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World File Search System硼层
硼氧化石墨烯 - DFT研究掺杂剂的作用...
图2。原始石墨烯（C 54，第一行）的电子结构（总DOS），并研究了硼氧化的石墨素C 54- n B n（底部三行）。分别显示硼掺杂原子的P状态（如果C 52 B 2，则两个B原子的P状态重叠）。为了清楚起见，所有总DOS图均除以5。费米级（虚线，黑线）设置为0。
适用于特殊 FIB 应用的硼液态金属合金离子源
聚焦离子束 (FIB) 装置是一项关键技术，在纳米技术领域已得到广泛应用，可用于局部表面改性、掺杂、原型设计以及离子束分析。这种 FIB 系统的主要组成部分是离子源及其可用的离子种类 1 。目前，大多数仪器都采用 Ga 液态金属离子源 (Ga-LMIS)，但对其他离子种类的需求仍在增加 2 。一种非常受关注的元素是硼，它是元素周期表中最轻的元素之一，在微电子学中已得到广泛应用，可通过注入或扩散在硅中进行 p 型掺杂 3 。人们长期以来一直对硼在 LMAIS 中的应用感兴趣，并为此付出了很多努力，通过 FIB 对材料进行局部改性，从而避免 B 宽束注入和光刻步骤。硼有两种稳定同位素，质量为 10 u（19.9% 天然
氢键导向邻位选择性 CH 硼化...
无需预活化即可对复杂分子进行功能化，从而可以在合成序列的后期引入功能团。[1] 直接 C @ H 硼化尤其令人感兴趣，因为硼功能团可以通过各种各样的转化进行进一步修饰，包括 Suzuki 偶联反应、胺化、羟基化和卤化，从而提供结构和功能的分子复杂性。[2] 对于该应用至关重要的是可以控制反应的选择性，这对于空间和电子失活的 C @ H 键尤其具有挑战性。最近，已经探索了利用底物和金属配合物配体之间的超分子相互作用来控制选择性，[3] 并且这导致了用于电子（未）活化底物的选择性间位或对位 C @ H 硼化的催化剂。 [4] 然而，邻位选择性 C @ H 硼化仅报道用于电子活化芳烃，例如胺、[5] 醇、[6] 或硫醚取代的 [7] 芳烃。二级芳香酰胺是药物、农用化学品和精细化学品中非常常见的结构单元，[8] 因此，此类化合物的邻位选择性 C @ H 硼化将非常有趣。然而，此类化合物的直接邻位 -C @ H 硼化极具挑战性。对于常见的铱-
硼链链接晶体有机聚合物的合理结构
摘要：归因于独特的拓扑复杂性和优雅的美丽，Borromean系统引起了强烈的关注。然而，目前，硼有机聚合物的建造仍然是一个挑战。为了应对这一巨大的挑战，我们开发了一种超分子 - 诱导的方法来制造硼链链接的有机聚合物。尼古拉德式构建块，具有线性脱氧基础块，构建两个稀有的共价有机框架（COFS），具有高结晶度和坚固的结晶度和坚固的结晶度和坚固型，犹太人选择的三角锥体构件（1,3,5- tris（4-氨基苯基））的溶剂热凝结反应。 结构完善揭示了纠缠2D的成功形成！ 2D硼阵列结构。 这两个COF都是微孔的，因此证明了气体分离的潜力。 成功合成了前两个Borromean连接的有机聚合物，铺平了大道，将超分子合成驱动的方法扩展到其他构件和拓扑，并扩大了COF的家庭和范围。犹太人选择的三角锥体构件（1,3,5- tris（4-氨基苯基））的溶剂热凝结反应。结构完善揭示了纠缠2D的成功形成！2D硼阵列结构。这两个COF都是微孔的，因此证明了气体分离的潜力。成功合成了前两个Borromean连接的有机聚合物，铺平了大道，将超分子合成驱动的方法扩展到其他构件和拓扑，并扩大了COF的家庭和范围。
hexagonal硝化硼中的供体 - 受体对量子发射器
