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隧道结钝化接触概念在柔性 CIGS 太阳能电池中的实现
在众多可再生能源技术中，铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）、有机和钙钛矿太阳能电池是技术成熟且经过现场验证的技术。[1–6] 这些技术用于各种场合，如光伏发电厂、光伏建筑一体化、室内能源、电动汽车和小型移动电源。[7–11] 自20世纪50年代初以来，c-Si一直是全球光伏产业的主流产品。[12–14] c-Si太阳能电池的核心结构是在p（或n）型硅衬底上扩散n（或p）型发射极形成的pn同质结。 [15] 在 c-Si 太阳能电池中，这种 pn 同质结至今仍在使用，并且可以通过众所周知的钝化发射极和背面电池及相关架构（例如钝化发射极局部扩散电池和钝化发射极背面全扩散电池）实现约 25% 的高功率转换效率 (PCE)。[16–18] 与 c-Si 太阳能电池不同，CIGS 太阳能电池器件基于 p 型 CIGS 和 n 型 CdS 层之间形成的 pn 异质结。[19–22]
具有近 20 mA 电流的全栅极 In2O3 纳米带 FET ...
摘要—在这项工作中，我们展示了原子层沉积 (ALD) 单通道氧化铟 (In 2 O 3 ) 栅极环绕 (GAA) 纳米带场效应晶体管 (FET)，该晶体管采用了后端制程 (BEOL) 兼容工艺。在 In 2 O 3 GAA 纳米带 FET 中，实现了 19.3 mA/µ m（接近 20 mA/µ m）的最大导通电流 (I ON ) 和 10 6 的开/关比，其通道厚度 (T IO ) 为 3.1 nm，通道长度 (L ch ) 为 40 nm，通道宽度 (W ch ) 为 30 nm，介电 HfO 2 为 5 nm。采用短脉冲测量来减轻超薄通道层中流动的超高漏极电流引起的自热效应。 In 2 O 3 FET 获得的创纪录高漏极电流比任何传统单通道半导体 FET 高出约一个数量级。这种非凡的漏极电流及其相关的导通状态性能表明 ALD In 2 O 3 是一种有前途的氧化物半导体通道，在 BEOL 兼容单片 3D 集成方面具有巨大的发展机会。
肽的设计、合成和临床前评估...
在过去十年中，基于放射性核素的分子成像已成为前列腺癌管理的一项重大进步。该技术涉及使用针对与疾病相关的特定生物标志物的放射性配体。两种关键生物标志物是前列腺特异性膜抗原 (PSMA) 和胃泌素释放肽受体 (GRPR)，与健康器官相比，它们在前列腺癌组织中过度表达。有利的放射性配体特性包括高靶向特异性和亲和力、在肿瘤中的强保留性、最小的脱靶摄取、从健康器官中快速清除以及简单高效的合成和放射性标记。本论文包含四篇原创文章，重点关注优化基于肽的放射性配体的靶向特性以用于前列腺癌成像，从而增强诊断潜力。论文 I 和 II 重点关注 PSMA/GRPR 靶向异二聚体放射性配体的开发。特别是，论文 I 研究了用于 SPECT 成像的铟-111 标记放射性配体中功能性接头的长度和疏水性。由较短的 GRPR 接头和更疏水的 PSMA 接头组成的放射性配体 BQ7812 表现出最有利的靶向特性。这些发现促成了论文 II，该论文涵盖了用镓-68 而不是铟-111 标记的 BQ7812 的临床前评估。结果证实 [ 68 Ga]Ga-BQ7812 是一种有前途的前列腺癌 PET 成像放射性配体。论文 III 涵盖了 PSMA 靶向放射性配体的 SAR 研究，重点关注功能接头的分子结构。由 2-萘基-L-丙氨酸-L-酪氨酸接头组成的放射性配体 BQ7859 显示出更好的肿瘤保留率和更高的肿瘤与血液比率。结论是，2-萘基-L-丙氨酸对于高亲和力至关重要，而后续接头位置更适合结构变化，可用于优化靶向特性。最后一项研究，论文 IV，探讨了使用 Tz-TCO 点击化学方法开发氟-18 标记的 GRPR 靶向放射性配体用于 PET 成像。结果表明，标记策略有效，在室温下和生理 pH 下发生，无需进一步纯化最终产品。[ 18 F]F-MeTz-PEG 2 -RM26 表现出与靶标的特异性结合，并在 GRPR 靶向器官和肿瘤中稳定保留，从而导致肿瘤与器官的比率随时间增加。总之，本论文中的论文表明，优化 PSMA 和 GRPR 靶向放射性配体中的功能性接头可以提高前列腺癌诊断成像的靶向性。
