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World File Search System磁阻
使用非易失性逻辑的边缘人工智能硬件的前景
(1) D. Evans，“物联网：互联网的下一次发展将如何改变一切”，（白皮书），https：//www。cisco.com / c / dam / global / ru_ua / assets / pdf / iot-ibsg-0411final。pdf（访问日期 2020-01-04）。(2) G.E.Moore，“将更多组件塞入集成电路”，Proc.IEEE，卷。86，号。1，页。82-85，1998 年 1 月，电子学，卷。38，号。8，页。114-117，1965 年 4 月。(3) A. Chien 和 V. Karamcheti，“摩尔定律：第一个结束和一个新的开始”，计算机，卷。46，页。48-53，2013 年 12 月。( 4 ) T. Hanyu、T. Endoh、Y. Ando、S. Ikeda、S. Fukami、H. Sato、H. Koike、Y. Ma、D. Suzuki 和 H. Ohno，“自旋转移力矩磁阻随机存取存储器 (STT-MRAM) 技术”，载于《非易失性存储器和存储技术的发展》，B. Magyari-Kope 和 Y. Nishi 编辑，页。237-281，第 7 章，Woodhead Publishing 电子和光学材料系列，第 2 版，2019 年。( 5 ) 羽生貴弘，“MTJ / MOSハイブリッド回路技术 ”，応用物理 ，vol.86，no.8，pp.662-665，2017 年 8 月。( 6 ) T. Hanyu、T. Endoh、D. Suzuki、H. Koike、Y. Ma、N. Onizawa、M. Natsui、S. Ikeda 和 H. Ohno，“使用基于 MTJ 的 VLSI 计算的待机无电源集成电路”，Proc.IEEE，vol.104，
固体量子理论。ANTIA BOTANA。 （办公室 PSF ...
PHY582（春季）请参阅 https://webapp4.asu.edu/catalog/ 网站了解讲座时间和地点 固体量子理论涵盖了从半导体器件的操作到磁阻、铁磁性的起源和超导性的所有内容。目的是解释物质的所有物理性质，尤其是超导性等奇异性质。本课程的第一学期强调了电子结构及其计算方法，以石墨烯为例，以及各种近似值。（紧束缚等）。第二学期讨论命名效应、器件、声子（时间允许）。可以从第二学期开始。每 2 周布置一次作业 - 很有挑战性！文本、教学大纲（粗体部分为最佳）PHY581/2 的书籍。主要教科书是 Ketterson, J.B.“固体物理学”。2016 年底出现了优秀的新文本。适合本课程的级别。精彩、权威、大而全面，有很多方程式。M. Cohen 和 S. Louie。“凝聚态物理学基础”。CUP。同样好。Ibach 和 Luth 的“固体物理学”。(Springer，平装本)。这是理论和实验的完美结合，内容新颖，价格不贵（可在 ASU 书店购买）或者在网上购买这三本书中的任何一本，例如二手书。如果您觉得需要入门背景知识，可以购买 Omar 所著的二手书（见下文）。D. Griffiths 撰写的量子力学文本也提供了很好的背景知识。可选的附加文本。
用于纯电动汽车 (BEV) 系统推进目的的电动机驱动器的比较分析
本文对纯电动汽车 (BEV) 推进系统的电动机驱动器进行了分析。本文对电动汽车 (EV) 应用中常用的交流和直流电动机驱动器进行了全面的回顾和数学分析。各种类型的电动机驱动器已用于 EV 推进，其中，永磁同步电动机 (PMSM) 驱动器是最佳选择。PMSM 驱动器具有卓越的性能和众多优势，包括结构坚固、效率高、尺寸紧凑、维护成本低和扭矩波动最小。与其他电机相比，这些特性使其成为更适合 EV 推进的选择。本研究调查了 PMSM 驱动器与 EV 推进系统中使用的其他竞争性电动机驱动器（即无刷直流电机 (BLDCM)、感应电机 (IM) 和开关磁阻电机 (SRM)）相比的性能。评估侧重于电动机的关键标准——输出功率和扭矩密度，这对于在 EV 推进系统中的有效应用至关重要。本文介绍了两种著名 PM 电机系列（PMSM 和 BLDCM）之间的新型数学和分析关系。这两种电机在功率和扭矩输出方面都极具竞争力。数学分析和图形绘图模拟结果表明，PMSM 驱动器在三种电机驱动器中提供最高的功率和扭矩密度。具体而言，在功率因数、尺寸、额定值和效率等操作参数相同的情况下，PMSM 驱动器的功率和扭矩密度比 BLDCM 驱动器高 29.90%，比 SRM 驱动器高 88.68%，比 IM 驱动器高出惊人的 200%。这些发现凸显了 PMSM 驱动器的显著优势，使其成为电动汽车推进系统的上佳选择。
1 应变相关自旋霍尔磁电阻...
