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World File Search System磷化铟
luxtelligence sa
光子综合电路（图片）对于现代数据中心内的数据传输是必不可少的，并且传统上遍布多个应用程序领域，限于散装光学元件，例如LIDAR和BIOSESENT。薄膜硅锂（LNOI）的最新进展显示了LNOI综合光子电路的主要潜力，这些电路表现出强大效应，从而实现了超快和有效的电流调制，但难以通过干蚀刻来处理。出于这个原因，不可能蚀刻紧密的封闭波导 - 通常在硅或氮化硅中实现的 - 这阻碍了材料向商业铸造厂的过渡。虽然硅或磷化物的发育良好，但在欧洲提供了许多商业铸造厂，提供PDK（工艺设计套件），但尼橙色锂的图片并非如此。使用钻石样碳（DLC）的新型制造过程，EPFL的最新进展克服了这一挑战。dlc在1950年代被发现，是一种具有出色硬度的无定形材料，并且能够沉积在纳米薄膜中。使用DLC作为硬面膜，EPFL表现出可靠的蚀刻，紧密限制和低损失图片的可靠制造，损失低至5 dB/m。这种制造方法可以预示新一代紧密限制的Niobate光子集成电路，尤其是用于在基于相干激光的射程，波束成形，光学通信或新兴经典和量子计算网络中的应用。该项目将该制造过程转变为Luxtelligence SA，并开发具有关键构件的工艺设计套件（PDK），特别是高速低压调节器，旨在成为欧洲第一个商业纯式纯种型铸造厂，并将lithium niobate Niobate Niobate niobate集成的光子循环访问。该项目的重点是关键技术，例如波导蚀刻和电极处理，并演示了PDK库中的基本组件，例如波导和电形相位变速器。
树突状粗糙。 div>
抽象的树枝状菌Asper是一种具有较高商业价值的竹类，是世界热带地区大规模农业林木种植园的首选竹子。使用组织培养的微磷化对于产生均匀的克隆至关重要的，这些克隆可容纳在工业农业污染项目中，用于竹类生物量，栖息地恢复或碳固存中。本文报告了使用市售种子建立D. Asper Invitro。使用三种不同的化学剂（次氯酸钠（20％），氯化汞（0.1％）和乙醇（70％），然后在Murashige和Skoog（MS）培养基上以6-苯甲酰胺（BAP）补充，浓度为1.0 -0 -0 -0 -0 -MG/l。在补充不同浓度的IBA吲哚-3-丁酸（IBA）和萘乙酸（NAA）的MS培养基上乘以繁殖，并最终在泥炭苔藓中生根并坚硬。我们的研究结果表明，灭菌方案消除了所有植物病原体，从而产生了轴突培养。补充5 mg/l BAP的全强度MS培养基在接种四个星期后产生的芽数量最高（每位外植体11.46）。在补充了3 mg/l BAP的MS培养基上获得了最高的乘法率（每次外植体3.95芽）。从启动到硬化所需的时间为70至90天，随后植物会准备进行现场试验。这项研究的结果将促进建立致力于生产D. Asper在本地生产的植物组织培养计划，从而消除了对进口的需求以及可能对当地农业林业行业有害的植物病原体的可能进入。关键字：dendrocalamus asper；竹子;微爆； 6苄基氨基嘌呤；吲哚-3-丁酸；萘乙酸； Murashige和Skoog Medium
光伏 (PV) 模块技术：2020 年基准成本和技术演进框架结果
J-box 接线盒 J sc 短路电流 JV 电流密度-电压 KRICT 韩国化学技术研究院 LCOE 平准化电力成本 LID 光致衰减 MA 甲铵 MAI 甲基碘化铵 MOCVD 金属有机化学气相沉积 MOVPE 金属有机气相外延 MSP 最低可持续价格 MWT 金属包裹 NREL 国家可再生能源实验室 OpEx 运营费用 P3HT 聚（3-己基噻吩） PCBM 亚甲基富勒烯 苯基-C61-丁酸甲酯 PEAI 苯乙基碘化铵 PECVD 等离子体增强化学气相沉积 PERC 钝化发射极和背电池 PERL 钝化发射极后部局部扩散 PERT 钝化发射极后部全扩散 PET 聚对苯二甲酸乙二醇酯 POE 聚烯烃 PSG 磷硅酸盐玻璃 PTAA 聚（三芳胺） PV 光伏 PVCS 光伏组合开关设备 R&D 研究与开发 R2R卷对卷 RTP 快速热处理 S2S 片对片 SAS 硒化和硫化 SG&A 销售、一般及行政管理 SHJ 硅异质结 SJ 单结螺-OMeTAD 2,2',7,7'-四(N,N-二对甲氧基苯胺)-9,9'螺二芴 STC 标准测试条件 TCO 透明导电氧化物 TEF 技术演进框架 TJ 三结 TMAl 三甲基铝 TMGa 三甲基镓 TMIn 三甲基铟 USD 美元 V oc 开路电压 wph 每小时晶圆
III-氮化物 p 向下绿色（520 nm）发光二极管，带有...
