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多巴胺检测用硼掺杂金刚石膜电极材料与电化学性能研究
摘要 ：脑内神经递质多巴胺 (DA) 的含量异常与帕金森病、阿尔兹海 默症等神经系统类疾病的发生发展密切相关，精准、实时监测其脑 内含量可作为临床诊疗的重要参考。电化学分析法具备成本低、响 应快、可实现体内实时监测等优势。然而，脑内复杂环境中蛋白吸 附、多物质共存等因素会极大干扰多巴胺的定量分析，这对电极的 灵敏度、选择性和稳定性提出了极高的要求。因此，研发出满足要 求的电极材料是实现多巴胺电化学检测临床应用的关键。掺硼金刚 石 (BDD) 电极生物相容性好、背景电流低、电势窗口宽、抗吸附性 强、化学稳定性高，相较于易团聚、易脱落而失效的金属纳米颗粒 或电阻较大的高分子材料， BDD 电极更具潜力解决上述多巴胺检测 的难点问题。然而， BDD 电极虽能有效抵御蛋白吸附，但在多巴胺 的选择性检测方面存在不足： BDD 电极表面缺乏能够高灵敏度、高 选择性检测多巴胺分子的官能团。因此，在保持 BDD 本征特性的基 础上，系统研究 BDD 电极表面改性与功能化修饰对电化学检测多巴 胺的选择性、灵敏度和稳定性的影响机理，是 BDD 电极实现临床应 用的关键。基于此，本论文从 BDD 膜电极的功能性改性与修饰到 BDD 微电极体内检测，系统研究了 BDD 膜电极在多巴胺电化学检测 中的作用机理，揭示了 BDD 电极界面性质对多巴胺分子氧化过程的 影响规律，所得具体结论如下： (1) 针对 BDD 电化学活性较低的问题，采用高温溶碳刻蚀和滴 涂修饰方法，在 BDD 电极表面刻蚀纳米孔洞并修饰 Nafion 选择性透 过膜（ NAF ），制备了 Nafion 修饰的多孔 BDD 复合电极 NAF/pBDD ； 研究了该复合电极对多巴胺的电化学检测机理，揭示了 NAF/pBDD 复合电极比 BDD 电极具有更多活性位点的原因，同时探究了 Nafion 膜对多巴胺和抗坏血酸的作用机制；该电极针对多巴胺的检测限 (42 nM) 和检测线性范围 (0.1 ~ 110 μM) 相较于 BDD 均得到了有效改善。 (2) 针对 BDD 电极对多巴胺选择性较弱的问题，在 pBDD 表面 修饰活性更高的纳米炭黑颗粒 (CB) ，制备了 NAF-CB/pBDD 复合电 极，研究了炭黑颗粒的加入对主要干扰物抗坏血酸 (AA) 电化学响应 的影响机理，揭示了该电极在高浓度、多干扰物并存环境下对多巴 胺的选择性检测机制。结果表明，该电极可有效将干扰物抗坏血酸 的氧化电位提前以减少对多巴胺信号的干扰，检测限 (54 nM) 和检测
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Jacobio Pharmaceuticals Group Co。，Ltd。 加科思...
该公司今天宣布，Abbvie已向当事方的许可证和合作协议（协议）发表了终止通知，以根据Abbvie在其投资组合优先级的总体战略决策方面的一部分，签署了Jacobio的SHP2抑制剂的全球开发和商业化和商业化。终止该协议后，雅各比奥将重新获得以前授予Abbvie的全球权利，包括对所有开发，商业化，制造业，与SHP2抑制剂有关的所有开发，商业化，制造业，监管活动的决策授权。Jacobio还将有权在全球范围内为此类SHP2抑制剂预订销售。双方将合作以有序地将协议下的责任转变为不超过180天。在过渡期，Abbvie将继续根据预先批准的开发计划来偿还所有费用。
Jacobio Pharmaceuticals Group Co。，Ltd。 加科思...
