随着半导体器件的缩小尺寸出现饱和迹象,微电子学的研究重点转向寻找基于新颖物理原理的新型计算范式。电子自旋是电子的另一个固有特性,它为目前在微电子学中使用的基于电子电荷的半导体器件提供了附加功能。自旋电流注入、自旋传播和弛豫以及栅极的自旋方向操控等几个基本问题已成功得到解决,从而使电子自旋能够用于数字应用。为了通过电方法产生和检测自旋极化电流,可以采用磁性金属触点。Boroš 等人 [1、2] 讨论的铁磁触点应足够小,以构成具有明确磁化方向的单个磁畴。小畴的磁矩在过去曾被成功利用,现在仍用于在磁性硬盘驱动器中存储信息。由此,二进制信息被编码到畴的磁化方向中。畴的磁化会产生可检测到的杂散磁场。交变磁矩会产生方向相反的磁场。读头可以检测到磁场并读取信息。Khunkitti 等人 [ 3 ] 的研究显示,高灵敏度磁头是实现超高磁密度磁数据存储技术的重要因素。为了写入信息,需要通过流入磁头的电流产生接近磁畴的磁场。正如 Khunkitti 等人 [ 4 ] 所指出的,记录密度主要取决于磁性介质的特性。如果没有外部磁场,磁畴的磁化将得以保留,不会随时间而改变。因此,在电子设备中添加磁畴可实现非易失性,即无需外部电源即可保持设备功能状态的能力。此外,可以通过在小磁畴中运行自旋极化电流来操纵其磁化方向。如果电流足够强,磁畴的磁化方向与自旋电流极化方向平行。通过电子电流对磁畴进行纯电操控,为开发一种具有更高可扩展性的概念上新型的非易失性存储器提供了令人兴奋的机会。冲击自旋极化电流可以由流经另一个铁磁体的电荷电流产生,该铁磁体与小磁畴之间由金属间隔物或隧道屏障隔开。由两个铁磁触点组成的夹层结构的电阻在很大程度上取决于触点在平行或反平行配置中的相对磁化方向。因此,编码到相对磁化中的二进制信息通过夹层的电阻显示出来。这种新兴的存储器被称为磁阻存储器。磁阻存储器结构简单。它们具有出色的耐用性和高运行速度。磁阻存储器与金属氧化物半导体场效应晶体管制造工艺兼容。它们为概念上新的低功耗数据计算范式开辟了前景
基于聚(乙烯基氟化物-co-trifluoroethelene)/钴铁液,P(VDF-TRFE)/COFE 2 O 4的喷雾印刷磁电(ME)复合材料的性能。表明,对于20 wt。%铁氧体含量,复合材料表现出纤维状孔结构,≈1.8GPA Young的模量,11.2 EMU.G -1,6.0 EMU.G -1磁性磁性和2050 OE的磁性磁性的饱和磁化。此外,证明了34个介电常数(在10 kHz时)和27 pc.n -1压电系数。在2450 OE的最佳磁场下,如此高的介电和压电响应解释了21.2 mV cm -1 oe -1的ME响应,这比通过bar涂层制备的相似复合材料的响应优于。高ME响应和简单可扩展的打印方法证明了这些材料对于具有成本效益和大规模传感器/执行器应用的适用性。
1。除非另有说明,否则任何问题的参考框架都是惯性的。2电流的方向是正电荷会漂移的方向。3,电势在距离分离点电荷的无限距离处为零。4除除非另有说明,否则所有电池和仪表都是理想的选择。5。平行板电容器的电场的边缘效应可以忽略不计。
内存是当今用于数据存储和处理的电子系统中的关键组件。在传统的合并体系结构中,由于记忆的运行速度和容量差距,逻辑和内存单元是物理上分开的,这涉及von Neumann计算机的基本限制。此外,随着CMOS技术节点的演变,晶体管的演变越来越小,以提高操作速度,面积密度和能源效率,同时提供较低的驱动器电流。,诸如嵌入式闪光和SRAM之类的主流技术正面临着大量的缩放和功率构成问题。一个更密集,更节能的嵌入式内存将是高度期望的,特别是针对14 nm或以上的先进技术节点。与传统的电子功能相反,在非磁性半导体中操纵电荷来处理信息,SpinTronic设备基于电子的旋转,提供创新的计算解决方案。要将旋转三位型纳入现有的成熟半导体技术中,基于旋转的功能通常由磁性隧道连接的核心结构设计,该结构起着磁随机记忆(MRAM)的作用。
