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World File Search System硫族化物
这是以下文章的同行评审前版本：Martinez, P., Blanchet, V., Descamps, D., Dory, J.-B., Four- ment, C., Papagiannouli,
利用频域干涉法和从头算分子动力学研究了非晶态碲化锗薄膜对飞秒激光激发的亚皮秒响应。表面动力学的时间分辨测量揭示了薄膜的收缩，其介电性能响应速度超过 300 fs。非平衡条件下的系统从头算分子动力学模拟使我们能够检索离子温度从 300 K 到 1100 K 以及电子分布宽度从 0.001 eV 到 1.0 eV 的原子构型。通过深入分析角度分布、声子模式和对分布函数来表征结构的局部有序性，这证明了向新的非晶态电子激发态的转变，该激发态在键合/结构上接近液态。我们的研究结果为涉及两个重要过程的硫族化物材料中的光学高激发态提供了新的见解：存储器件中的相变材料和静态场引起的 Ovonic 阈值开关现象。
工业废物处理等2起案件
如果有两方符合以下（a）或（b）的情况。但是，如果子公司是《公司法》（2005 年法律第 86 号）第 2 条第 3 款和《公司法施行规则》（2006 年法务部令第 12 号）第 3 条所定义的子公司，则不在此限；下同。此外，如果子公司之一为《公司改组法》（1952 年法律第 172 号）第 2 条第 7 款所定义的改组公司（以下简称“改组公司”）或《民事改组法》（1999 年法律第 225 号）第 2 条第 4 款所定义的正在进行改组程序的公司（以下简称“改组程序”），则不在此限。 A.母公司（指公司法第2条第4项及公司法施行细则第3条所定义的母公司）
氮化甲化物场在极端温度条件下的晶体管
摘要 - 紧凑的功率电子电路和开关设备的较高操作温度要求对寄生组件在这些设备中的影响进行分析和验证。通过文献研究了氮化壳效应晶体管（GAN-FET）中发现的漂移机制，并与测量结果有关。极端温度条件下的测量值远远超出了制造商推荐的操作范围。研究了GAN-FET的静态和动态操作中对寄生元件的影响，并以半桥电路的示例与开关模式功率电子电线中的设备损耗有关。在本文中，进行了对温度对电阻，泄漏电流和反向传导的影响的静态操作研究。GAN-FET两种状态之间的动态操作也被解决，并且与开关导管损失的潜在影响有关。使用曲线示踪剂构建了一个热室，以精确测量设备中寄生元件的影响。发现，r ds的增量，i dss，i gss和v sd可以通过文献来证明，并通过测量来验证。增量c oss和降低V gs Th时，将设备暴露于极端温度时。这两个参数对在时间至关重要的高温下设计电路方面给人带来了真正的挑战。尽管温度调节，但发现所研究的GAN-FET具有在极端温度稳定条件下使用的潜力。
一种新型的硫代酸官能化杂种网络，用于固体...
