小时 半导体霍尔效应研究。(1)四探针法测量半导体的电阻率和带隙。(1)半导体磁阻研究。(1)随温度变化的器件的 IV 特性。(1) pn 结和 MOS 电容器的 CV 特性。(1) LED、激光器和太阳能电池的器件特性。(3)扩散炉工作原理研究。(1)肖特基二极管的制造和特性分析。(1)使用物理气相沉积(真空蒸发器)和旋涂技术沉积薄膜。(1) MOSFET 工艺/器件模拟和参数提取。(1)
摘要:具有强垂直磁各向异性 (PMA) 的磁绝缘体在探索纯自旋流现象和开发超低耗散自旋电子器件中起着关键作用,因此它们在开发新材料平台方面非常有吸引力。在这里,我们报告了具有不同晶体取向的 La 2/3 Sr 1/3 MnO 3 (LSMO)-SrIrO 3 (SIO) 复合氧化物薄膜 (LSMIO) 的外延生长,该薄膜通过脉冲激光沉积的连续双靶烧蚀工艺制成。LSMIO 薄膜表现出高晶体质量,在原子级上具有 LSMO 和 SIO 的均匀混合物。观察到亚铁磁和绝缘传输特性,温度相关的电阻率与 Mott 可变范围跳跃模型很好地拟合。此外,LSMIO 薄膜表现出强的 PMA。通过进一步构建亚铁磁绝缘体LSMIO和强自旋轨道耦合SIO层的全钙钛矿氧化物异质结构,观察到显著的自旋霍尔磁阻(SMR)和自旋霍尔类异常霍尔效应(SH-AHE)。这些结果表明亚铁磁绝缘体LSMIO在开发全氧化物超低耗散自旋电子器件方面具有潜在的应用价值。关键词:钙钛矿氧化物,磁性绝缘体,垂直磁各向异性,自旋霍尔磁阻,自旋电子学■引言
材料与技术介绍,结构分析工具:X射线衍射:相位识别、索引和晶格参数确定、使用各种模型进行分析线轮廓拟合、中子衍射、反射高能电子衍射和低能电子衍射;显微镜技术:光学显微镜、透射电子显微镜(TEM)、能量色散X射线微分析(EDS)、扫描电子显微镜(SEM)、卢瑟福背散射光谱(RBS)、原子力显微镜(AFM)和扫描探针显微镜(SPM);热分析技术:差热分析(DTA)、差示扫描量热法(DSC)、热重分析(TGA);电气表征技术:电阻率、霍尔效应、磁阻;
许多新兴的生物传感应用 [1]、[2] 以及增强现实应用的人机界面 [3] 都依赖于巨磁电阻 (GMR) 传感器,因为它们具有良好的灵敏度和低 1/f 噪声。作为替代方案,隧道磁电阻 (TMR) 传感器由于其更高的磁阻 (MR) 比可以提供比 GMR 传感器更好的灵敏度。然而,如此高的 MR 比对接口电子设备提出了严格的要求,因为它们的基极电阻变化很大。这种变化会导致放大器输入端出现较大的电压偏移,从而减小放大器的动态范围,在最坏的情况下,如果不进行补偿,会导致前端饱和。消除放大器输入直流偏移的一个可能解决方案是使用斩波电容耦合仪表放大器 (CCIA) 与直流伺服环路 (DSL) [4],参见图 1a。然而,这种方法需要在放大器的输入参考电压噪声和 DSL 可以补偿的最大偏移之间进行权衡。更具体地说,可以通过增加 C DSL 来补偿更高的输入偏移,而这又会增加 CCIA 的输入参考电压噪声 [5]。作为一种替代方案,图 1b 显示了使用跨阻放大器 (TIA) 处理产生的电流 [2] 的可能性。在这种方案中,通常需要辅助电阻
在基于量子阱的异质结构材料中,研究能态密度对量化磁场强度和占据的依赖关系,可以为纳米级半导体结构中电荷载流子的能谱提供有价值的信息。当低维半导体材料暴露于横向量化磁场时,能态密度可以通过动力学、动力学和热力学量的振荡依赖关系来测量——磁阻、磁化率、电子热容量、热电功率、费米能和其他物理参数 [3, 4]。由此可见,在横向和纵向磁场存在下研究矩形量子阱导带能态密度的振荡是现代固体物理学的迫切问题之一。