[1] JT Heron, M. Trassin, K. Ashraf, M. Gajek, Q. He, SY Yang, DE Nikonov, Y.-H. Chu, S. Salahuddin 和 R. Ramesh, 《铁磁体-多铁性异质结构中的电场诱导磁化反转》, Phys Rev Lett 107 , 217202 (2011)。[2] SO Sayedaghaee, B. Xu, S. Prosandeev, C. Paillard 和 L. Bellaiche, 《多铁性 BiFeO3 中的新型动态磁电效应》, Phys Rev Lett 122 , 097601 (2019)。 [3] A. Haykal 等人，BiFeO 3 中受应变和电场控制的反铁磁纹理，Nat Commun 11，1704 (2020)。[4] H. Jang 等人，外延 (001) BiFeO3 薄膜中的应变诱导极化旋转，Phys Rev Lett 101，107602 (2008)。[5] IC Infante 等人，BiFeO 3 中外延应变桥接多铁性相变，Phys Rev Lett 105，057601 (2010)。 [6] H. Béa 等人，巨轴比化合物室温多铁性证据，Phys Rev Lett 102，217603 (2009)。[7] IC Infante 等人，BiFeO 3 薄膜室温附近的多铁性相变，Phys Rev Lett 107，237601 (2011)。[8] H. Béa、M. Bibes、F. Ott、B. Dupé、X.-H. Zhu、S. Petit、S. Fusil、C. Deranlot、K. Bouzehouane 和 A. Barthélémy，多铁性 BiFeO 3 外延薄膜的交换偏置机制，Phys Rev Lett 100，017204 (2008)。 [9] D. Lebeugle，D. Colson，A. Forget，M. Viret，AM Bataille 和 A. Gukasov，室温下电场诱导 BiFeO3 单晶自旋翻转，Phys Rev Lett 100，227602（2008）。[10] A. Finco 等人，非共线反铁磁体中的拓扑缺陷成像，Phys Rev Lett 128，187201（2022）。[11] M. Hambe，A. Petraru，NA Pertsev，P. Munroe，V. Nagarajan 和 H. Kohlstedt，跨越界面：磁性复合氧化物异质结构中隧道电流的铁电控制，Adv Funct Mater 20，2436（2010）。 [12] SR Burns、O. Paull、J. Juraszek、V. Nagarajan 和 D. Sando，《外延 BiFeO 3 中的摆线或非共线反铁磁性实验指南》，《先进材料》第 32 卷，2003711 页 (2020 年)。[13] M. Cazayous、Y. Gallais、A. Sacuto、R. de Sousa、D. Lebeugle 和 D. Colson，《在 BiFeO 3 中可能观察到摆线电磁振子》，《物理评论快报》第 101 卷，037601 页 (2008 年)。[14] D. Sando 等人，《通过外延应变制作 BiFeO 3 薄膜的磁振子和自旋电子响应》，《自然材料》第 12 卷，641 页 (2013 年)。 [15] J. Li 等人，亚太赫兹产生的反铁磁磁振子的自旋电流，Nature 578，70 (2020)。[16] E. Parsonnet 等人，在没有施加磁场的情况下对热磁振子的非挥发性电场控制，Phys Rev Lett 129，87601 (2022)。[17] S. Manipatruni、DE Nikonov、CC Lin、TA Gosavi、H. Liu、B. Prasad、YL Huang、E. Bonturim、R. Ramesh 和 IA Young，可扩展的节能磁电自旋轨道逻辑，Nature 565，35 (2019)。 [18] YT Chen、S. Takahashi、H. Nakayama、M. Althammer、STB Goennenwein、E. Saitoh 和 GEWBauer, 自旋霍尔磁阻理论, Phys Rev B 87 , 144411 (2013)。[19] J. Fischer 等人, 反铁磁体/重金属异质结构中的自旋霍尔磁阻, Phys Rev B 97 , 014417 (2018)。
1064 nm 激光攻击与热损伤相关性...
a 艾克斯马赛大学，CNRS，IM2NP，13451 马赛，法国。b SPINTEC，格勒诺布尔阿尔卑斯大学，CNRS，CEA-SPINTEC，CEA，38000 格勒诺布尔，法国。摘要本文首次在读写操作过程中实时实验研究了 1064nm 激光攻击对 STT-MRAM 单元的影响，以了解传感电路在剧烈温度变化下的行为。技术设计必须考虑到这一点。我们重点介绍了激光发射过程中的读取电流变化，这可能会影响传感电路。我们测量了两种状态之间的切换概率以及照射时间、激光功率和单元尺寸的影响。我们将结果与宽温度范围内的电气特性相关联，表明攻击会以热方式影响 STT-MRAM 行为。总之，可以采取适当的对策。 1. 简介 一种很有前途的非易失性存储器，称为自旋转移力矩磁性随机存取存储器 (STT-MRAM)，它将快速写入操作与高密度和显着的耐久性（高达 1013 次循环）相结合 [1,2]。磁隧道结 (MTJ) 由 CoFeB/MgO/CoFeB 堆栈组成，其中 MgO 层用作隧道阻挡层。通过强制自旋极化电流通过设备，可以将单元从反平行 (AP) 状态编程为平行 (P) 状态和反之亦然。自旋电流的横向分量被自由层吸收，导致 CoFeB 铁磁材料磁化发生扭矩诱导反转，即自旋转移力矩 (STT) 效应 [3,4]，详见 [5]。磁化方向是 MTJ 中数据编码的形式，其读/写延迟由反转的随机性、器件尺寸和流过各层的电流控制 [6]。MTJ 的一个重要特性是隧道磁阻比 (TMR)，定义为 (R AP - RP )/RP ，其中 R AP 和 RP 分别是 AP 和 P 状态的电阻 [7]。本研究的目的是调查红外激光攻击如何影响读取和编程阶段的 STT-MRAM 行为。此外，我们还旨在了解激光攻击的物理贡献，这可能是
Crocus Technology 推出高灵敏度纳米...