1.引言 近年来,磁性纳米材料由于其显著的磁性能而引起了人们的极大兴趣,并已在生物和生物医学领域得到实际应用 [1–4]。超顺磁性磁铁矿(Fe3O4)因其超磁性能而被开发为不同生物医学技术的合适候选材料,例如磁共振成像[5–7]、高温治疗[8,9]、药物靶向输送[10–13]、标记、细胞分选[14]和生物制品分离[1,13,15]。已经合成了大量磁性纳米粒子,它们通常由 Fe3O4 磁性纳米粒子和可合成改性的壳组成,例如 SiO2 [16]、Au [17]、LDH [18]、聚甲基丙烯酸缩水甘油酯 [19]、聚苯乙烯 [20] 等。其中,SiO 2 因能保持 Fe 3 O 4 核心的磁性、化学稳定性、生物相容性、表面改性灵活性等优势被广泛认为是最佳的壳层材料[21, 22],且表面分布有大量硅醇基团,可以为有机聚合物、生物活性分子、自由基等提供结合位点[23]。
外部封面:为Helmholtz Coil设置的实验(信用:Sten Odenwald);电磁阀模型(信用:Paul Nylander);进行极性测量设置(信用:Sten Odenwald);智能手机显示(信用:Sten Odenwald);黑子上的磁性环(信用:NASA/TRACE)。内部封面:从左到右的顶行:太阳上的磁性线(NASA/SDO);笛卡尔的力线草图;地球磁场模型(信用:Gary A. Glatzmaier-洛斯阿拉莫斯国家实验室 - 美国能源部)。从左到右的底行:大强子(信用:CERN);磁性指南针的方向(信用:NOAA);黑子极性地图(信用:NASA/SDO)
Sohail N.、Anwar S.、Majeed F.、Szczerbicki E.,使用改进的卷积网络架构 (U-NET) 进行磁共振成像中胶质瘤分割的智能方法,控制论与系统 (2021),第 1-23 页,DOI:10.1080/01969722.2020.1871231
后印本:Kulpa-Koterwa A.、Ryl J.、Górnicka K.、Niedziałkowski P.,基于外链中含有 1,4,7,10-四氮杂环十二烷的磁性氧化铁的新型纳米吸附剂(Fe 3 O 4 @SiO 2 -cyclen)用于吸附和去除选定的重金属离子 Cd 2+ 、Pb 2+ 、Cu 2+ ,Journal of Molecular Liquids,第 368 卷,B 部分(2022 年),120710,DOI:10.1016/j.molliq.2022.120710 © 2022。此手稿版本根据 CC-BY-NC-ND 4.0 许可证提供 https://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
存储器是当今电子系统中用于数据存储和处理的关键组件。在传统的计算机架构中,由于存储器之间在操作速度和容量方面的性能差距,逻辑单元和存储器单元在物理上是分开的,从而导致冯·诺依曼计算机的根本限制。此外,随着 CMOS 技术节点的演进,晶体管变得越来越小,以提高操作速度、面积密度和能源效率,同时提供更低的驱动电流。然而,嵌入式闪存和 SRAM 等主流技术正面临着重大的扩展和功耗问题。更密集、更节能的嵌入式存储器将非常可取,特别是对于 14 纳米或更小的先进技术节点。与操纵非磁性半导体中的电荷来处理信息的传统电子设备不同,自旋电子器件基于电子自旋,提供创新的计算解决方案。为了将自旋电子学融入到现有的成熟的半导体技术中,基于自旋的器件一般设计以磁隧道结为核心结构,起到磁随机存取存储器(MRAM)的作用。
摘要:本研究通过全面的光致发光(PL)表征研究了硫磺溴(CRSBR)的电子带结构。我们清楚地确定了两个紧密相邻的传导带状态和两个不同的价带状态之间的低温光学转变。对PL数据的分析稳健地揭示了跨CRSBR的不同厚度(从单层到散装)的不同厚度的能量分裂,带隙和激子跃迁。依赖温度依赖性PL测量阐明了在NE e el温度以下的频带拆分的稳定性,这表明镁与激子结合的元素负责使对称性断裂和从二级传导带最小值(CBM2)向全局价最大带(VBM1)的对称性破坏和增亮。共同揭示了在传导和价带中的分裂,而且还突出了我们对抗超磁性二维Van der waals晶体的光学,电子和磁性能之间相互作用的显着进步。