高效电力驱动项目启动:德累斯顿弗劳恩霍夫 IFAM 研究所开发混合金属板 德累斯顿弗劳恩霍夫制造技术与先进材料研究所 (IFAM) 正在与合作伙伴合作开展一个新项目,开发用于电力驱动的混合电气板。在西门子的协调下,“InnoBlech”项目正在基于增材丝网印刷技术开发用于电力驱动的创新电气板。其他合作伙伴包括达姆施塔特工业大学、Ford-Werke GmbH 和 EKRA Automatisierungs GmbH 公司。“InnoBlech”的核心开发目标是为磁阻或 PMSM/IPM 电机的转子提供机械和磁性改进的金属板封装。该项目基于资源高效的 3D 丝网印刷工艺,旨在有针对性地全面改善金属板封装的机械和磁性。丝网印刷工艺不仅可以使电工薄板更薄、更高效,而且可以将不同的材料或合金并排或叠放在一起。这样,电工薄板就可以采用新的设计,并制造出具有局部适应的磁性能的薄板。该技术方法是在丝网印刷工艺中通过共烧结将不同的软磁材料相互结合或将软磁和非磁性铁基合金结合在一起。为此,将进一步开发已以丝网印刷为基础开发的铁基混合材料,以用于优化的电驱动混合转子叠片,特别是磁阻和永磁同步 (PMSM、IPM) 电机。具体来说,将解决以下具体开发目标:
扭矩,其进动频率接近铁磁共振频率。这主要是由于磁滴模式的进动角较大[7,18,19]。然而,到目前为止,对磁滴的所有实验工作都集中在自旋阀(SV)结构[18,19,21-23]和自旋霍尔纳米振荡器(SHNO)[24,25]上。SV和SHNO中非常低的磁阻(MR)(约1%)限制了功率发射和基于STNO的任何进一步应用。相比之下,具有强PMA的磁隧道结 (pMTJ) 表现出较高的隧道磁阻 (TMR),达到 249%,尤其是双 CoFeB 自由层 (DFL) pMTJ,它已成为基于 MTJ 的 MRAM 的主要结构 [26]。因此,人们可以期望在基于 pMTJ 的 NC-STNO 中观察到磁性液滴。然而,我们之前的实验表明,在单自由层 (SFL) MTJ 中很难形成稳定的液滴 [27]。这可能是由于均匀电流密度与空间变化磁化相互作用产生的较大张-力矩所致。相反,预计 DFL pMTJ 可以抑制这种大的张-力矩并有利于形成稳定的磁性液滴。在这里,我们通过实验观察和研究了 DFL pMTJ 中的稳定磁性液滴,同时伴随着同一器件中相对于类 FMR 模式进动的功率增强。此外,通过微磁模拟,我们认为磁隧道结中的磁性液滴之所以稳定,主要是因为低的Zhang-Li力矩和DFL中强的钉扎场共同作用的结果[28]。我们的研究结果为磁隧道结中磁性液滴的成核提供了全面的认识,为进一步优化磁隧道结中磁性液滴的使用奠定了基础。
dsPIC30F 和 dsPIC33F 器件非常适合需要比基本微控制器更多的功能的电机。无论您需要更多的计算能力还是完整的 DSP 功能,这些器件都能满足您的需求。将数字信号控制应用于无传感器控制应用、精确速度/位置/伺服控制、扭矩管理、变速电机、高 RPM 电机、可变负载应用、降噪或提高能效。无刷直流、交流感应或开关磁阻电机是这些控制器系列的理想选择。有关 Microchip 电机控制功能的更多信息,请访问电机控制设计中心 www.microchip.com/motor。
本次冬季学校涵盖的主题包括过渡金属氧化物的化学和物理及其功能特性、材料的高压、化学和拓扑化学合成方法、晶体和磁性中的自旋有序、功能和量子材料、微观结构、纳米级异质结构、能量存储、转换和传输、腐蚀、电池储能材料的电化学、离子传输、催化、多孔固体、金属有机骨架、磁阻、二维材料、飞秒级过程、光谱和各种材料表征技术、量子点、分子磁体、分子电子学、结构和计算生物学、软材料、理论和计算量子化学以及材料科学和计算机模拟。
摘要 — 肌磁图 (MMG) 是测量人体骨骼肌中由电活动产生的磁信号的方法。然而,目前开发的用于检测如此微小磁场的技术体积庞大、成本高昂,并且需要在温控环境下工作。开发一种小型化、低成本和室温磁传感器为加强这一研究领域提供了一条途径。在此,我们介绍了一种用于室温 MMG 应用的集成隧道磁阻 (TMR) 阵列。TMR 传感器采用低噪声模拟前端电路开发,以在高信噪比下检测未进行和进行平均的 MMG 信号。MMG 是通过使用肌电图 (EMG) 信号作为触发器对信号进行平均来实现的。观察到的幅度为 200 pT 和 30 pT,对应于手紧张和放松的周期,这与基于有限元法 (FEM) 的肌肉模拟一致,该法考虑了从观察点到磁场源的距离的影响。