美国加利福尼亚州圣克拉拉，2016 年 9 月 7 日 - Crocus Technology 是一家领先的隧道磁阻传感器 (TMR) 开发商，其产品基于专有和专利的 Magnetic Logic Unit™ (MLU) 技术，该公司宣布推出 CT51x 数字开关，这是该公司推出的一系列全集成数字传感器中的第一款产品。该系列设备适用于各种应用，具有较大的气隙、较小的磁场和显著较低的功耗。CT51x 可实现高精度位置检测、控制和电源切换功能，具有高灵敏度和可靠性，这是系统设计人员对当今物联网、消费和工业应用的要求。“随着智能产品对智能传感的需求不断增长，CT51x 系列设备为现有和新兴应用提供了设计灵活性和成本节约：物联网、可穿戴设备、家电、智能电表、智能锁和其他消费产品，”Crocus Technology 首席销售和营销官 Zack Deiri 表示。“市场正倾向于智能固态磁性开关，这种开关为电池供电的应用提供更高的可靠性、更快的频率响应和极低功耗，体积更小，如 CT51x。”当用作接近开关时，CT51x 可以检测入侵报警系统和家电中的窗户或门的移动。数字开关还可以激活移动设备（如笔记本电脑）的唤醒和睡眠模式，并具有盖子打开/关闭检测功能，功耗极低。CT51x 还可测量电池供电的智能流量计的转速，并可作为智能公用事业仪表的防篡改措施，每年损失超过 10 亿美元。Crocus CT51x TMR 系列传感器与 CMOS 工艺完全集成，可创建完全单片解决方案。在功率效率方面，该设备可以执行开关、定位和旋转测量，同时平均消耗不到 350nA。Crocus CT51x 系列设备已投入生产，提供不同的输出配置以及 JEDEC 标准 SOT-23 和 TO-92 封装。这些产品可通过我们的授权分销商在全球范围内订购：Future Electronics、Mouser、Comtech 和 Weikeng International。关于 Crocus Technology Crocus Technology 基于专有和专利的 Magnetic Logic Unit™ (MLU) 技术开发和提供磁传感器和嵌入式内存解决方案。此外，Crocus 还提供以下服务：
电磁学问题及解答
一架飞机的质量是多少？我们如何将其与大量航空母舰的重量联系起来？如果我们要将这些航空母舰的总重量与该力相等，我们需要多少艘航空母舰？这个问题与基本的物理概念有关。**电磁学** 1. 导线中电子的流动描述为：[选项 B、C 或 D] 2. 这张纸没有显示电，因为它有相同数量的：[选项 A 或 D] 3. 电场强度以以下单位测量：[选项 A 或 D] 4. 将三个值为 +5C、-6C 和 +9C 的电荷放置在一个球体内。通过球体表面的总磁通量为：[未提供答案] 5. 磁滞是指磁化力的影响：[选项 B 或 C] 6. 磁路的磁阻随以下因素而变化：[选项 D] 7. 基尔霍夫环路定律指出，闭合回路周围磁动势上升和下降的代数和等于：[选项 A] 8. 吸引铁块的物质描述为：[选项 A 或 B] 9. 平行板空气电容器之间的电场强度为 20 N/C，但如果放置相对介电常数为 5 的绝缘板，电场强度将变为：[选项 C] 10. 磁通势 (mmf) 的单位是：[选项 A] 11. 当导体静止且磁场移动或变化时，感生的电动势称为：[选项 A 或 C] 12. 磁场中通过导线环的磁通量场不依赖于：[选项 A 或 C] 13. 一电子伏特 (1 eV) 等于：[选项 C] 14. 由于与其相关的自身磁通量的变化而在线圈中感生的电动势称为：[选项 C] 15. 如果介质的相对介电常数为：[选项 A]，则给定电荷在某一点的电场强度会降低 16. 磁滞损耗可以通过以下方式减少：[选项 B 或 C] 17. 由内部原子结构产生磁极而不需要外部电流的材料被描述为：[选项 D 或 B] 18. 良好继电器的核心材料应具有：[选项 C] 19. 电离子中使用的绝缘材料或电介质通常是：[选项 A] 20. 数量 10^6 麦克斯韦等于 1：[选项 A] 21. 一安培匝等于：[选项 B] 22. 电动势 (emf)在电路中：[选项 C 或 B] 23. 当原子获得额外的：[选项 C] 24. 当电流流动时，导体周围的磁场方向是什么？[选项 A] **磁性和磁场** 65. 要计算磁场强度为 2000 A/t/m 的材料中磁导率为 126 x 10^-6 T/A 时产生的磁通密度，请使用左手定则。 66. 磁场是指驱动电流通过导体的力（选项 C）。 67. 如果材料的相对磁导率远大于 1，则称为铁磁性（选项 D）。 68。登伯效应是指电流通过各向异性晶体时，由于电流分布不均匀而吸收或释放热量的现象。**单位和测量** 69. 磁阻的单位是韦伯每安培匝 (A/t/Wb)（选项 A：麦克斯韦）。70. 马德隆常数是用于校正离子固体中远处离子的静电力的因子。71. 气隙是指磁极之间的空间（选项 B：气隙）。**磁性材料** 72. 铁磁材料的磁导率非常高，是自由空间的数百甚至数千倍（选项 D）。73. 磁性是指一种材料（例如铁）吸引另一种材料（例如铁）碎片的现象（选项 C）。 74. 价电子位于原子的最外层能级，而不是原子核（选项B：对于导体，价电子会被原子核强烈吸引，这是错误的）。 75. 磁阻取决于组成磁路的材料的相对磁导率（选项B）。 76. 居里定律指出，大多数顺磁性物质的磁化率与其绝对温度成反比。**原子和亚原子物理学** 77. 