1 俄亥俄州立大学电气与计算机工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。2 Lumileds LLC，美国加利福尼亚州圣何塞 95131。3 俄亥俄州立大学材料科学与工程系，美国俄亥俄州哥伦布 43210。*通讯作者：rahman.227@buckeyemail.osu.edu 摘要：我们展示了通过高效隧道结实现的低开启电压 P 向下绿光 LED。由于 (In,Ga)N/GaN 界面中的极化场排列具有 p 向下方向，与传统的 p 向上 LED 相比，电子和空穴注入的静电耗尽势垒降低了。具有 GaN 同质结隧道结的单个 (In,Ga)N/GaN 异质结构量子阱有源区在 20A/cm 2 时表现出非常低的 2.42V 正向工作电压，当电流密度高于 100 A/cm 2 时，峰值电致发光发射波长为 520 nm。底部隧道结具有最小的电压降，能够实现向底部 p-GaN 层的出色空穴注入。III 族氮化物半导体在光电子学和电子学 1-12 中的广泛应用具有重要的技术意义，并已广泛应用于照明和显示应用。虽然过去十年来，紫/蓝光发射波长范围内的 GaN 基发光二极管的效率和功率输出有了显着提高，但较长波长的发射器仍然表现出较低的效率。对于为更长波长设计的发射器，(In,Ga)N 量子阱中的铟摩尔分数会导致与更大的晶格失配、量子阱内的缺陷以及阱-势垒界面处更高的极化片电荷密度相关的挑战，所有这些都会导致器件性能下降。13-16
半导体有效位移损伤剂量计算方法的开发及其在空间场中的应用
位移损伤剂量 (DDD) 是预测在太空环境中使用且会受到辐射的半导体器件寿命的常用指标。DDD 通常根据 Norgett-Robinson-Torrens (NRT) 模型根据非电离能量损失估算，尽管所谓的有效 DDD 的新定义考虑了半导体中非晶化的分子动力学 (MD) 模拟。本研究开发了一个新模型，用于计算碳化硅 (SiC)、砷化铟 (InAs)、砷化镓 (GaAs) 和氮化镓 (GaN) 半导体的常规和有效 DDD 值。该模型是通过扩展粒子和重离子传输代码系统 (PHITS) 中实现的每原子位移计数获得的。这种新方法表明，由于直接撞击造成的非晶化，砷基化合物的有效 DDD 高于传统 DDD，而由于复合缺陷，SiC 的这种关系则相反。对于暴露于质子的 SiC 和 GaN，有效 DDD/传统 DDD 比率随质子能量的增加而降低。相反，对于 InAs 和 GaAs，该比率在质子能量高达 100 MeV 时增加到 1 以上，并且趋于稳定，因为缺陷产生效率（即 MD 模拟的碰撞级联末端稳定位移数量与 NRT 模型计算的缺陷数量之比）在损伤能量值高于 20 keV 时不会增加。通过计算低地球轨道上夹在薄玻璃盖和铝板之间的半导体的有效 DDD 值，证明了该模型的实际应用。结果表明，通过将玻璃盖厚度增加到 200 μ m，可以显著降低有效 DDD，从而证实了屏蔽太空中使用的半导体器件的重要性。这种改进的 PHITS 技术有望通过预测宇宙射线环境中具有复杂几何形状的各种半导体的有效 DDD 值来协助半导体设计。
非化学计量 NiFeMo 固溶体
HER 动力学缓慢，而 Ni 则具有一些积极特性，例如高导电性、稳定性和相对较高的地球丰度。[1,3] 自 20 世纪 60 年代以来，人们做出了巨大努力来提高 Ni 基电催化剂的催化活性，采用了各种有希望的候选材料，例如镍的氢氧化物、二硫属元素化物、磷化物、碳化物等。[1,4] 通常，可以通过调整催化剂的形貌（例如，生产纳米线、纳米片、纳米颗粒等）来增加活性表面积，以及改善可用活性位点的固有活性（例如，通过合金化、掺杂、缺陷工程等）来增强催化活性。对于镍而言，形成合金是改变形貌和内在活性的常用策略，其中 NiCo、NiFe 和 NiMo 混合物已被鉴定为很有前途的 HER 电催化剂。[2b,4,5] 多组分合金的使用是二元体系的自然延伸，其中已经研究了三元合金，例如 CuAlNi、NiMoFe 和 NiMoW[2b,4]，尽管每种金属的作用尚不完全清楚。在常见的 Ni 合金中，NiFe 混合物通常表现出更好的催化性能，特别是，在这些合金中添加 Mo 可以降低起始电位，这是由于有利的氢-金属相互作用和增加活性位点的数量。[4,6] 因此，NiFeMo 合金是最有前途的 HER 电催化剂之一，主要通过热液工艺[7]或电沉积生产。 [8] 合成技术的选择对催化剂的形貌有显著的影响，一般来说，不同的合成技术具有不同的最佳 Ni:Fe:Mo 金属比。此外，这些技术的特点是产量低、材料负载有限，使其在大规模应用中的使用变得复杂。因此，寻找一种能够生产三金属合金的可扩展技术对于氢经济的发展至关重要。溶液前体等离子喷涂 (SPPS) 是一种很有前途的技术，它有可能生产出各种具有适合作为电催化剂的特性的涂层 [9]。因此，在本研究中，我们表明，在等离子喷涂过程中使用含有 Ni、Fe 和 Mo 金属盐的液体前体