材料和硬件
系列 类型 10xx 非硫化碳钢 11xx 再硫化碳钢（易加工） 12xx 再磷化和再硫化碳钢（易加工） 13xx 锰 1.75% 23xx 镍 3.50% 25xx 镍 5.00% 31xx 镍 2.25%、铬 0.65% 33xx 镍 3.50%、铬 1.55% 40xx 钼 0.20 或 0.25% 41xx 铬 0.50 或 0.95%、钼 0.12 或 0.20% 43xx 镍 1.80%、铬 0.50 或 0.80%、钼 0.25% 44xx 钼0.40% 50xx 铬 0.25、或 0.40 或 0.50% 50xxx 碳 1.00%、铬 0.50% 51xxx 碳 1.00%、铬 1.05% 52xxx 碳 1.00%、铬 1.45% 61xx 铬 0.60、0.80 或 0.95%、钒 0.12% 0.10% 最小、或 0.15% 81xx 镍 0.30%、铬 0.40%、钼 0.12% 86xx 镍 0.55%、铬 0.50、钼 0.20% 87xx 镍 0.55%。铬 0.05%、钼 0.25% 92xx 锰 0.85%、硅 2.00%、铬 0 或 0.35% 93xx 镍 3.25%、铬 1.20%、钼 0.12% 94xx 镍 0.45%、铬 0.40%、钼 0.12%
六方氮化硼超表面实现全可见光谱高品质纳米光子学
振幅[3,4]光散射的方向性[5,6]自旋[7,8]和轨道角动量[9,10]，而不受金属基方法固有材料损耗的限制。特别是，由近场增强驱动的应用，如生物分子传感，依赖于高共振品质因数（Q）（定义为共振波长除以线宽），因此需要高的电磁近场强度来实现最大样本灵敏度。[11,12]从米氏理论等中得知，共振品质因数和共振器折射率[13]之间的固有相关性，因此推动了基于高折射率材料体系（如硅[14,15]锗[16,17]或磷化镓）的全电介质纳米光子学的发展。 [18,19] 尽管这些材料在近红外 (NIR) 和红外 (IR) 光谱区域具有出色的高 Q 共振特性，但由于它们的带隙能量处于中间水平，因此在整个可见光谱范围内都伴随着较高的材料固有带间吸收损耗。由于这些基本的材料限制，在整个可见光谱范围内都缺乏无损高折射率材料。[20–23] 特别是，对于可见波长范围，存在大带隙和无损材料的竞争
A.物理 - GISC-马德里大学合并 div>
自Geim和Novoselov [1]获得石墨烯以来，由于各种原因，二维（2D）材料的实验和理论表征是一个非常活跃的研究主题。其中，与散装相比，相比之下，大量的潜在应用，新的物理现象的出现以及很重要的是调整其性质的易感性[2-10]。这些2D材料可以通过自上而下的方法（例如3D层状晶体的液体或机械去角质）或自下而上的技术获得，例如分子束外观外观（MBE），化学蒸气沉积（CVD）和物理蒸气沉积（PVD）。它们的构成非常多样化；研究最多的2D材料是过渡金属硫化剂，六边形硼n- tride（H-BN），磷化物（BP），磷烯，硅，硅，德国烯以及一年一度增加到一年的长列表[11，12]。是由大量合成和理论上提出的2D材料的动机，计算2D材料数据库（C2DMDB）是将稳定性及其基本物理化学特性分类的替代方法[2,4,5]。C2DMDB包含几种尚未达成的材料，这些材料是第一次提出的，或者先前已提出的材料，并已被验证为热和动态稳定。一个例子是Penta-Graphene（PG），Penta-Graphene（PG）是由Pentagons组成的一种新的碳。Penta-Graphene于2014年首次由Tang等人提出。[13]，后来由Zhang等人。[14]。尽管到目前为止尚未合成PG，但其物理化学
通过脉冲激光软沉积 TCO 以获得高质量的超薄多晶硅钝化接触
