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应变敏感柔性磁电陶瓷纳米复合材料
先进的柔性电子器件和软体机器人需要开发和实施柔性功能材料。磁电 (ME) 氧化物材料可以将磁输入转换为电输出，反之亦然，使其成为先进传感、驱动、数据存储和通信的绝佳候选材料。然而，由于其易碎性质，它们的应用仅限于刚性设备。在这里，我们报告了柔性 ME 氧化物复合材料 (BaTiO 3 /CoFe 2 O 4 ) 薄膜纳米结构，它可以转移到可拉伸基底上，例如聚二甲基硅氧烷 (PDMS)。与刚性块体材料相比，这些陶瓷纳米结构表现出柔性行为，并通过机械拉伸表现出可逆可调的 ME 耦合。我们相信我们的研究可以为将陶瓷 ME 复合材料集成到柔性电子器件和软体机器人设备中开辟新途径。
使用Lafesi磁电材料的热能收割机
在连续变化（CV）量子物理学中，高斯国家长期以来一直是研究的富有成果的话题[1-10]。它们自然而然地作为热状态形式的许多非相互作用颗粒的系统的基础状态[11]，或描述了由激光发出的光的相干状态[3]。通过非线性过程，可以将噪声降低到超过射击噪声限制（以互补可观察到的噪声增加的价格），并产生挤压状态[12-17]。出于Metrol-Ogy的目的，这种挤压状态通常足以获得性能的显着提升[18-21]。在理论上，高斯州相对容易处理[8，9]。高斯智能功能描述了连续变量可观察物的量子统计（例如，量子光学中的四倍）。所有有趣的量子特征都可以从相协方矩阵中推导，该协方差矩阵表征了相位空间上的高斯分布。因此，每当模式的数量仍然有限时，符号矩阵分析的技术就足以研究高斯量子状态。这已经对高斯州的纠缠特性产生了广泛的了解[22-27]，最近它也导致了高斯州的量子转向（参见[28]）的发展[29-32]，我们将其称为Einstein-Podolsky-Podolsky-podolsky-podolsky prosen（Epr）。即使它们具有许多优势，高斯州对
癌症中IRE1的药理靶向 针对抗癌治疗引起的心脏毒性的GPCR 旋转... 的热容量和热阻尼特性 印刷电路板中铜的弹性和疲劳特性：从实验表征到数值模拟 低通NGD的创新理论通过孔 - 地面电路 使用归纳数据类型的量子编程 工程块共聚物材料用于构图超级... 纠缠的n-photon国家，以进行公平，最佳的社会决策 用嗜热链球菌CRISPR1-CAS9 用多功能和健壮的基因组编辑 使用Lafesi磁电材料的热能收割机 有条件的非高斯量子状态准备的实用框架 电化学能源存储中有机电极的机会和挑战 快速高保真量子量子量Qubit通过非扰动交叉kerr耦合
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双叶Riemann表面拓扑磁电磁性
对固体中磁性的电场控制，即相反的磁电力，对于可扩展的能量效能逻辑设备的应用非常需要。但是，这不仅是技术挑战，而且是科学悖论，因为原则上，自由的电和磁性遵守了符号的不同规则。尽管在过去的几十年中，在多种表演者社区取得了巨大进展，但迫切需要磁性电脑的成功，而概念革命的替代方法仍然需要。在这里，通过将拓扑的概念引入多色型，基于二维磁铁中的自旋依赖性D-P杂交的机制揭幕了异国情调的磁性双叶riemann表面：GDI 2单层。受拓扑保护的保护，可以通过电循环精确地实现180°自旋逆转，从而导致稳健而耗散的无匡威磁电函数。这样的拓扑磁电视允许通过AC电场对磁化进行非平凡的操作。在这一类别中，有针对性地设计具有更好性能的候选材料，这为使用拓扑磁电机的潜在应用铺平了道路。
用$ D $ - 波磁化的超导体中的磁电效应
简介。在非中心对称超导体[1]中的磁性电源最近引起了极大的关注，尤其是在其在非核心超导反应中的实验应用中[2]，例如，如最近的综述[3-6]。特别是，Edelstein磁电效应是由应用超电流引起的自旋极化的产生，而其反场景是二极管效应，即，在两个相反的方向上，临界电流是不同的，在存在外部磁性的情况下会产生的两个相反的方向。这些现象的根本原因之一是违反了由旋转轨道相互作用或不均匀的磁性交换场引起的空间反演象征，该磁性磁性交换场是对能量依赖的动量旋转分裂的作用[7-9]，所有这些[7-9]都引起了电子旋转旋转极化之间的耦合和电荷之间的耦合[7]。在本文中，我们考虑了一个具有d-波对称性的共线抗磁性（AFM）订购参数的中心对称金属[11-14]。这种AFM阶诱导了传导费米子的费米表面的特定D波动量依赖性旋转分裂[7-9]。最近在参考文献中审查了各向异性磁顺序的扩展对称分类。[15 - 17]。