我们对低温三端开关纳米低温加速器 (nTron) 的传统几何形状进行了设计修改。通过包含并行载流通道对 nTron 的传统几何形状进行了修改,这种方法旨在提高设备在磁场环境中的性能。nTron 技术面临的共同挑战是在变化的磁场条件下保持高效运行。在这里,我们表明,并行通道配置的调整可提高栅极信号灵敏度、提高操作增益,并降低超导涡旋对高达 1 T 的磁场内 nTron 操作的影响。与受有效通道宽度限制的传统设计相反,并行纳米线通道允许更大的 nTron 横截面,进一步增强了设备的磁场弹性,同时由于局部电感降低而改善了电热恢复时间。nTron 设计的这一进步不仅增强了其在磁场中的功能,还扩大了其在技术环境中的适用性,为现有的 nTron 设备提供了一种简单的设计替代方案。
背景:动物和细胞中活性氧 (ROS) 的产生通常是由于暴露于低强度因素(包括磁场)所致。关于氧化应激的引发以及 ROS 和自由基在磁场影响中的作用的讨论大多集中在自由基诱导的 DNA 损伤上。方法:用分光光度法测定最终溶液中的 DNA 浓度。通过聚合酶链式反应对 8-氧鸟嘌呤 DNA 糖基化酶 (hOGG1) 基因的多态性变体 rs1052133 进行分型。采用酶联免疫吸附测定法测定 DNA 中的 8-氧鸟嘌呤水平。为了处理暴露于交变磁场的样品,作者开发了一种在交变磁场中自动研究生物流体的装置。用分光光度法测定 DNA 水溶液中过氧化氢的含量。结果:实验确定,在低频磁场作用下,水介质中过氧化氢的浓度增加3至5倍,会降低基因组材料对氧化修饰的抵抗力以及DNA中8-氧鸟嘌呤的积累。提出了低频磁场对核酸和蛋白质水溶液作用机理的模型,该模型满足水介质中活性氧物质转化的化学振荡器模型。该模型说明了DNA水溶液中发生的过程的振荡性质,并可以预测生物聚合物水溶液中过氧化氢浓度的变化,这取决于作用的低强度磁场的频率。结论:低强度磁场对生物系统影响的机制中关键因素是化学振荡器水环境中ROS的生成,其中物理和化学过程(电子转移,自由基的衰变和加成反应,自旋磁诱导的转化,最长寿命形式过氧化氢的合成和衰变)的竞争受磁场控制。
2,其中内层相互作用是排斥的,并且层间相互作用很有吸引力。我们在圆环上进行精确的对角度(ED)计算,以研究分离距离d / l b时的相变。d c / l b = 0处的临界点。68的特征是变性和能量水平的交叉。在D / L B 成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。时相关。成对相关函数表明具有相反伪旋转的电子在𝑟=0。我们发现了由结合对组成的激子条带相。铁磁基态被强大有效的有吸引力的潜力破坏。电子复合 - fermion(ECF)和一个孔复合费用(HCF)紧密结合。在D / L B> D C / L B区域中,观察到从D→D C极限到大D极限的交叉。电子和孔复合液体(CFL)分别通过相对的相对的复合材料(CF)实现。
我们研究了在 p-Pb 碰撞中由于初始涡量和电磁场的影响而产生的小系统中重夸克的定向流。我们使用相对论传输代码来模拟小系统的体积演化,并使用朗之万动力学研究重夸克动量演化。对于重夸克与体积的相互作用,我们采用了准粒子模型 (QPM)。我们观察到由于电磁场而产生的粲夸克的定向流分裂 (v 1) 较大,这与核-核碰撞中粲夸克的定向流分裂相当。然而,在 p 核碰撞中,由于初始倾斜物质分布而导致的定向流的幅度并不大。由于碰撞系统的不对称性,观察到的定向流并不快度奇数。本文中提出的结果提供了一种独立的方法来量化产生的初始电磁场和小系统中的物质分布。
意识到诸如RBSR之类的双重分子的磁相结合已经证明了迄今为止的难以捉摸的目标,尽管已经取得了长足的进步。14,15,28–31由于SR和其他二价原子的单线特征,不存在Bialkali系统期望的通常的自旋 - 旋转耦合,并且Feshbach共振非常狭窄。32–34实际上,RBSR系统的最有前途的共振位于1313 g(用于Bose-Bose 87 RB + 84 SR系统)和519 G(用于87 RB + 87 SR BOSE-FERMI混合物),具有1.7和1.7和16 mg的宽度。 15因此,需要对施加磁场的PPM级控制。此外,初始激光冷却阶段需要在接近零和四极磁场之间切换,因此需要避免永久磁铁和其他磁性材料。总的来说,磁场所需的控制水平和可重复性构成了严重的实验挑战。先前报道的方案稳定了实验室中的Feshbach线圈电流或环境磁场,但并非两者兼而有之。例如,先前证明了用于平均至子PPM精度的原子物理学的低噪声驱动因素。35,36
完整的作者名单:Knehr,Kevin;约瑟夫(Joseph)Argonne国家实验室,化学科学与工程部Kubal; Argonne国家实验室,化学科学与工程部Deva,Abhas;穆罕默德(Mohammed)Argonne国家实验室,化学科学与工程部Effat; Argonne国家实验室,化学科学与工程部; Assiut University,Shabbir机械动力工程系; Argonne国家实验室,化学科学与工程部
在基于量子阱的异质结构材料中,研究能态密度对量化磁场强度和占据的依赖关系,可以为纳米级半导体结构中电荷载流子的能谱提供有价值的信息。当低维半导体材料暴露于横向量化磁场时,能态密度可以通过动力学、动力学和热力学量的振荡依赖关系来测量——磁阻、磁化率、电子热容量、热电功率、费米能和其他物理参数 [3, 4]。由此可见,在横向和纵向磁场存在下研究矩形量子阱导带能态密度的振荡是现代固体物理学的迫切问题之一。
H. Navarro 1*, Ali C. Basaran 1, F. Ajejas 1, L. Fratino 2.3, S. Bag 2, TD Wang 1, E. Qiu 1, V. Rouco 4, I.