胶体CdS量子点的合成及作为界面修饰的应用
1. 引言 近年来，由于钙钛矿太阳能电池成本低、效率高、制备简单等特点，吸引了众多研究人员的关注。自从 2009 年 Miyasaka 等人首次报道以来，钙钛矿太阳能电池 (PSC) 技术已经从 3.8% 提升至 25% 左右 [1,2]。基本的钙钛矿太阳能电池由透明导电层（例如氟掺杂氧化锡 (FTO) 或铟掺杂氧化锡 (ITO)、电子传输层、光敏钙钛矿层、空穴传输层以及金属电极）组成。由于电子传输层适用于所有层，因此它对于 PSC 的高效率起着重要作用。TiO 2 是最常用的电子传输层之一，因为它具有多种制备方法，例如旋涂、喷涂、溅射等 [3–5]。除了制备技术之外，TiO 2 结构还存在一些问题，例如氧空位和非化学计量缺陷，尤其是位于 TiO 2 表面的缺陷 [6,7]。这些缺陷阻碍电子流动，导致钙钛矿太阳能电池性能不佳。一些研究人员报道了一些不同的材料如 SnO 2 、 ZnO、CdS 和 WOx 代替 TiO 2 作为电子传输层 [8–11]。尽管 CdS 作为电子传输层还远远不能令人满意，但它可能是改性和钝化 TiO 2 表面的优异界面材料。最近，Hwang 等人报道 CdS 作为介孔 TiO 2 层的改性材料，可提高钙钛矿太阳能电池的稳定性 [12]。Zhao 等人使用 CdS 作为前体溶液的添加剂，观察到复合显著减少 [13]。Dong 等人使用 CdS 作为电子传输层，观察到 PSC 的效率为 16.5% [14]。Wessendorf 等人通过使用 CdS 作为电子传输层，观察到磁滞减小 [15]。Cd 扩散到钙钛矿层导致晶粒尺寸增加，从而提高效率 [16]。Mohamadkhania 等人使用 SnO 2 表面上的 CdS 作为界面改性剂，观察到磁滞减小和效率提高 [17]。Ma 等人表明，在 TiO 2 表面化学沉积 CdS 可将效率从 10.31% 提高到 14.26% [18]。
HER2 靶向药物的优化、自动化和符合 cGMP 的合成 [
摘要背景：Affibody 分子 ABY-025 已被证明可用于在体内检测人类表皮生长因子受体 2 (HER2)，无论是用铟-111 ( 111 In) 还是镓-68 ( 68 Ga) 进行放射性标记。最好使用后者 68 Ga，因为与 111 In 相比，它在正电子发射断层扫描中具有更高的分辨率和在临床环境中的量化能力。正在进行的 II 期研究 (NCT05619016) 评估了 ABY-025 用于检测 HER2 低病变和选择患者进行 HER2 靶向治疗的效果，目的是优化 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 的自动化和符合 cGMP 的放射合成。 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 是在合成模块 Modular-Lab PharmTracer (Eckert & Ziegler) 上生产的，该模块常用于 68 Ga 标记。放射性示踪剂之前已在此模块上进行放射性标记，但为了简化生产，对方法进行了优化。将需要手动交互到放射性标记程序的步骤减至最少，包括方便且自动化的 68 Ga 洗脱液预浓缩和简化的自动化最终配制程序。放射性药物生产的每个部分都经过精心开发，以获得稳健性并避免任何操作员绑定的制造变化。优化的生产方法已成功应用于另一种放射性示踪剂的 68 Ga 标记，验证了其作为基于 Affibody 的肽的放射合成的通用且稳健方法的多功能性。结果：开发了一种简化和优化的自动化 cGMP 合规的 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 放射合成方法。该方法的衰变校正放射化学产率为 44 ± 2%，放射化学纯度 (RCP) 为 98 ± 1%，生产后 2 小时的 RCP 稳定性为 98 ± 1%，表明该方法具有高度的可重复性。当用于放射性标记另一种类似肽时，该生产方法也显示出可比的结果。结论：对 [ 68 Ga]Ga-ABY-025 放射合成所做的改进，包括引入 68 Ga 洗脱液的预浓缩，旨在充分利用 68 Ge/ 68 Ga 发生器的放射性输出，从而减少放射性浪费。此外，减少放射合成前手动执行的准备步骤的数量，不仅可以最大限度地降低潜在的人为/
