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探索 FePS3 中的 dd 转变动力学
© Prof. Mirko Cinchetti 晶体中过渡金属离子局部 3d 态之间的激发，通常称为 dd 跃迁，在固态物理、材料科学和化学中的各种现象中起着关键作用。这些跃迁对过渡金属氧化物的光学性质、氧化物表面的催化活性、高温超导性和磁行为有重大贡献，促进了自旋交叉跃迁，并将光激发与声子和磁振子等量化现象联系起来。二维 (2D) 反铁磁体中发现的独特效应，例如电子-声子束缚态、亚太赫兹 (sub-THz) 频率磁振子模式和混合声子-磁振子模式，凸显了由 dd 跃迁驱动的复杂现象。在本次演讲中，我将讨论我们最近对 FePS 3 的研究，之所以选择 FePS 3，是因为它有望成为一种可扩展的范德华反铁磁半导体，即使在 2D 极限下也能保持磁序。我们采用了两种互补的实验方法。首先，进行泵浦探测磁光测量，以观察激光驱动的晶格和自旋动力学。与 Fe 2+ 多重态中的 dd 跃迁共振的泵浦诱导了以 3.2 THz 振荡的相干声子模式。值得注意的是，这种模式在低光吸收范围内是可激发的，甚至可以保护单个反铁磁层免受损坏。模式的振幅随温度升高而减小，在系统转变为顺磁相时在尼尔温度下消失，从而说明了它与长程磁序的联系。此外，在外部磁场中，这种 3.2 THz 声子模式与磁振子模式混合，从而能够对所得的声子-磁振子混合模式进行光学激发 [1]。此外，我们利用角分辨光电子能谱 (ARPES) 探测基态的电子结构 [2]，并利用时间分辨 ARPES 捕捉 FePS 3 中选定自旋允许和自旋禁忌 dd 跃迁的超快动力学 [3]。磁光实验的见解与 ARPES 的发现相结合，揭示了 FePS 3 中 dd 跃迁背后的复杂准粒子动力学，从而更深入地了解它们在量子材料行为中的作用。
脑电图揭示抓取动作过程中事件相关去同步化的机制...
4.1 目的 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
磁特征收集和方法标准
磁特征和方法标准收集了具有多年磁传感器经验的人员的企业知识。这些个人因其对该学科的贡献而受到认可和尊重。大约有 32 名或更多技术人员为本文档的编写做出了贡献。这项团队工作涉及政府、军队、大学和公司的多个机构。这些组织包括但不限于德克萨斯大学；国家地面情报中心；尤马试验场；白沙导弹靶场；MITRE 公司；宾夕法尼亚州立大学；佛罗里达州埃格林空军基地的 46TW/TSR；美国陆军研究实验室 - 皮卡汀尼兵工厂；Sentech, Inc.；阿诺德工程开发中心；美国陆军水道实验站；阿伯丁测试中心；Bishop Multisensors 公司；和 BAE 系统。
绕线磁技术 - Exxelia
Exxelia 是一家复杂无源元件和精密子系统制造商，专注于高要求的终端市场、应用和功能。Exxelia 产品组合包括各种电容器、电感器、变压器、电阻器、滤波器、位置传感器、滑环和高精度机械零件，服务于航空航天、国防、医疗、铁路、能源和电信等众多领先的工业领域。
铁磁超导性及其与...
摘要：铁磁性和超导性（FMS）的共存一直是冷凝物质物理学的迷人领域，可洞悉非常规超导配对，自旋三重相互作用以及拓扑保护的表面状态。本文综述了FMS研究中最新的理论和实验进步，重点是隧道光谱，自旋轨道耦合以及拓扑材料的作用。我们讨论了自旋极性电流，超导间隙和铁磁顺序之间的相互作用，以及在包括拓扑绝缘子和石墨烯在内的新型材料中识别和操纵这些现象的挑战。特定的重点是使用隧道光谱作为探测对称性的工具，以及外部磁场和自旋轨道耦合对这些系统的影响。
压电和磁响应的可生物降解...
图 1. 不同 PHBV 膜表面和横截面 SEM 显微照片：a) PHBV_70:30 (CF:DMF)、b) PHBV_85:15 (CF:DMF)、c) PHBV_DMF、d) PHBV_DMSO；横截面：e) PHBV_70:30 (CF:DMF)、f) PHBV_85:15 (CF:DMF)、g) PHBV_DMF、h) PHBV_DMSO。所有图像的比例均为 20 µm。i) 不同 PHBV 膜的孔隙度。
磁传感器和几何磁倍率
抽象磁传感设备是极为重要的检测器，这些检测器被使用了几种重要且有用的应用。几何磁磁性（EMR）是与非磁性半导体 - 金属杂交结构相关的几何磁磁性，并受几何形状的影响。是洛伦兹力的结果，在半导体 - 金属杂交结构中，当前的路径从金属（没有磁场）变为半导体（在磁场的征服下）是EMR现象的关键，即一旦将金属放入半导体中，它就可以用作短路，大多数应用的电流通过金属的无机性移动，几乎全部的半导体 - 金属杂化结构的全部阻力下降到小于均质半导体的值小于均质的磁场，在其他磁场上，在其他磁场上，在其他磁场上都在磁场上，在磁场上，在磁场上进行了启动，在磁场上既有磁场，又在磁场上进行了启动的途径。并且整个电阻变成了相当高的幅度，取决于设备的几何形式。变量控制这些现象是金属和半导体电导率，半导体载体迁移率和装置几何形状。在本综述中，概述了EMR现象历史记录，变量控制IT，材料和应用程序的应用。
更改单分子磁的相互作用...
图1：TBRPPCO在PB（111）和BCS能量间隙的光谱上吸附。（a）Pb上的TBRPPCO分子岛的STM图像（111），中央CO原子显得最明亮（偏置电压：100 mV，隧道电流：50 PA，比例尺：1 nm）。超结构由1和2跨越。岛边缘的单个分子由虚线圆表示。白色箭头标记为110⟩方向。（b）孤立的TBRPPCO分子的STM图像（100 mV，50 PA，比例尺：1 nm）。（c）TBRPPCO在PB上计算出的松弛吸附几何形状（111）。（d）D I/ D V的光谱在干净的Pb上方的超导PB尖端（111）上方获得，并在嵌入岛上的TBRPPCO的Co Atom Center上，并在基板露台上分离（反馈环参数：10 mV，50 PA）。h +，h - 表示由于尖端和样品BCS DOS的对齐的冷凝峰引起的与隧道相关的光谱峰的高度； δ标记由冷凝峰距离定义的能隙宽度。（e）TBRPPCO岛（100 mV，50 PA，比例尺：2 nm）的STM图像，带有指示的特性镜检查位点。（f）宽度δ（反向三角形）和不对称η（三角形）从（e）中标记的十个分子上获得的d i/ d v光谱获得。阴影区域描绘了δ的不良边缘。