普适性和可行性差异很大，这对大规模应用提出了巨大挑战。因此，需要进行实用评估以加速实现有效的预锂化。本文，我们根据商业电池制造过程中的不同步骤系统地总结了各种预锂化策略的发展，这些步骤大致可分为以下几步：（1）活性材料合成，（2）浆料混合过程，（3）电极预处理和（4）电池制造（图1）。此外，将从准确性、经济性、便利性、均匀性、预锂化能力和大规模生产过程中的安全性等各个方面评估这些预锂化策略的优势和挑战。本综述旨在深入了解预锂化策略未来在商业和实际应用方面的发展。同时，本综述还介绍了预锂化策略在商业和实际应用方面的发展情况。
Silicon N-Channel MOSFET
WSDY06A1Y2N 产品是单节锂离子 / 锂聚合物可充 电电池组保护的高集成度解决方案。 WSDY06A1Y2N 包括了先进的功率 MOSFET ，高精 度的电压检测电路和延时电路。 WSDY06A1Y2N 具有非常小的 SOT-23-5L 封装， 这使得该器件非常适合应用于空间限制得非常小的 可充电电池组应用。 WSDY06A1Y2N 具有过充、过放、过流、短路等所 有电池需要的保护功能，并且工作时功耗非常低。 WSDY06A1Y2N 不仅仅为穿戴设备而设计，也适用 于一切需要锂离子或锂聚合物可充电电池长时间供 电的各种信息产品的应用场合。
CSET - 硅扭曲
在过去五年中，中国人民解放军 (PLA) 在采用人工智能进行战斗和支援方面取得了重大进展。中国领导人普遍预计人工智能将开启军事“智能化”，其特点是无处不在的传感器网络、更频繁的机器对机器交战和更快的作战节奏。1 但解放军在人工智能和相关技术方面的进步很大程度上取决于能否继续获得一类特殊的半导体——人工智能芯片——这些芯片用于训练先进的机器学习系统。通过分析解放军部队和国有国防企业在 2020 年授予的 24 份公共合同，本政策摘要对中国军方如何获得这些设备进行了有限但详细的分析。
硅锗异质结双极晶体管
晶体管诞生 75 周年（从“跨阻放大器”缩写为“跨阻器”再缩写为“晶体管”）。时光飞逝。这是一个非凡的量子物理学小片段。2022 年，晶体管将像病毒一样大小，速度几乎与光速一样快，而且重要的是，它们巧妙地拥有放大这一独特黄金属性，可使微小的电压和电流变得更大。到 2022 年，地球上将有超过 10 24 个晶体管，这得益于摩尔定律所体现的令人瞠目结舌的指数增长模式。晶体管在现代生活中无处不在，无论技术提供者还是消费者是否看到它们。当然，“晶体管”一词应该添加到地球上每个人的词汇表中。同样，从智能手机到汽车、飞机、互联网、GPS，所有现代技术，如果从地球上消失，无一例外都会立即停止运行。事实上，就其对人类文明轨迹的影响而言，人们可以公平地说，晶体管的发明是人类历史上最重要的发现。这话很大胆，但有理有据 [1]。1947 年底，巴丁和布拉顿在贝尔实验室使用点接触装置首次观察到了晶体管的作用。这次固态放大器的演示在历史记录中也是独一无二的，因为我们可以精确地定位它——1947 年 12 月 23 日下午 5 点左右。正是在那一刻，世界发生了不可逆转的变化。新泽西州默里山正下着雪。肖克利不甘示弱，到 1948 年 2 月，“晶体管三人组”中的第三位成员肖克利开发出了晶体管。
硅 - 基于锂离子电池的阳极
摘要：维持基于硅的阳极的物理完整性，该阳极受到骑自行车期间严重变化造成的损害，这是其实际应用的重中之重。通过将纳米座粉与硅片与锂离子电池（LIBS）制造阳极（libs）的阳极（LIBS）的阳极（LIBS）混合，从而显着改善了基于硅粉的阳极的性能。纳米 - 膜粘附在硅片的表面上，并分布在薄片之间的粘合剂中。借助丰富的反应性表面连锁官能团和暴露的纳米原子悬挂键，促进了一致且坚固的固体电解质相（SEI），从而促进了硅片和阳极的物理完整性的增强。因此，电池的高速放电能力和循环寿命得到了改善。sem，拉曼光谱和XRD检查阳极的结构和形态。电化学性能在200个周期后评估了近75％的能力保留，在4 mA/cm 2的测试电流下，最终的特异能力超过1000 mAh/g。这归因于通过在阳极中将纳米座和硅片整合到纳米座中实现的固体电解质相（SEI）结构的稳定性，从而实现了增强的循环稳定性和快速的电荷 - 电荷 - 递送性能。这项研究的结果提出了一种有效的策略，即通过在基于硅 - 弗拉克的阳极中添加纳米座量来实现高循环表现。
硅光子学
• A large range of world-class pre-industrialization facilities • High level multidisciplinary expertise and services • A Large portfolio of background IPs • Lower risks in developing breakthrough solutions • Customized innovation projects • A clear intellectual property policy to provide competitive advantage • A complete ecosystem: startups, industrial partners along the whole value chain • Coordination of world-class European projects
TUe 硅激光器
过去 50 年来，世界各地的研究人员一直在寻找制造硅基或锗基激光器的方法。埃因霍温工业大学 (TU/e) 和慕尼黑工业大学 (TUM) 的研究团队与耶拿大学和林茨大学的同事合作，现已开发出一种可以发光的硅锗合金（EMT Fadaly 等人，《六方 Ge 和 SiGe 合金的直接带隙发射》，Nature vol580，p205（2020 年 4 月 8 日）；DOI：10.1038/s41586-020-2150-y）。因此，人们认为，开发能够集成到现有芯片中的硅激光器首次指日可待。硅通常以立方晶格结晶，由于具有间接带隙，这种形式不适合将电子转换为光。研究团队迈出的关键一步是能够利用具有六方晶格的锗和硅生产锗和合金。“这种材料具有直接带隙，因此可以自行发光，”慕尼黑工业大学半导体量子纳米系统教授乔纳森·芬利 (Jonathan Finley) 说道。