Brain Driver BCI赛车游戏用于练习化身（虚拟赛车）的控制（图1C）。Braindriver游戏的实际轨道包括四个不同的区域。有左右曲线的区域，有街道灯打开或关闭路灯的区域。要保持车辆的最大速度，飞行员必须使用4级BCI（例如，左或右臂运动图像或权利转弯，脚“大灯”，并放松“无控制”）。如果提出了不正确的命令，则抑制车辆，这对飞行员表现出明显的负面视觉反馈，以实现学习和尝试校正策略。发出命令后，指示飞行员立即放松，以允许“无控制”，或者作为继续维护
PL1166A 与PL1167 的对比说明
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浅碳层和深N++层对IHEP-IME LGAD传感器辐射硬度的影响
摘要 — 低增益雪崩二极管（LGAD）用于高粒度定时探测器（HGTD），它将用于升级 ATLAS 实验。首批 IHEP-IME LGAD 传感器由高能物理研究所（IHEP）设计，微电子研究所（IME）制造。三个 IHEP-IME 传感器（W1、W7 和 W8）接受中子辐照，辐照剂量高达 2.5 × 10 15 n eq / cm 2，以研究中子浅碳和深 N++ 层对辐照硬度的影响。以 W7 为参考，W1 施加了额外的浅碳，W8 具有更深的 N++ 层。在Bete望远镜测试中测得的3个IHEP-IME传感器的漏电流、收集电荷和时间分辨率均满足HGTD的要求（在2.5×1015neq/cm2辐照剂量后<125µA/cm2、>4fC和<70ps）。碳层较浅的W1传感器抗辐射能力最强，N++层较深的W8传感器抗辐射能力最差。
基于分布的应变感测的储层监测碳固换储层
该项目是由美国能源部国家能源技术实验室资助的部分，部分是通过现场支持合同资助的。美国政府，其任何机构，其任何雇员，支持承包商，或其任何雇员既不对任何信息，设备，产品或程序所披露的任何法律责任或责任，或承担任何法律责任或责任，或者承担任何法律责任或责任，或者表示其使用均不将使用其使用，或者代表其使用不会侵权私人权利。在此引用以商业名称，商标，制造商或其他方式参考任何特定的商业产品，流程或服务。本文所表达的作者的观点和观点不一定陈述或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
原子层沉积：综合指南
原子层沉积 (ALD) 是一种薄膜沉积技术，已广泛应用于半导体行业，用于生产微电子和其他设备。ALD 的独特之处在于它通过一次沉积一层原子层来精确均匀地沉积材料层。本文全面概述了 ALD，包括其历史、原理、应用和当前的最新研究成果。随着各行各业对高质量薄膜的需求不断增加，ALD 的前景一片光明，使其成为生产先进设备和系统的有前途的技术。
储层的机械刚度和渗透性 -
摘要我们研究了在野外尺度上逼真的粗糙裂缝的正常刚度和渗透性如何在其闭合期间与渗透阈值相连和进化。我们将方法基于裂缝粗糙度的良好建立的自我植入几何模型，事实证明，这是从实验室到多公斤级尺度的相关代理。我们探索了它对储层尺度开放渠道中断裂孔的影响。我们使用驼鹿/魔像框架在有限元模型上建立了方法，并在256×256×256 m 3的数值流通实验中进行数值直通实验，3花岗岩储层在可变的正常载荷条件下，在可变的正常载荷条件下，该储存在单个，部分密封的裂缝下。Navier -Stokes流动在嵌入的3二维粗断裂中求解，而Darcy流则在周围的毛弹性基质中求解。我们研究裂缝闭合过程中断裂岩系统的机械刚度和流体通透性的演变，包括影响接触表面几何形状（如浅薄的产量）和沉积在粗糙片段开放空间中的裂缝填充物质的机制。在很大程度上观察到的刚度特征与裂缝表面的自我伴侣特性有关。当施加压力梯度的两个正交方向上超过两个正交方向时，可以证明断裂通透性的强各向异性。，我们提出了一项基于物理的定律，以随着渗透性的降低而以指数呈刚度的指数增加形式的僵硬和渗透性的演变。