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World File Search System碘化物
教授Yong Soo Kang 电子邮件: kangys@hanyang.ac.kr 电话
姜勇洙教授 电子邮件：kangys@hanyang.ac.kr 电话：+82.2.2220.2336 教育背景 塔夫茨大学 博士学位 1986 韩国科学技术院（KAIST）硕士学位 1978 首尔国立大学 学士学位 1976 研究兴趣 染料敏化太阳能电池、气体分离膜、促进传输、功能聚合物 职业生涯 2020 年至今，汉阳大学能源工程系名誉教授 2018 – 2020 年，汉阳大学能源工程系杰出教授 2010 – 2018 年，汉阳大学能源工程系教授 2008 – 2015 年，下一代染料敏化太阳能电池中心主任 2005 – 2009 年，汉阳大学化学系教授工学学士，汉阳大学 1998 – 2005，促进运输膜研究中心主任，1998 – 2005，韩国科学技术研究院（KIST） 1992 – 1993，美国国家标准技术研究院 专业活动及奖项 2017，‘第5届白南学者奖’，汉阳大学 2015，‘韩国最佳成就奖’，未来创造科学部 2011，‘上岩聚合物奖’，韩国聚合物学会 2010，‘年度校友’奖，塔夫茨大学 2004，《膜科学杂志》编辑委员会 2005 – 2007，《大分子研究》主编 2003，韩国聚合物学会学术成就奖 2002，韩国聚合物学会最佳论文奖韩国科学技术协会联合会 2001 年，韩国科学工程基金会月度科学家 撰写了 320 篇科学论文、30 项专利 精选出版物 1. 探索金纳米团簇敏化太阳能电池中的界面事件：深入了解团簇尺寸和电解质对太阳能电池性能的影响，J. Am. Chem. Soc.，138,390 (2016) 2. 平面铅卤化钙钛矿太阳能电池的界面退化，ACS Nano，10，218 (2016) 3. 离子液体 BMIMBF4 中 AgO 纳米粒子表面的加速 CO2 传输，Sci. Rep.，5，16362 (2015) 4. Ag 纳米粒子的表面电荷密度与吸附的丙烯量之间存在强线性相关性，J. Mater. Chem. A,2,6987 (2014) 5. 增强石墨烯的电荷转移特性用于染料敏化太阳能电池中的三碘化物还原，先进功能材料，21，19，3729 (2011) 6. 银纳米粒子的表面能级调节用于促进烯烃运输，应用化学国际版，50，13，2982 (2011) 7. 部分带正电的银纳米粒子在促进烯烃/石蜡分离膜运输中的新应用，材料化学，20，4，1308 (2008) 8. 对苯醌活化的银纳米粒子部分极化表面与烯烃的相互作用及其对促进烯烃运输的影响，先进材料， 19,475（2007）9。利用离子液体控制银聚合物电解质中的离子相互作用及其对促进烯烃传输的影响，材料化学，18，7，1789 (2006)
研究MASNBR3吸收层的影响...
研究Masnbr 3吸收层厚度对FTO /TIO 2 /MASNBR 3 /CUI PEROVSKITE太阳能电池特征T. A. Mohammed A，M。W. Aziz A，M。W. Aziz A，H。W. Hamed A，J。M. Rzaij B，kirkik of Scorecation of Kirkuk，Irab by of Irab kirkuk，Irab by irab be a irab by a irab beir，irab beirike for a i rak kir kirkik b。伊拉克拉马迪（Ramadi）这项工作包括设计一个太阳能电池，其中含有氟含氟锡的氧化锡，二氧化钛，甲基铵锡锡溴和杯状碘化物。研究了从0.2μm到2.5μm的吸收层厚度对发达的PSC性能的影响。最佳性能的吸收层的厚度为0.2μm。合成太阳能电池提供的开路电压为1.07 V，短路电流为34.356 mA/cm 2，效率为30.68％，最佳厚度为0.2μm的填充系数为83.404。与传统同行相比，发现了开发的PSC的成本效益，环境可持续性的提高和鲁棒性。（2024年2月16日收到； 2024年5月3日接受）关键词：钙钛矿，太阳能电池，SCAPS-1D，效率，填充因子，量子效率1。简介地球收到了大量的太阳能，太阳提供了足够的能量，以满足全年的全球能源需求。此外，每天的太阳辐射都超过了世界人口的总能源消耗。太阳能到达地球三天等同于所有已知的化石燃料来源中存储的能量。Park等。 在2017年，Anwar等人。Park等。在2017年，Anwar等人。太阳能自由使用，代表了一种有希望的和可持续的资源。实用太阳能电池技术的创建可以追溯到30年来。随着时间的推移，太阳能电池的效率和寿命显着改善，尤其是随着晶体管和半导体技术的进步。光伏技术将光能转化为电流，它是全球最具前瞻性的可再生能源形式之一[1-3]。太阳能电池通过将光（无论是从阳光还是人工来源）转化为电能来发挥作用。正在进行的发展旨在产生具有成本效益，用户友好，高效且耐用的太阳能电池，通常称为稳定的太阳能电池。钙钛矿太阳能电池是一种具有钙钛矿结构化合物的一类太阳能电池，引起了人们的注意。这种化合物通常是有机无机杂种或主要基于铅的卤化物材料，是能量收集的活动层。值得注意的钙钛矿材料包括铅甲基铵和铅卤化物，以其成本效益和制造方面的简单性而闻名。钙钛矿太阳能电池技术的进步已显着提高效率，归因于内部结构修改，从2009年的3.8％上升到2018年底的22.7％[4]。探索非铅替代方案的探索导致在创建钙钛矿太阳能电池中研究了金属卤化物，例如SB，AG，SN，CU，GE和BI。采用相同的原理成功开发了该细胞，并达到了6.5％的能量转换效率[6]。具体而言，含有金属卤化物（例如Ch 3 nh 3 snbr 3）的钙钛矿由于其理想的带隙为1.3 eV而成为非铅钙钛矿太阳能电池的有前途的候选者。当我们努力向更清洁和更可再生能源过渡时，这些发展强调了可持续和有效的太阳能技术的潜力[5]。研究了一个具有多型钙钛矿吸收层的太阳能电池，他们发现效率为20.21％，20.23％和18.34％[7]。在2018年，Muniandy等人。使用不同类型的
碘化砷6x的催化作用