长度为L、横截面积为A的磁路的磁阻为8πL/A，其中π=3.14（不在选项中）。 78. 氢原子的直径约为1.1 x 10^-9厘米（选项B：1.1 x 10^-8不正确）。 **电与传导** 79. 电流通过电介质表面的传导称为爬电或表面效应。 80. 相对介电常数也称为介电常数（选项 B）。 81. 电子从热体发射称为爱迪生效应。 82. 右手定则指出，如果你用右手握住螺线管，使你的手指指向电流的方向，那么你伸出的拇指将指向北极。 **其他** 83. 尤里卡的电阻温度系数为正（选项 D）。 84. 气隙用于维持磁场强度（选项 A）。 85. 永磁体使用铁磁材料，例如铁或镍（选项 C 和 A），而不是硬化钢或软钢（选项 B 和 D）。 86. 要计算匝数为 100、电阻为 2 欧姆的螺线管的安匝数，请用电池电压除以总电阻。 87. 磁体之间的吸引力是由于磁性（选项 C）。 1. 一库仑电荷由 ________ 个电子组成。（不变） 2. 随着介质的相对介电常数增加，相距一定距离的两个电荷之间的力 _____。（不变） 3. 原子最后轨道上的电子称为 ______ 电子。（不变） 4. 电子从加热表面蒸发称为 _______ 发射。（不变） 5. 在厘米/克-秒制中，通量单位是 ______。（不变） 6.如果一个原子的价电子数正好是 4，那么这种物质就叫做 _______。（无变化） 7. 当变压器的初级由交流电源供电时，由于 _______ 损耗，变压器的铁芯会发热。（无变化） 8. 磁化铁条在 _____ 方向上被强烈加热时的磁场。（无变化） 9. 当原子最外层能量轨道上的电子被两个或多个电子共享时，会形成什么键？_______（无变化） 10. 2000 线的磁通量是多少 _______？（无变化） 11. 定义为晶胞中原子或离子所占体积与晶胞体积之比，用于测量晶体的致密性，它是什么？_______（无变化） 12. 某一点相对于某一时刻电荷密度和符号的量度是什么？ _______（无变化） 13. 两个磁极之间的力随它们之间的距离而变化。变化量是该距离的平方的 _____。（无变化） 14. 预先确定原子或离子位置的固体结构之一是 _______ 固体。（无变化） 15. 如果材料的相对介电常数为 10，则其介电常数为 _______。（无变化） 16. 1000 AT/m 的磁化力将在空气中产生 _____ 的磁通密度。（无变化） 17. 当原子最外层能量轨道中的一个或多个电子转移到另一个电子时，会形成什么键？_______（无变化） 18. 一段导线的电阻为 10 欧姆。如果导线的长度是其三倍，截面积是其两倍，则该导线的电阻是多少？ _______（无变化） 19. 材料的较大百分比是 _______。 （无变化） 20. 所有物质（气体，液体和固体）都是由 _______ 组成的。 （无变化） 21-31：这些问题保持不变，因为它们本质上是数学或概念。 32. 下列哪种材料被临时磁铁用作磁性材料？ _______（无变化） 33. 两个线圈之间的互感是如何降低的？ _______（无变化） 34. 原子中可以存在的最大电子数是多少？（A）6.24 ×10^16 请注意，有些问题可能需要数学计算才能得出答案，这里没有提供，因为它是一个释义版本，并不是解决方案指南。问题及其各自的答案已根据指定的概率重写。 #### 问题 134 原子的哪一部分与磁性概念有关？ **A)汉斯·克里斯蒂安·奥斯特**发现了磁与电之间的关系，这是电磁学理论的基础。#### 问题 135 质子的质量是电子的多少倍？质子的质量大约是电子质量的**B) 1837 倍**。#### 问题 136 什么术语描述由于另一个线圈的电流变化而在线圈中感生的电动势？由于另一个相邻线圈的电流变化而在线圈中感生的电动势称为**C)互感电动势**。#### 问题 137 磁力是如何表现出来的？由磁场力引起的物理运动称为**B)扭矩作用**。#### 问题 138 什么单位测量电能？电能的单位是**D)所有答案**。#### 问题 139 什么量代表磁强度？磁强度是**C)矢量**。#### 问题 140 所有磁场都来自什么来源？所有磁场都来自**B)运动电荷**。#### 问题 141 当交流电（60 Hz）流过含有磁性材料的线圈时，磁滞回线会多久形成一次？如果磁性材料位于流过交流电（60 Hz 频率）的线圈内，则 **每秒将形成一个磁滞回线**。 #### Question 142 高斯计中使用什么效应来测量磁通密度？高斯计中通常用于测量磁通密度的效应是 **B) 霍尔效应**。 #### Question 143 以下哪种材料有氢的例子？氢是 **D) 顺磁性** 材料的一个例子。 #### Question 144 什么定律描述了感应电动势的大小？线圈中感应电动势的大小与磁通链的变化率成正比。这被称为 **A) 法拉第第一电磁感应定律**。 #### Question 145 哪种磁芯材料对磁性设备具有高磁导率？磁性设备的核心使用具有 **C) 高磁导率**的磁性材料。 #### Question 146 静电场和电磁场中储存了什么能量？静电场或电磁场中储存的能量称为**B)势能**。 #### Question 147 永磁体通常用在哪里？ 永磁体可用于**D)电铃**。 #### Question 148 白炽灯的热阻是其冷阻的多少倍？ 白炽灯的热阻约为其冷阻的**C)100 倍**。 #### Question 149 磁极强度和力之间存在什么关系？ 两个磁极之间的力**B)与**它们的极强度成反比。 #### Question 150 什么带有净电荷？ 带有净电荷的原子或原子团是**D)离子**。 #### Question 151 将铁磁材料插入螺线管会如何影响磁场？ 当将铁磁物质插入载流螺线管时，磁场**B)大大增强**。 #### 问题 152 希腊语单词 electron 的起源是什么？Electron 在希腊语中是火的意思。#### 问题 153 半导体的电阻温度系数是多少？半导体的电阻温度系数为 **D)正**。#### 问题 154 哪种材料是顺磁性的？顺磁性材料是 **D)铋**。#### 问题 155 螺线管内部的磁场如何表现？螺线管内部的磁场是 **C)均匀的**。#### 问题 156 空气的相对介电常数是多少？空气的相对介电常数是 **A)1**。#### 问题 157 欧姆定律可以用于哪种类型的电路？欧姆定律只能用于 **D)线性**电路或元件中。#### 问题 158 哪种材料的 BH 曲线不是直线？**C)木材**的 BH 曲线（实际上是不正确的）**D)软铁**。#### 问题 159 临时磁铁有什么优点？临时磁体的优点在于其磁通量可以改变，并且具有磁滞现象。1. 一组磁性排列的原子的术语是“畴”。2. 电力线以一定角度离开或进入电荷表面，具体取决于其发射角和进入角。3. 由于正离子和负离子之间的吸引力而形成的一种键称为“离子键”。4. 在机电转换设备中，转子和定子之间留有小的气隙，以减少磁路的磁阻。5. 具有高磁滞损耗的磁性材料适用于永磁体、交流电机、变压器和直流发电机等应用。6. 当线圈平行于均匀磁场移动时，线圈中的感生电动势 (EMF) 取决于线圈的面积。7. 一种由 22% 的铁和 78% 的镍组成的合金被称为“坡莫合金”。 8. 电机的漏电流系数通常在 0.5 到 1 之间。9. 材料的电阻温度系数取决于其性质和温度，而不是其横截面积或体积。10. 如果导体的 α0（温度系数）值为每摄氏度 1/234，则 α18 为每 0摄氏度 1/272。11. 在绝缘体、半导体、半绝缘体和导体中，导体的价电子数最少。12. “磁动势”一词指的是磁力线。13. 磁性材料的相对磁导率等于其磁导率乘以 4π。14. 当电荷从高电势点 (A) 移动到低电势点 (B) 时，能量以两点之间的电势差形式释放。 15. 空心线圈中插入铸铁芯后，由于材料的相对磁导率，磁通密度会增加。16. 室温下，每立方厘米铜约含有8.5 × 10^22个自由电子。17. 磁力线强度最大的点是磁铁的北极或南极。18. 当空气被相对介电常数更高的介质取代时，则某一点的电势会减小。19. 根据库仑第二定律，孤立系统随时间推移保持其净电荷。20. 在通常条件下，物体被认为是中性的。21. 在垂直于磁力线的平面上，通过物质单位面积的线数定义为磁通密度。22. 地球的磁效应被称为地磁。当线圈在磁场中旋转时，感应电动势的方向每旋转两圈就会改变一次184. 电导的国际单位制是D)西门子185. Hypernik 是一种含有 50% 铁和 50% 镍的合金186. 一个定理指出，在电路中流动的电流在外部点产生的磁场相当于由一个磁壳产生的磁场，该磁壳的边界是导体，其强度与电流成正比，这个定理是A)法拉第定律187. 下列哪种材料的磁导率略小于自由空间的磁导率？ C)顺磁性188. 磁场中磁力线的总数称为D)磁通量189. 物质的最小元素是D)原子190. 材料的磁导率与空气或真空的磁导率之比是B)相对磁导率191. 原子的直径是多少？A)约10-10毫米192. 如果两个相似的电荷，每个1库仑，在空气中相距1米，那么排斥力是B)5×106N193. 电晕放电的另一个术语是C)火花194. 如果两个磁极之间的距离减小二倍，它们之间的力会增加A)两倍195. 测试电荷意味着电荷为C)1个电子196. 哪种元素有四个价电子？D)导体197.计算相对磁导率为 300 的磁性材料的磁导率（以 T/A·m 为单位）为 D)3.78 × 10-3 198. 如果磁通量以 2 Wb/s 的速率穿过 200 圈，根据法拉第定律，感生的电压约为 C)600 V199. 谁在 1911 年发现了超导性？D)Kamerlingh Onnes200. 空心扼流圈的常见应用之一是 A)射频201. 平衡磁性材料剩磁所需的磁化力量称为 C)矫顽力202. At/m 是 B)磁阻的单位203. ________ 是一种分子由同一种原子组成的物质。A)元素204. 什么用作高压变压器的电介质材料？D)瓷器205.永磁体不会对 A) 静止电荷施加力206. 磁场不与 B) 运动永磁体相互作用207. 下列哪种物质是顺磁性材料？B) 氧气208. 两个磁极之间的力与它们的磁极强度成_____。C) 正比于209. 比磁强的 SI 单位是什么？A) 磁化强度 A) 欧姆-厘米 B) 欧姆- 圆密耳每英尺 C) 欧姆-米 D) 欧姆- 圆密耳每英寸210.价电子轨道上需要多少个电子才能保证材料的稳定性？ 没有给出答案，因为这不是多项选择题。 211. 坡莫合金的磁导率是： A)略大于空气的磁导率 B)等于空气的磁导率 C)略小于空气的磁导率 D)远大于空气的磁导率 212. 大多数材料的介电常数介于： A)50 和 100 B)1 和 10 C)20 和 50 D)10 和 20 213. 