3072 电极多路复用 μECoG 阵列，用于高... - Lirias
Paoline.Coulson@nerf.be 脑皮层电图能够记录来自大脑表面的高质量信号。该技术可覆盖广泛的大脑，这对于临床应用至关重要，例如癫痫发作区的划定、皮层功能的映射或脑机接口神经信号的解码。提高这些记录的分辨率有望提高性能，但需要增加电极密度。1 在被动方案中，每个电极都单独连接到读出系统，从而产生笨重而复杂的连接器。在这里，我们引入了一种主动连接方案，其中使用薄膜晶体管来互连多路复用电极，从而使电极与导线的比率呈指数增加。此前，我们已经开发了一种概念验证设备，其中集成了 256 个电极和氧化铟镓锌 (IGZO) 晶体管，仅使用 32 条导线即可寻址。增量 ΔΣ CMOS 读出集成电路是定制设计的，复用率为 16:1。该系统通过记录小鼠体感皮层的信号在体内进行了验证，其噪声水平低于类似的多路复用设备。2 在这里，我们的技术已适应柔性半导体代工厂建立的外部生产流程。借助此流程，该设备将工业制造的晶体管整合到柔性聚酰亚胺基板上，从而实现低成本、可扩展且快速生产的技术。我们设备的新版本目前正在开发中，它整合了 3,072 个电极，仅用 128 根电线即可寻址，多路复用率为 32:1。电极间距减小到 200 µm，电极直径从 100 到 30 µm。整个阵列覆盖 2×1 cm² 的面积，厚度为 30µm，这使其能够符合人脑曲率。我们的设备展示了多路复用的潜力，可以通过简化的连接方案实现高密度和大面积记录，而这是传统无源电极技术无法实现的。该设备为改进诊断和治疗铺平了道路，例如升级的神经假体，具有增强的解码性能。改进的制造流程实现了可扩展性，从而促进了该技术的使用，并使其更接近临床转化。
分析化学基础.pdf
原子 原子元素 符号 数量 质量 锕 Ac 89 (227) 铝 Al 13 26.9815386 镅 Am 95 (243) 锑 Sb 51 121.760 氩 Ar 18 39.948 砷 As 33 74.92160 砹 At 85 (210) 钡 Ba 56 137.327 锫 Bk 97 (247) 铍 Be 4 9.012182 铋 Bi 83 208.98040 硼 Bh 107 (270) 硼 B 5 10.81 溴 Br 35 79.904 镉 Cd 48 112.411 钙 Ca 20 40.078 锎 Cf 98 (251) 碳 C 6 12.011 铈 Ce 58 140.116 铯 Cs 55 132.90545 氯 Cl 17 35.45 铬 Cr 24 51.9961 钴 Co 27 58.933195 铯 Cn 112 (285) 铜 Cu 29 63.546 锔 Cm 96 (247) 达姆斯塔德 Ds 110 (281) 铍 Db 105 (268) 镝 Dy 66 162.500 镝 Es 99 (252) 铒 Er 68 167.259 铕 Eu 63 151.964 镄 Fm 100 [257] 铍Fl 114 (289) 氟 F 9 18.9984032 钫 Fr 87 (223) 钆 Gd 64 157.25 镓 Ga 31 69.723 锗 Ge 32 72.63 金 Au 79 196.966569 铪 Hf 72 178.49 钇 Hs 108 (277) 氦 He 2 4.002602 钬 Ho 67 164.93032 氢 H 1 1.008 铟 In 49 114.818 碘 I 53 126.90447 铱 Ir 77 192.217 铁 Fe 26 55.845 氪 Kr 36 83.798镧 La 57 138.90547 劳伦斯 Lr 103 (262) 铅 Pb 82 207.2 锂 Li 3 6.94 利弗莫伦 Lv 116 (293) 镥 Lu 71 174.9668 镁 Mg 12 24.3050 锰 Mn 25 54.938045 Meitnerium Mt 109 (276)