Ab Ram Jyothis博士和Meenakshy Kr doi博士：https：//doi.org/10.33545/26164485.2023.v7.i3.v7.i3.v7.i3g.943抽象的复发性呼吸道感染（RRTIS）在儿童中很常见，可能导致复杂性。大多数孩子每年都有三到六个RRTI的体验。尽管这些感染是自我限制的，但症状可能令人痛苦。许多治疗方法用于控制症状并缩短疾病持续时间。大多数人的收益最小，可能导致不利影响。用个性化同种疗法药物的宪法治疗在儿童期RRT中受益。 本研究旨在调查宪法治疗下儿童中碘化砷6倍治疗的补充。 有60名复发性呼吸道感染的儿童鉴定出诊断RRI的标准。 用一组（n = 30）和iodatum 6x的宪法医学以及宪法医学对另一组（n = 30）进行了一项开放标签比较研究。 本研究的结果表明，如果与同种疗法选择的宪法医学一起使用，则碘化砷6x的催化作用可预防儿童的RRI。 这项研究强调了碘化砷6X的使用，以增加对儿童呼吸道感染的免疫力。 关键词：循环呼吸道感染，宪法医学，碘化砷6倍，个性化同种疗法医学1。 引言复发性呼吸道感染（RRI）是小儿年龄组发病率和死亡率的最重要原因。用个性化同种疗法药物的宪法治疗在儿童期RRT中受益。本研究旨在调查宪法治疗下儿童中碘化砷6倍治疗的补充。有60名复发性呼吸道感染的儿童鉴定出诊断RRI的标准。用一组（n = 30）和iodatum 6x的宪法医学以及宪法医学对另一组（n = 30）进行了一项开放标签比较研究。本研究的结果表明，如果与同种疗法选择的宪法医学一起使用，则碘化砷6x的催化作用可预防儿童的RRI。这项研究强调了碘化砷6X的使用，以增加对儿童呼吸道感染的免疫力。关键词：循环呼吸道感染，宪法医学，碘化砷6倍，个性化同种疗法医学1。引言复发性呼吸道感染（RRI）是小儿年龄组发病率和死亡率的最重要原因。根据流行病学研究，据估计，在发展中国家，年龄<1岁的儿童中有25％，1-4岁的儿童中有18％，在6岁以下的儿童中，有RRI [1]。要诊断RRI至少存在以下诊断标准之一[2]。每年≥6种呼吸道感染，每月≥1个呼吸道感染涉及上呼吸道，每年≥3种呼吸道感染涉及下气道。从治疗和预防性的角度来看，患有RRI的孩子对儿科医生来说是一个巨大的挑战。医师的作用已从治疗疾病方面扩展，以维持更好的健康。对宪法药物的同种疗法治疗可有效地治疗和预防RRI [3，4]。药物砷6x，是由砷化碘化物制备的，通过用碳 - 二硫化物中的碘溶液处理砷[5]来合成。Clarke指出，砷含量可用于肺和支气管的慢性和复发性炎症状态，并带有大量的，绿色的黄色，类似脓液的期望和短呼吸[6]。Blackwood表明，在慢性卡塔哈尔条件下，艾森尼碘含量具有绿色的黄色脓样期望。在结核病和卡他的肺炎中也指出，夜汗，复发性发烧，消瘦，咳嗽和粘液性期望，呼吸困难，良好的张力和快速脉搏[7]。
光伏
图18。（a）化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响，（b）BII 3，（c）AGBII 4（缺陷型旋转结构）和（d）AGBII 4（CDCL 2-type结构）的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可，69（1），（2024）。[139]版权所有©2024，Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的，用于图像分析，然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩，以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A）CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B）CS 3 Bisbbr 3 I 6和C）CS 3 SB 2 BR 3 I 6，使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A）CS 3 BI 2 I 9 B）CS 3 BI 2 BR 9 C）CS 3 SB 2 I 9和D）CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a）cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006]，b）cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201]，c）cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d）cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a）cs 3 bi 2 I 9，b）cs 3 bi 2 br 9，c）cs 3 sb 2 i 9和d）cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。（a）CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑，以及（b）Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300K pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合，用于a）r3̅MH参考和b）fd3̅m参考。pl衰变光谱在a）5.5k，b）40k，c）150k和d）300k pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱，从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c）合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9（顶部）和CS 3 SB 2 I 9（底部）的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a）cs 3 bi 2 i 9，b）cs 3 bi 2 i 9，c）cs 3 sb 2 i 9，d）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 sb 2 i 9和e）cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a）在合成的当天未涂层，b）合成后23天未涂层，c）在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗，而d）d）在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b）110ᵒC，c）120ᵒC，d）130ᵒC，e）140ᵒC和f）150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像，标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a）未使用反溶剂，b）氯苯，c）IPA，d）甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像，在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A）1：1 B）1：1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1 B）1：1 22S C）3：1 d）3：1 D）3：1 D）3：1 D）在22s e）5：1 f）5：1 f）5：1 f）10：1 f）10：1 f）at 22：1 f）at 22：1 g） chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100