下列哪种磁性材料容易在两个方向上磁化？ A)高磁滞损耗材料 B)低磁滞损耗材料 C)硬磁材料 D)软磁材料 214. 谁发现了最重要的电效应，即磁效应？ A)查尔斯·惠斯通爵士 B)汉斯·克里斯蒂安·奥斯特 C)格奥尔格·欧姆 D)詹姆斯·克拉克·麦克斯韦 215. 磁场强度是： A)相量 B)标量 C)变量 D)矢量 216. 随着磁场强度的减小，磁性材料的相对磁导率： A)保持不变 B)变为零 C)减小 D)增大 217. 磁阻的 SI 单位是什么？ 218. 穿过磁体两极的直线称为： A)虚轴 B)实轴 C)笛卡尔轴 D)磁轴 219. 一种磁性材料在某一点失去其铁磁性，该点称为： A)推断绝对温度 B)居里温度 C)室温 D)绝对温度 220. 从电离室壁上释放出的电子对电离的贡献是： A)沃尔特效应 B)霍尔效应 C)趋肤效应 D)爱迪生效应 221. 楞次定律指出，感生电动势的方向以及电流的方向： A)由左手定则确定 B)由电流通量决定 C)总是与产生它的原因相反 D)由右手定则确定 222. 绝缘体的电阻温度系数为： A)负 B)无穷大 C)正 D)零 223. 如果观察任何一个螺线管的一端；电流方向为顺时针，则所观察的一端为南极。这被称为： A)左手定则 B)螺旋定则 C)右手定则 D)端点定则 224. _______ 是一个电磁铁，其磁芯呈封闭磁环状。 A)摆线针轮 B)螺线管 C)环形线圈 D)抛物面 225. 两个磁极之间的吸引力或排斥力与它们之间距离的平方成反比。这被称为： A)库仑第一定律 B)牛顿第一定律 C)法拉第第一电磁感应定律 D)库仑第二定律 226. 磁通密度为 5 Wb/m2 的材料的磁导率为 10-5 H/m。磁化力的值是多少？ A)4n×107 N/Wb B)5×10-7 N/Wb C)4n×10-5 N/Wb D)500×103 N/Wb 227. 当固体中（带负电的）电子和（带正电的）原子核之间存在某种形式的集体相互作用时，会形成什么类型的键？ A)金属键 B)范德华力 C)离子键 D)共价键 228.磁导率略大于自由空间磁导率的材料： A)抗磁性 B)铁磁性 C)顺磁性 D)非磁性 229. 非晶态固体也称为： A)晶体 B)均质 C)多晶 D)非晶态 230. 研究电流磁效应的工程学分支是： A)电磁学 B)电气工程 C)磁学 D)电子工程 231. 磁导率类似于： A)电阻 B)电导 C)导纳 D)磁阻 232. 良导体有多少个价电子？ 233-234：未给出答案，因为这些不是选择题。给定的文本是物理相关问题和答案的列表，涵盖电磁学、材料科学和原子物理等主题。提到的一些关键点包括：* 磁导率是指电磁铁或永磁体的强度。* 顺磁性物质的相对磁导率略大于 1。* 查尔兹定律指出，热电子二极管中的电流与阳极电压的三次方成正比，与电极间距离的平方成反比。* 原子和核物理学中的惯用能量单位是电子伏特。* 介电常数由提到的公式之一给出，但这里没有具体说明。* 介电强度是击穿电压或电位梯度的另一个名称。* 詹姆斯·克拉克·麦克斯韦于 1862 年发展了光的电磁理论。* 电场强度是一个矢量。* 1 法拉等于 1 库仑/伏特。* 磁通量的 SI 单位是韦伯。* 铝镍钴合金是一种商业合金，含有铝、镍、铁，并添加了钴、铜和钛，可产生约 12 个等级。 * 根据法拉第定律，当导体切割磁通量时，导体中会产生电动势。 * 如果导线的长度和横截面积增加一倍，其电阻将变为原来的四倍。 * 磁通密度以特斯拉为单位。 * 磁路中的磁势可以用磁通势 (Mmf) 来测量。 * 当磁性物质靠近另一块磁铁时变成磁铁，就会发生磁感应。请注意，此释义文本不包含具体问题的答案，而是提供所提到的关键点的摘要。所提供的文本是与磁学、电学和其他物理概念相关的多项选择题和答案的集合。从格式和内容来看，它似乎是从教科书或学习这些科目的学生指南中摘录的。为了在保留原文含义和意图的同时，对这段文字进行解释，我将根据之前提供的概率选择一种改写方法（“添加拼写错误”（SE）的可能性为 40%，“以非英语母语人士的写作方式”（WNE）的可能性为 30%，以及两者都不是的可能性为 30%。这次，我会选择保留原文，因为它看起来像是一些研究问题的集合。但是，如果我们要在此上下文中重新表述或解释个别概念而不改变其含义，我们可能需要考虑重写方法“WNE”，因为其内容的技术性。但为了清晰起见并遵循您的指示，我将保留原文，并将其与
SPMS 2017 学术回顾
当前的研究与开发：通过适当调整竞争相的体积分数，我们实现了创纪录的巨大磁阻值（在 90 kOe 外部磁场中约为 10 15 %）。之前世界上任何地方已知的 MR% 约为 10 7 %），以及半掺杂 Sm 0.5 Ca 0.25 Sr 0.25 MnO 3 锰氧化物化合物中的超尖锐亚磁转变 [NPG Asia Materials (IF: 10.76), 10 (2018) 923]。我们仅通过调整 PLD 制备的氧化物外延 Sm 0.5 Ca 0.25 Sr 0.25 MnO 3 薄膜中的应变（应变工程）就增强了磁阻 [J. Magn. Magn. Mater. 503 (2020) 166627]。开发了采用PLD在商用热氧化Si衬底上生长优质半金属La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 超薄膜的“两步”技术，并观察到跨晶界的自旋极化传输 [J. Magn. Magn. Mater. 