1L NSCLC（与JAB-3312，Jacobio的SHP2抑制剂结合使用） - Glecirasib的I/IIA期试验与本地晚期或携带具有KRAS G12C突变的局部晚期或转移性晚期实体瘤中的JAB-3312结合使用。探索了具有不同剂量水平和频率的七个剂量方案。 2023年10月在西班牙马德里举行的2023年欧洲医学肿瘤学学会（ESMO）大会上有144例患者的新兴安全性和效力数据。探索了具有不同剂量水平和频率的七个剂量方案。2023年10月在西班牙马德里举行的2023年欧洲医学肿瘤学学会（ESMO）大会上有144例患者的新兴安全性和效力数据。截至本公告之日，携带KRAS G12C突变的局部晚期或转移性实体瘤患者约有200例接受了Glecirasib和Jab-3312的组合治疗。在所有患者接受联合疗法中，约有100名患者是1L NSCLC患者。长期安全和效力数据已提交给2024年美国临床肿瘤学会（ASCO）年度会议。
激光处理技术的空间应用
当人类在月球勘探和火星迁移等行星上的活动时，有必要建立一个基地，包括出发和着陆运输飞机和运输路线。从地球运输物资的成本高和运输能力有限，因此有必要在当地获得和制造大量的建筑材料。作为解决方案，我们正在进行研究，重点是通过用激光射击和融化地球的地面土壤的层压和层压方法。基于激光的技术可以应用于目前在实际使用中的3D打印机技术，将来，预计太阳能激光器将在太空中使用。
特刊 - 硼苯和基于硼的纳米材料
苯丙烯是由硼原子组成的二维（2D）材料，由于其出色的机械性能，已成为广泛研究的焦点，甚至超过了石墨烯的强度和柔韧性。这些属性在健壮和弹性纳米材料的发展中呈现唯一的关键。此外，它的高电导率和各向异性电子特性在高级电子和储能技术中提供了有希望的机会。其独特的化学反应性为催化中提供了潜在的应用，尤其是在氢储存和燃料电池中。纳米材料的本期特刊旨在展示唯一的基于硼苯和硼基化合物的最新进步，突出显示其合成，性质和多面应用，包括理论和实验方面的进步。通过介绍该领域的主要专家的尖端研究，我们希望吸引高质量的提交，从而有助于本期刊的高影响力和意义，从而在这一令人兴奋的研究领域促进进一步的进步和合作。
六角硼硝化硼的深紫外光谱
从散装到单层guillaume cassabois laboratoire查尔斯·库仑（UMR5221）CNRS-montpellier University，F-34095 Montpellier，法国guillaume.cassabois.cassabois@umontpellier.fr Hexagonal Boron Nitride（Hexagonal Boron Nitride（Hbbn）依靠其低介电常数，高导热率和化学惰性。2004年，高质量晶体的生长表明，HBN也是深层硫酸群域中发光设备的有前途的材料，如加速电子激发[1]在215 nm处的激光证明[1]，也证明了激光的表现[1]，也证明了LASITIOL ELLICTER ELLICTIOL [1]，也证明了LASITER IN-type-type-type-type-type-typepe inter-typepe intype intype-ultraviolet [1]。具有类似于石墨烯的蜂窝结构，大量HBN作为具有原子光滑表面的石墨烯的特殊底物获得了极大的关注，更普遍地是范德华异质结构的基本构建块[3]。我将在此处讨论我们的结果，以从批量到单层的HBN的光电特性。i将首先关注散装HBN，这是一个间接的带隙半导体，具有非凡的特性[4]。i将介绍我们最近的测量结果，揭示了散装HBN中巨大的光 - 物质相互作用[5]。然后，我将向单层HBN讲话。在通过高温MBE在石墨上生长的样品中，在与原子上薄的HBN发射的共鸣中发现了最小的反射率，从而证明了单层HBN的直接带隙[6]。最近通过从散装晶体中去除的单层HBN中的深度硫酸盐中的高光谱成像进一步证实了这些结果[7]。参考
δ-5硼单层作为Li
我们使用密度函数理论模拟的δ-5硼单层作为碱金属（AM）和碱 - 地球金属（AEM）离子电池的阳极材料的电化学性能。探索了Δ-5硼M on洛耶木中各种金属原子（M）的电子特性，吸附，扩散速率和存储行为。我们的研究表明，电子和金属离子传输（0.493-1.117 eV）具有较高的电导率和低激活屏障，表明快速充电/放电速率。此外，发现LI，Na和K的δ-5硼单层的理论能力大于商业石墨的理论能力。AM和AEM的平均开路电压相当低，在0.34-1.30 V的范围内。我们的结果表明，δ-5硼单层单层可能是锂离子和非锂离子可充电电池中有希望的阳极材料。关键字：2D材料；吸附；储能；模拟;扩散简介
血浆诱导的六角硼硝化硼的光活性缺陷
六角硼硝酸盐（HBN）在过去十年中一直是众多研究工作的主题。是在HBN中产生光学活性缺陷，因为它们易于整合，例如在范德华（Van der Waals）异质结构及其室温光子发射。在HBN中创建此类缺陷的许多方法仍在研究中。在这项工作中，我们介绍了使用具有不同等离子体物种的远程等离子体在HBN中创建单个缺陷发射器的方法，并从统计上报告了结果。我们使用了氩气，氮和氧等离子体，并报告了由不同气体物种及其光学特性产生的发射器的统计数据。特别是，我们检查了血浆过程前后的去角质片的发射，而无需退火步骤，以避免产生不受血浆暴露引起的发射器。我们的发现表明，纯物理氩等离子体治疗是通过血浆暴露在HBN中创建光学活性缺陷发射器的最有希望的途径。
增材制造 (AM) 是一种技术...
定向能量沉积 (DED) 是一种增材制造 (AM) 技术，传统上仅用于有限的行业和应用，例如航天工业，其中堆积（从头开始的增材制造）具有成本效益（图 1 (a)）。然而，它正在被应用于更加实际的应用，例如修复模具和涡轮叶片（图1（b））、增加耐热和耐磨等功能的涂层（图1（c））以及异种金属的增材制造（图1（d））。该系统具备熔覆（金属增材制造）能力，可替代淬火、焊接、连接、热喷涂、粉末烧结、涂层、冷喷涂等工艺，实现从切割到熔覆再到磨削的一条生产线在一台机器上完成。 ※除了上述预计的引进价格外，可能还需要工厂改造费用等。