显示此功能的代表性材料包括，例如，类型AFMS：金属RUO 2，Mn 5 Si 3，VNB 3 S 6，半导体MNTE等[15-20]。此外，最近在thinfms ruo 2中观察到了应变稳定的超导性，tc≈1。[31]。8 K取决于纤维厚度[21-23]。受到最近的实验进展的促进，对超导性的D-波AFM交换耦合的理论研究成为了一个密集的研究领域，包括对Andreev反射的研究和Josephson Current [24-28]，在D -Wave Superconcontos in D -Wave Superconcontos ft d -Wave af -Wave afm [29]中的无综合状态[29]，或者是30岁的MAD [29]，或者有关最近的精彩文章，请参见参考文献。在这种情况下，超导性和磁性的问题自然出现。清楚地，在肌脱肌对称超导体中，与极性超导体中的Edelstein效应相反，诱导的载体的自旋极化与超循环的均匀功能成正比，并表现出D -Wave对称性。
两个范德华磁电极转移
* 通讯地址：X.-X.S.(songxx90@ustc.edu.cn), Q.Z.(iamqzhao@njupt.edu.cn), Y.X.(xuyong@njupt.edu.cn) 或 W.Q.(wqin@sdu.edu.cn)
VLF薄膜磁电天线的阵列研究具有Microbridge结构
摘要：最近，磁电（ME）天线已成为非常低频（VLF）频段的天线微型化的热门话题，因为它们的大小可以降低到传统电气天线的千分之一。但是，它们仍然患有狭窄的传输/接收带宽和弱辐射强度。为了解决这些问题，设计了带有Microbridge结构的VLF薄片ME天线，并使用了数组连接的方法。测试结果表明，在23 kHz时，ME天线单位的检测极限为636 pt/√Hz，0.12 m时的辐射磁场强度为0.87 nt（输入功率为10 mW）。通过将三个ME天线单元串联具有相同的共振频率，与单个单元相比，输出响应已增加到1.72倍，EM波辐射强度增加到1.9倍。与单个单元相比，通过平行连接两个具有不同谐振频率的ME天线单元，输出响应带宽已扩展到1.56倍，并且信号辐射带宽已扩展到1.47倍。这项工作为我天线的未来大规模阵列提供了宝贵的参考。
1 应变相关自旋霍尔磁电阻...
[1] JT Heron, M. Trassin, K. Ashraf, M. Gajek, Q. He, SY Yang, DE Nikonov, Y.-H. Chu, S. Salahuddin 和 R. Ramesh, 《铁磁体-多铁性异质结构中的电场诱导磁化反转》, Phys Rev Lett 107 , 217202 (2011)。[2] SO Sayedaghaee, B. Xu, S. Prosandeev, C. Paillard 和 L. Bellaiche, 《多铁性 BiFeO3 中的新型动态磁电效应》, Phys Rev Lett 122 , 097601 (2019)。 [3] A. Haykal 等人，BiFeO 3 中受应变和电场控制的反铁磁纹理，Nat Commun 11，1704 (2020)。[4] H. Jang 等人，外延 (001) BiFeO3 薄膜中的应变诱导极化旋转，Phys Rev Lett 101，107602 (2008)。[5] IC Infante 等人，BiFeO 3 中外延应变桥接多铁性相变，Phys Rev Lett 105，057601 (2010)。 [6] H. Béa 等人，巨轴比化合物室温多铁性证据，Phys Rev Lett 102，217603 (2009)。[7] IC Infante 等人，BiFeO 3 薄膜室温附近的多铁性相变，Phys Rev Lett 107，237601 (2011)。[8] H. Béa、M. Bibes、F. Ott、B. Dupé、X.-H. Zhu、S. Petit、S. Fusil、C. Deranlot、K. Bouzehouane 和 A. Barthélémy，多铁性 BiFeO 3 外延薄膜的交换偏置机制，Phys Rev Lett 100，017204 (2008)。 [9] D. Lebeugle，D. Colson，A. Forget，M. Viret，AM Bataille 和 A. Gukasov，室温下电场诱导 BiFeO3 单晶自旋翻转，Phys Rev Lett 100，227602（2008）。[10] A. Finco 等人，非共线反铁磁体中的拓扑缺陷成像，Phys Rev Lett 128，187201（2022）。