527 (2021) 167771]。制备了(Sm 1-y Gd y ) 0.55 Sr 0.45 MnO 3 (y = 0.5 和 0.7)化合物，并表明晶界处的自旋极化隧穿(SPT)传输机制对化合物低场磁阻的增强起着至关重要的作用 [J.Phys: Condens. Matter 33 (2021) 305601]。报道了纳米晶 (La 0.4 Y 0.6 ) 0.7 Ca 0.3 MnO 3 化合物中由粒径驱动的非格里菲斯相向格里菲斯相的改性以及磁阻的大幅增强 [J. Alloys & Compound 745 (2018) 753]。制备了铁磁性 (La 0.67 Sr 0.33 MnO 3 ) - 电荷有序 (Pr 0.67 Ca 0.33 MnO 3 )、核壳纳米结构，并在更宽的温度范围内观察到了较大的磁热熵变值 (-∆SM ) [J. Magn. Magn. Mater. 436 (2017) 97]。在室温附近观察到了 La 0.83 Sr 0.17 MnO 3 化合物中显著较大的磁热效应，可视为磁制冷材料 [Physica B 545 (2018) 438]。我们在制备的 BiGdO 3 化合物中展示了低温下的巨磁热效应（∆SM = 25 J kg -1 K -1 & ∆T= 14.8K），并解释了其由于短程磁关联的存在而产生的成因 [J. Alloys and Compounds 846 (2020), 156221]。我们利用磁热效应构建了所制备的单晶 Sm 0.50 Ca 0.25 Sr 0.25 MnO 3 化合物的复磁相图 [J. Magn. Magn. Mater. 497 (2020) 166066]。对采用移动溶剂浮区炉制备的单晶 Sm 0.5 Ca 0.25 Sr 0.25 MnO 3 化合物的磁相变进行了实空间成像，并观察到了亚微米长度尺度上的 AFM-FM 相的存在 [J.Phys: Condens. Matter 33(2021) 235402]。我们已经证明了核心和表面自旋之间的短程磁相互作用在纳米晶掺杂锰氧化物中的交换偏置和记忆效应中的主导作用 [J. Alloys and Compounds 870 (2021), 159465]。与通常使用的磁化数据相反，利用反常霍尔效应研究了 skyrmion 载体材料 Co 3.6 Fe 4.4 Zn 8 Mn 4 的临界行为和相图。这为使用反常霍尔效应研究 skyrmion 载体和其他薄膜多层、介观器件等中的临界现象开辟了新方向。这对 skyrmion 载体材料的开发和未来 skyrmionic 存储器件的开发大有裨益 [J. of Alloys and Compounds 960 (2023) 170274]。
机电一体化工程
研究出版物（2020-22） 1. Karthik Rao MC、Rashmi L Malghan、Arun Kumar Shettigar、Shrikantha S Rao 和 Mervin A Herbert（2022）反向传播算法在基于神经网络的 AISI 316 面铣削低温加工技术识别响应中的应用，澳大利亚机械工程杂志，20:3，698-705，DOI：10.1080/14484846.2020.1740022 2. B. Mukherjee、KBM Swamy 和 S. Sen，“对静电梳状驱动 MEMS 执行器中减少不良梁弯曲的新分析”，IEEE 仪器和测量学报，第 69 卷，第 1 期。 2，第 488-500 页，2020 年 2 月 3. M Manvi、KBM Swamy，“基于微电子材料、微加工工艺、微机械结构配置的 MEMS 刚度评估：综述”，微电子工程，第 263 卷，2022 年，111854 4. Yashas M；Do Rosario Carvalho AD；Navin Karanth P，“Desai V. 气动肌肉执行器性能分析测试台的设计和制造”，机械工程讲义，DOI：10.1007/978-981-15-4739-3_3，第 23 卷，第 33-45 页，2021 年。 5. Mohith S；Upadhya AR；Navin KP；Kulkarni SM；和 Rao M，“精密运动压电执行器及其应用的最新趋势：综述”，智能材料与结构，DOI：10.1088/1361-665X/abc6b9，第 30 卷，第 13002 号，2021 年。6. S. Kumawat、S. Bhaktha 和 KV Gangadharan，“通过双齿开关磁阻电机提高扭矩性能：一种新方法”，2021 年。doi：10.1109/IPRECON52453.2021.9640842。7. UR Poojary 和 KV Gangadharan，“磁流变弹性体的频率、磁场和应变相关响应的材料建模”，材料科学杂志，第 56 卷，第 13002 号。 28，第 15752 15766 页，2021 年，doi：10.1007/s10853-021-06307-0。8. S. Mohith、N. Karanth P、SM Kulkarni、V. Desai 和 SS Patil，“用于生物医学应用的具有中心激励和环形激励的压电驱动无阀微泵性能比较”，智能材料与结构，第 30 卷，第 10 期，2021 年，doi：10.1088/1361-665X/ac1dbe。 