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World File Search System碳化硅
任命 Andrew Ruys 教授为……
20 世纪 90 年代，Ruys 教授是 Modern Ceramics Company Pty Ltd（简称“MCC”）的创始董事之一。MCC 是当时全球领先的 RSSC 碳化硅 (SiC) 陶瓷制造商之一，在其悉尼工厂大规模生产工业 SiC。在他的指导下，MCC 从其悉尼工厂生产和出口先进陶瓷，为公司的国际声誉做出了重大贡献。MCC 还管理了先进石墨技术的早期开发，该项目由 Ruys 教授领导。
p-SiC® 固体 SiC CVD 纯化等静压石墨多孔...
在通常称为升华生长的物理气相传输 (PVT) 中，保持在特定温度下的源材料会升华，其蒸气通过扩散和对流传输到保持在较低温度下的籽晶，在那里可以结晶。碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (AlN)、氧化锌 (ZnO) 和其他材料作为下一代功率器件引起了人们的关注。这些单晶制造工艺涉及高温和恶劣环境，使用氨和氯化氢等腐蚀性气体。
在Xile教授的实验室中生物催化的博士后位置...
在过去的十年中已经完成了巨大的工作，以使芯片上有效2（𝜒𝜒（2））和3阶非线性过程。虽然具有强大的材料（2）表现出巨大的希望，但在制造或可靠性方面，它们仍然面临许多挑战，并且保持CMO不兼容。为了克服这些局限性，我们将开发宽带的带隙第三代半导体碳化硅SIC。博士项目将着重于开发高级设计和技术，以利用和增强非线性矿石，并以Phosl的专业知识为基础。
2023 年年度报告 - 投资者关系
在过去的财年，我们进一步扩大了合作伙伴关系，例如，与 Onsemi 和 ROHM 公司建立了长期的碳化硅供应商合作伙伴关系。我们还为与宝钢和英飞凌分别就高质量硅钢和微控制器达成的新合作协议感到自豪，这些协议可用于进一步提高电动汽车的效率和系统成本。此外，我们在 2023 年 4 月推出了 EMR4 集成式电子轴驱动器的变体。它完全不使用稀土，这只是上一财年的众多技术创新之一。2023 年夏天，我们还宣布进入独立售后市场。
碳刷和持有人技术手册
采用这些方法中的哪一种，如果可能的话，应在全速运行时全速运行时收集器。当机器高速运行时，这一点尤其重要。表面应在尝试加工之前用碳化硅布分解，必须检查云母上底切的深度，并将其与True true commutator所需的材料量进行比较。如果将通过转弯操作完全删除底切，则必须在完成任何转动之前降低云母。这样，现有的底切可以用作底切工具的指南。
高压工程 - COMSOL
在 Wolfspeed，COMSOL Multiphysics ® 软件模拟在设计阶段被证明对节省时间和金钱特别有帮助。他的新设计基于两种宽带隙半导体，氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC)，它们在高频和高温下稳定运行。模拟对于找到几何和材料特性的最佳组合以优化新电源模块的重量、开关频率和功率密度至关重要（图 2）。“Wolfspeed 专注于高功率密度产品，这些产品需要进行大量精确测试才能完善。在投入金钱和时间进行原型设计和构建之前，能够进行模拟是非常有价值的，”他评论道。
石化 - 材料传输和投机性...
岩化是一个从纤维素到岩石的转化过程，使您可以想象一个具有简单形状的陶瓷伪影，从纸，绳索，棉花，木材或纸板。它由两个阶段组成：将二氧化硅溶液输注到模型中，然后是大气热解。在这种射击期间，碳和二氧化硅融合形成碳化硅，这是一种刚性且磨蚀性的陶瓷，技术上与钻石相当。这个项目 - 由Emile de Visscher与ESPCI（JérômeBibette），UPMC（Florence Babonneau）的科学家合作开发设计可以想象创新的手工制造过程。
执行投资协议和股份的宣传
作为这一多元化策略的一部分，Acil正在对Clas-SIC WAFER FAB LIMITED进行战略投资，这是一家位于英国的专用硅硬质合金晶体制品基金会，具有SIC设备的制造能力。这将是印度对具有硅碳化物MOSFET/设备生产能力的第一家投资。这项投资与公司通过SICSEM Private Limited（SICSEM）（SICSEM）的更广泛的半导体计划保持一致，并确保了印度的技术独家性。Acil在特种化学品中的核心竞争力是通过其SIC半导体业务创造自然协同作用的。通过其子公司SICSEM Private Limited，Acil进入了复合半导体空间（碳化硅），重点关注电动汽车（EVS），可再生能源系统，工业电力电子，数据中心等行业等。SICSEM已与领先的全球公司建立了关键技术和过程合作伙伴关系：-Clas -SIC WAFER FAB（英国）：提供SIC流程技术和设计工具包。-Nomis Power（美国）：支持汽车和工业应用的设备设计和资格。-Aixtron（德国）：为SIC外延膜沉积提供设备。-IIT Bhubaneshwar：硅碳化物水晶增长公司的行业学术伙伴关系旨在在接下来的24-36个月（第一阶段）生产高质量的SIC Power Devices（第一阶段），以服务国内和国际市场。SICSEM的碳化硅制造设施提议在奥里萨邦州建立。SICSEM还将该申请提交了印度政府的印度半导体任务，该任务目前正在等待批准。