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World File Search System磁开关
托马斯·格雷伯（Thomas Greber），苏黎世大学14:00 101 14:15 102
物质中集体秩序的出现是物理学中最基本和有趣的素质之一。最近，已经引起了动态多效性的理论概念，以描述由于非铁磁材料中时间依赖性电化而引起的磁化的出现。在这里，由于这种机制，我们提供了原型perobelectric perovskite srtio 3中室温杂志的实验证据。我们以强烈的圆形极化的Terahertz电场来共鸣，并驱动红外的软声子模式，并检测到时间分辨的磁光kerr效应。我们的发现显示了控制磁性的新路径，例如，对于超快磁开关，通过一致控制晶格振动。
使用单层LA0.67SR0.33MNO3薄膜
摘要：在信息技术中高度期望具有低功耗的无磁场，非挥发性磁记忆。在这项工作中，我们报告了单层LA 0.67 SR 0.67 SR 0.33 MNO 3薄膜的电流可控对齐，其阈值电流密度在室温下为2×10 5 A/cm 2。当前方向和域壁方向之间的矢量关系表明，没有外部磁场的辅助，自旋 - 轨道扭矩的主要作用。同时，可以在域墙重新定位之前和之后以非易失性的方式读取显着的平面大厅电阻。已经提出了一种基于域壁的磁随机访问记忆（DW-MRAM）原型设备。关键字：无磁场磁开关，磁性域壁，氧化物材料，自旋 - 轨道耦合，平面霍尔效应，磁随机访问记忆■简介
UFGS 28 10 05 电子安全系统 (ESS)
2.1 系统描述 2.2 性能要求 2.2.1 增长能力 2.2.2 危险场所 2.2.3 网络认证 2.2.4 可维护性 2.2.5 可用性 2.2.6 故障安全能力 2.2.7 线路监控 2.2.8 断电检测 2.2.9 控制和指定 2.2.10 特殊测试设备 2.2.11 电磁干扰 (EMI) 2.2.12 电磁辐射 (EMR) 2.2.13 互换性 2.3 入侵检测系统 (IDS) 2.3.1 IDS 组件 2.3.2 检测灵敏度 2.3.3 检测警报和报告能力 2.3.4 误报率 2.3.5 干扰警报率 2.3.6 场所控制单元 (PCU) 2.3.6.1 PCU 功能 2.3.6.2 过流保护和指示 2.3.6.3 手动和自检 2.3.7 检测传感器 2.3.7.1 内部传感器 2.3.7.1.1 高安全性平衡磁开关 (BMS) 2.3.7.1.1.1 1 级开关 2.3.7.1.1.2 2 级开关 2.3.7.1.2 玻璃破碎检测 2.3.7.1.2.1 窗式玻璃破碎冲击传感器 2.3.7.1.2.2 天花板或壁挂式双技术玻璃
LR3C-14 和 LR3C-28 线性调节器 - 飞机云杉
步骤 1。请参阅适用的服务手册说明；拆除并保留发动机罩。断开船舶电池，首先断开负极 (-) 端子。步骤 2。请参阅适用的服务手册说明；拆除现有调节器。步骤 3。选择合适的位置安装 LR3C。最好安装在防火墙的飞行员侧或机舱内靠近面板的位置（线性控制器在电气上“安静”，正确安装时不会产生噪音）。步骤 4。选择合适的位置在仪表板上安装白炽低压警告灯（随附）。灯应位于飞行员的周边视野范围内 - 通常位于飞行员前方 45 度角。最好将面板安装在远离阳光直射的位置。步骤 5。选择合适的面板位置来安装 2A 和 5A 断路器。建议将面板安装在飞行员的视野和触及范围内。步骤 6。选择合适的面板位置来安装交流发电机励磁开关。如果可行，建议将面板安装在紧邻船舶电池主控器的附近。调节器安装
同志创新培训网络 - 2024年10月8日至10日...
jbokor@berkeley.edu Spintronics领域涉及对固态设备中的旋转和电荷运输的研究。超快磁性涉及使用飞秒激光脉冲来操纵子秒时尺度上的磁性，包括无螺旋性无依赖性的全光开关。我们通过使用超快光电传输（Auston）开关使用Picsecond电荷电流脉冲结合了这些现象（图1）诱导铁磁GDFECO薄膜磁化的确定性，可重复的超快逆转[1]。使用9 ps持续时间电流脉冲，磁化强度在〜10 ps中反转，比任何其他电气控制的磁开关都要快一个数量级，并且展示了不需要旋转偏光电流或旋转旋转转移/Orbit/Orbit torques的根本新的电气开关机制。（图2）此外，开关所需的能量密度较低，投影仅需4 fj即可切换A（20 nm）3个单元。通过非平衡热激发的这种超快磁化逆转现象主要限于基于GD的Ferrimagnet，例如在图2所示的实验中使用的GDFECO合金。1和2。为了将这种快速开关与读数集成，需要具有高隧道磁力电阻（TMR）的磁性隧道连接。然而，对于使用GDFECO的设备报告的TMR值太小（≈0.6％），用于实际应用[2]。在存在面内对称性磁场的情况下，将电流脉冲应用于重金属/铁磁性薄膜异质结构。因此，切换具有独立光学脉冲的铁磁铁非常有趣，然后可以在高TMR存储器单元中作为存储层实现。We have shown how to transfer the ultrafast switching of GdFeCo to a ferromagnet (in our case Co/Pt multilayers) using Ruderman–Kittel–Kasuya– Yosida (RKKY) exchange coupling mediated HI- AOS of the ferromagnet layer driven by the HI-AOS of the ferrimagnet layer [3, 4].该技术通常适用于其他铁磁体，然后可用于使用高TMR的开关磁性结构状态进行MTJ读数。我们还表明，6-10 ps持续时间电流脉冲可用于直接和确定性地切换通过自旋 - 轨道扭矩（SOT）[5]的铁磁薄钴膜的平面外磁化。取决于相对电流