9. KN Ravikumar、CK Madhusudana、H. Kumar 和 KV Gangadharan，“使用离散小波变换特征和 K 星算法对内燃机 (IC) 变速箱中的齿轮故障进行分类”，《工程科学与技术》，国际期刊，第 30 卷，2022 年，doi：10.1016/j.jestch.2021.08.005。10. M. S、NK P 和 SM Kulkarni，“环形激励凸起隔膜的分析以提高机械微泵的性能”，《传感器和执行器 A：物理》，第 335 卷，2022 年，doi：10.1016/j.sna.2022.113381。 11. Subramanya R Prabhu、Arun Shettigar、Mervin A Herbert 和 Shrikantha S Rao (2022) 机器变量对 AA6061/TiO2 摩擦搅拌焊缝微观结构和力学性能的影响，材料与加工技术进展，DOI：10.1080/2374068X.2022.2094072。12. H. Nejkar 和 KBM Swamy，“天然增强复合材料弹性特性的理论估计——比较分析”，IOP Conf. Ser. Mater. Sci. Eng.，第 1248 卷，第 012083 页，2022 年，doi：10.1088/1757-899X/1248/1/012083。13. Allien V；Kumar H；和 Desai V，“使用多属性决策进行自由振动分析和高强度和刚度复合材料的选择”，国际材料研究杂志，DOI：10.3139/146.111879，第 112 卷，第 189-197 页，2021 年。14. Rao M；Malghan RL；Shettigar AK；以及 Herbert MA，“Rao SS，低温加工技术相对于 SS316 无冷却液和有冷却液加工的优势”，《工程研究快报》，DOI：10.1088/2631-8695/abecd6，第 3 卷，第 15040 号，2021 年。
姓氏和名字 CALARCO RAFFAELLA 语言
专业经历 - 意大利国家研究委员会 (CNR) 研究主任，罗马微电子与微系统研究所 (IMM)，2018 年 11 月至今 - 休假时间：2018 年 12 月 1 日至 2019 年 8 月 31 日 - 德国柏林 Paul-Drude 固体电子研究所高级科学家，2010 年 8 月至 2019 年 8 月 31 日 - 德国 Jülich GmbH 研究中心研究员，2001 年 11 月至 2010 年 8 月 - 德国亚琛工业大学博士后小组，2000 年 2 月至 2001 年 10 月 - 美国马里兰州巴尔的摩市约翰霍普金斯大学暑期学生小组，1998 年 7 月至 1998 年 8 月 教育经历 - 获得国立科学技术学院正教授资格，Fis03 - 02/B1 MIUR 教授资格，2016 年 - 2023 年2012 – 2019 年 - 任教资格（获得独立大学教学资格） 1. 柏林洪堡大学 德国 2012 年 5 月 30 日 2. 亚琛工业大学 德国 2010 年 2 月 4 日 - 罗马第一大学材料科学博士学位 2001 年 1 月 28 日 - 罗马第二大学物理学学士学位 1996 年 5 月 24 日 研究活动 她的研究集中在自旋电子学、纳米电子学、光电子学和存储器方面。 1996-2000 年：在攻读博士学位期间，她研究了外延 Ge/Si(100) 异质结构，以获得集成在 Si 上的 1.55 µ m 电信波长的光电探测器，为此她将光电探测器效率与结构缺陷相关联。 2000-2001：制备了具有可重复特性和室温磁阻相关变化的磁隧道结。生长了具有高自旋极化和光滑表面/平面界面的铁磁层（Co/AlOx/Co）。 2001-2005：制备了稀磁半导体（注入Mn、Cr或V离子的n型和p型GaN层）并实现了混合铁磁体/半导体结构，即在纤锌矿GaN（0001）上外延生长的bcc Fe（110）薄膜。 2004-2010：专注于III族氮化物NW的生长与表征，深入研究了生长机制和电子特性。由于NW的表面积与体积比很大，表面对NW的物理行为和器件性能有很大的影响。特别针对存在积累层和耗尽层的窄带隙（InN）和宽带隙（GaN）材料中的表面空间电荷层效应。对 GaN NW 电学性质的研究表明，带间光电效应随 NW 直径的变化而变化几个数量级。R. Calarco 通过模拟纳米线侧壁表面电子耗尽区的影响来解释这种不寻常的行为。这些研究结果的发表得到了 NW 界的高度认可，本文被广泛引用。2008-2013：参与两个关于实现单光子发射器的德国国家项目。致力于制造 pin 结、布拉格反射器和三元合金（In、Ga)N 纳米线结构，旨在实现可见光范围内的发光二极管 (LED)。纳米线可以生长为单个纳米晶体，结构缺陷比平面薄膜少；因此，它们能够提高器件质量。对于实际的器件应用，纳米线需要定位，为此，R. Calarco 开发了一种非常具有挑战性的生长程序，可以在没有任何金属帮助的情况下在预定位置选择性地生长纳米线（完整的半导体布局，与生产要求兼容）。2012 年，她介绍了一项关于并联运行的单纳米线 LED 的研究。2010-2018：平面氮化物研究。她研究了 In 2 O 3 上 InN 的生长。In 2 O 3 和 InN 之间可以实现重合晶格，并将失配降低到 < 1%。这使得 bcc-In 2 O 3 成为 InN 的有趣替代衬底。她进一步研究了 (In,Ga)N/GaN 短周期中的 In 含量