本文探讨了脉冲激光沉积 (PLD) 透明导电氧化物 (TCO) 在高质量超薄多晶硅基钝化接触上的适用性。通过减小多晶硅层厚度，可以最大限度地减少多晶硅层引起的寄生吸收。然而，多晶硅触点上的 TCO 沉积（通常通过溅射）会导致严重的沉积损伤，并进一步加剧较薄多晶硅层（<20 纳米）的表面钝化。虽然可以使用高温（约 350 摄氏度）热处理来部分修复表面钝化质量，但由于在多晶硅/ITO 界面形成了寄生氧化层，接触电阻率严重增加。或者，我们表明 PLD TCO 可用于减轻超薄（约 10 纳米）多晶硅层的损伤。通过增加沉积压力可以进一步改善多晶硅触点钝化，同时通过在高质量超薄多晶硅（n+）触点上使用 PLD 掺杂铟的氧化锡 (ITO) 层可实现低触点电阻率（约 45 m Ω cm 2）和良好的热稳定性（高达 350 °C）。通过将 PLD ITO 膜的出色光电特性与 10 nm 薄多晶硅触点相结合，可以实现高度透明的正面触点。
使用 III-V 胶体量子点进行快速近红外光电检测
胶体量子点 (CQDs) 因其可调带隙和溶液处理特性，是用于红外 (IR) 光检测的有前途的材料；然而，到目前为止，CQD IR 光电二极管的时间响应不如 Si 和 InGaAs。据推测，II-VI CQD 的高介电常数会导致由于屏蔽和电容而导致的电荷提取速度变慢，而 III-V 族（如果可以掌握其表面化学性质）则可提供低介电常数，从而增加高速操作的潜力。在初步研究中发现，砷化铟 (InAs) 中的共价特性会导致不平衡的电荷传输，这是未钝化表面和不受控制的重掺杂的结果。报道了使用两性配体配位进行表面管理，并且发现该方法同时解决了 In 和 As 表面悬空键。与 PbS CQD 相比，新型 InAs CQD 固体兼具高迁移率（0.04 cm 2 V − 1 s − 1），介电常数降低了 4 倍。由此产生的光电二极管实现了快于 2 ns 的响应时间——这是之前报道的 CQD 光电二极管中最快的光电二极管——并且在 940 nm 处具有 30% 的外部量子效率 (EQE)。
InAs 胶体量子点固体中的顺序共钝化可实现高效的近红外光电探测器
III-V 族胶体量子点 (CQDs) 是用于光电应用的有前途的材料，因为它们避免了重金属，同时实现了从可见光到红外 (IR) 的吸收。然而，III-V CQDs 的共价性质要求开发新的钝化策略来制造用于光电器件的导电 CQD 固体：这项工作表明，先前在 II-VI 和 IV-VI 量子点中开发的使用单个配体的配体交换不能完全钝化 CQD，并且这会降低设备效率。在密度泛函理论 (DFT) 模拟的指导下，这项工作开发了一种共钝化策略来制造砷化铟 CQD 光电探测器，该方法采用 X 型甲基乙酸铵 (MaAc) 和 Z 型配体 InBr 3 的组合。这种方法可保持电荷载流子迁移率并改善钝化效果，斯托克斯位移减少 25%，第一激子吸收线宽随时间推移的增宽率降低四倍，并使光致发光 (PL) 寿命增加一倍。所得器件在 950 nm 处显示 37% 的外部量子效率 (EQE)，这是 InAs CQD 光电探测器报告的最高值。
可调激光应用的砷化加仑光子集成电路平台
摘要 - 在1030 nm波长附近的运行的主动循环集成技术已在炮码（GAAS）光子集成电路平台上开发。该技术利用量子井（QW）稍微垂直从波导的中心偏移，然后在上覆层再生之前有选择地去除以形成主动和被动区域。活性区域由砷耐加仑（INGAAS）QWS，砷耐磷化物（GAASP）屏障，GAAS单独的配置异质结构层和铝铝（Algaas）甲板组成。Fabry Perot激光器具有各种宽度和表征，表现出98.8％的高注射效率，内部活跃损失为3.44 cm -1，内部被动损失为3 µm宽波导的4.05 cm -1。3 µm，4 µm和5 µm宽的激光器在100 MA连续波（CW）电流（CW）电流和阈值电流低至9 mA时显示出大于50 MW的输出功率。20 µm宽的宽面积激光器在CW操作下显示240 MW输出功率，35.2 mA阈值电流，低阈值电流密度为94 A/cm 2，长2 mm。此外，这些设备的透明电流密度为85 A/cm 2，良好的热特性具有T 0 = 205 K，Tη= 577K。