由于离子电导率低，界面稳定性差和伴随的侧面反应，用于固态金属电池的固体电解质的开发是具有挑战性的，并且有限。本文是一种基于杂交异质3D交联网络的新型硫氯二氧化官能化的固体电解质，设计和合成了二十个二葡萄酸。硫代酸使软PEGDA聚合在硬P（VDF-HFP）矩阵中形成坚硬的混合异质的3D 3D交联网络，而无需引发剂，从而同时将离子运输并调节锂金属表面上的锂沉积。此外，通过聚合形成的C-S键可以提高LI +的迁移速率，而该无引发剂的聚合过程消除了残留的自由基侧反应和副产品，从而有效地提高了固体电解质与锂阳极的兼容性。由于合理设计，在环境温度下，硫酸官能化的杂交网络电解质电解质在环境温度下表现出高离子电导率为0.11 ms cm-1。对称的LI // LI细胞可在1800 h循环中实现Lifepo 4 // Liepo 4 //全稳态电池在25°C时在0.5 c时在300 c上提供高容量保留率（> 80％）。这项工作表明了Thicotic酸官能化的杂种网络的合理设计，其离子电导率和稳定性大大提高了高性能固态电池。
自组装两性离子芳族聚酰胺两亲物纳米带制成的防污表面涂层
两性离子表面因其具有抵抗蛋白质、细菌和细胞粘附的倾向而越来越多地被用作防污涂层，并且通常以聚合物系统的形式应用。据报道，强相互作用的小分子两亲分子的自组装可产生用于防污应用的纳米带。合成的两亲分子自发形成具有纳米级横截面的微米长纳米带，并且本质上在其表面上显示出致密的两性离子部分涂层。涂有纳米带的基质表现出浓度依赖性厚度和近乎超亲水性。然后探测这些表面涂层的防污性能，结果表明，与未涂层对照相比，蛋白质吸附、细菌生物膜形成和细胞粘附均显着降低。利用粘性小分子自组装纳米材料进行表面涂层为有效的防污表面提供了一种简便的途径。
揭示 Sb2Te 和 AgInSbTe 中的光学对比……
摘要 硫族化物相变材料 (PCM) 在从非晶相结晶时表现出明显的光反射率和电阻率差异，是非挥发性光子和电子应用的主要候选材料。除了旗舰 Ge 2 Sb 2 Te 5 相变合金外，掺杂的 Sb 2 Te 合金，尤其是用于可重写光盘的 AgInSbTe，几十年来也得到了广泛的研究，尽管如此，关于这一重要 PCM 系列光学特性的理论见解仍然很少。在这里，我们进行了彻底的从头算模拟，以从原子层面了解 Sb 2 Te 和 AgInSbTe 的光学特性。我们表明，非晶相和结晶相之间的巨大光学差异源于母体化合物 Sb 2 Te 中键类型的变化。Ag 和 In 杂质主要用于稳定非晶相，对相变时介电函数的巨大变化影响甚微。
钙钛矿太阳能电池透明背电极的可扩展脉冲激光沉积
脉冲激光沉积 (PLD) 是一种成熟的复杂化学计量薄膜沉积技术，在成功制造薄膜形式的高温超导体 (HTS) 后引起了广泛的研究关注。[1] 从那时起，PLD 主要用于在晶格匹配基板上外延生长多种复合氧化物的应用，但在光伏 (PV) 领域尚未得到探索。尽管在 21 世纪初，高导电性的 In 基 TCO 已通过 PLD 制造并成功用作 OLED 的前触点 [2,3]，但关于 PLD 生长触点在 PV 设备中的应用的报道仍然很少。文献报道包括用于 CIGS [4] 和有机 [5] 太阳能电池的掺杂 ZnO 薄膜以及用于卤化物钙钛矿太阳能电池的金属氧化物传输层。 [6] 此外，PLD 已被提议用于硫族化物吸收层的制造 [7,8]，最近又用于卤化物钙钛矿吸收层。[9,10]
非晶相变材料中的电阻漂移收敛和反转
图 4：a) Ge 15 Te 85 玻璃在 105 °C 下退火一段时间后进行的电阻率上扫描测量得出的虚拟温度 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 的演变。𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 数据与 TNM-AG 模型（黑线）精确拟合，并长时间向退火温度 105 °C 收敛，从而证实了稳定性。b) 将在 105 °C 恒温保持期间获得的电阻率数据（浅蓝色点）与从 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌（红色圆圈）和 TNM-AG 模型（黑线）计算出的电阻率值进行比较（a）。实验电阻率数据与玻璃松弛模型的预测结果非常吻合。请注意，初始 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝜌𝜌 低于图 2 所示的 𝑇𝑇 𝑓𝑓 𝐻𝐻。这是由于在 vdP 样品上沉积覆盖层期间向硫族化物引入了热量。