[11] M. Hambe，A. Petraru，NA Pertsev，P. Munroe，V. Nagarajan 和 H. Kohlstedt，跨越界面：磁性复合氧化物异质结构中隧道电流的铁电控制，Adv Funct Mater 20，2436（2010）。 [12] SR Burns、O. Paull、J. Juraszek、V. Nagarajan 和 D. Sando，《外延 BiFeO 3 中的摆线或非共线反铁磁性实验指南》，《先进材料》第 32 卷，2003711 页 (2020 年)。[13] M. Cazayous、Y. Gallais、A. Sacuto、R. de Sousa、D. Lebeugle 和 D. Colson，《在 BiFeO 3 中可能观察到摆线电磁振子》，《物理评论快报》第 101 卷，037601 页 (2008 年)。[14] D. Sando 等人，《通过外延应变制作 BiFeO 3 薄膜的磁振子和自旋电子响应》，《自然材料》第 12 卷，641 页 (2013 年)。 [15] J. Li 等人，亚太赫兹产生的反铁磁磁振子的自旋电流，Nature 578，70 (2020)。[16] E. Parsonnet 等人，在没有施加磁场的情况下对热磁振子的非挥发性电场控制，Phys Rev Lett 129，87601 (2022)。[17] S. Manipatruni、DE Nikonov、CC Lin、TA Gosavi、H. Liu、B. Prasad、YL Huang、E. Bonturim、R. Ramesh 和 IA Young，可扩展的节能磁电自旋轨道逻辑，Nature 565，35 (2019)。 [18] YT Chen、S. Takahashi、H. Nakayama、M. Althammer、STB Goennenwein、E. Saitoh 和 GEWBauer, 自旋霍尔磁阻理论, Phys Rev B 87 , 144411 (2013)。[19] J. Fischer 等人, 反铁磁体/重金属异质结构中的自旋霍尔磁阻, Phys Rev B 97 , 014417 (2018)。
溶液处理的多效薄膜，在室温下与大磁电耦合
摘要：具有明显的室温磁电耦合系数的薄膜实验实现，在没有外部DC磁场的情况下，αMe一直难以捉摸。在这里，在没有外部DC磁场的情况下，据报道多效性聚合物纳米复合材料（MPC）薄膜的大型耦合系数为750±30 mV-1 cm-1。MPC基于PMMA-REDRED的钴有铁纳米颗粒，该纳米粒子均匀分散在压电聚合物聚合物聚（乙烯基氟化物-Co-三氟乙烯，P（VDF-TRFE）。 表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。 通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表明，纳米颗粒聚集起着有害的作用，并显着降低了αMe。通过原子传递自由基聚合（ATRP）接管一层聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。 均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。 关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合表面功能化，从而使纳米粒子用P（VDF-Trfe）基质混乱，从而使其在矩阵中均匀地分配在Matrix中，甚至可以在subsicmerter metrix中均匀地分配。均匀的色散产生了铁磁纳米颗粒与压电聚合物矩阵之间最大化的界面相互作用，从而导致在溶液处理的薄膜中对大αME值进行实验证明，这些薄膜可以在柔性和可打印的多型多型电子设备中利用，以用于敏感和可启用敏感性。关键字：多效，铁电聚合物，磁性纳米颗粒，纳米复合材料，磁电耦合
用于实验室的超灵活巨磁电阻生物传感器......
电子产品已被用于各种应用，如可以监测周围环境的热量、质地、压力和应变的人工智能皮肤[6,7]，以及可拉伸的锂离子电池[8]，它可用作全柔性电路的电源。在传感领域，人们希望能够随着皮肤和器官等生物表面变形的传感器能够获得更可靠、更准确的信息，而柔性生物传感器是此类应用的有希望的候选者。最近，已经开发出具有各种机制的柔性生物传感器，包括电化学传感器[9,10]、等离子体传感器[11,12]、压电传感器[13,14]等，用于检测小分子[15,16]、蛋白质[17]、核酸[18]以及细菌[19]。