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World File Search System磷化铟
sub-mw低温INP HEMT LNA用于量子读数
摘要 - 低温磷化物（INP）高电子动力晶体管（HEMT）低噪声放大器（LNA）用于在4 K处的Qubits读数放大，其中冷却能力有限地暗示活性电路的DC功率是一个必不可少的设计约束。在本文中，在4 K处的超功率（ULP）操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。 将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。 制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的，并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。 在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益，平均噪声温度为200 µW DC功率。在本文中，在4 K处的超功率（ULP）操作下INP HEMT的RF和噪声性能已被表征。将INP HEMT的小信号和噪声参数模型提取到1 µW。噪声性能和直流功耗之间的权衡是根据排水电流和排水电压分析的。制造了4–6 GHz混合低温HEMT LNA专为量子读数而设计的，并针对低于1 MW DC功率的最低噪声进行了优化。在4 K时测量的LNA的测量性能达到23.1 dB平均增益，平均噪声温度为200 µW DC功率。
从乙腈中可扩展电沉积液态金属...
高度集成的可拉伸电子产品的发展需要开发可扩展的（亚）微米导体图案。共晶镓铟 (EGaIn) 是一种适用于可拉伸电子产品的导体，因为其液态金属特性使其在变形时具有高电导率。然而，它的高表面能使其以亚微米分辨率进行图案化具有挑战性。在此，我们通过首次报道 EGaIn 的电沉积克服了这一限制。我们使用一种非水基乙腈电解质，该电解质具有高电化学稳定性和化学正交性。电沉积材料可产生低电阻线，在（重复）拉伸至 100% 应变时仍保持稳定。由于电沉积受益于用于图案化基底金属的成熟纳米制造方法的分辨率，因此提出的“自下而上”方法通过在纳米压印预图案化的金种子层上进行电镀，在弹性体基板上实现了 300 nm 半间距的 EGaIn 规则线的创纪录高密度集成。此外，通过填充高纵横比通孔，实现了垂直集成。该功能通过制造全向可拉伸的 3D 电子电路概念化，并展示了用于制造微芯片互连的稳定镶嵌工艺的软电子模拟。总体而言，这项工作提出了一种简单的方法来解决高度集成 (3D) 可拉伸电子产品中的金属化挑战。
便携式防空导弹：对民航的恐怖威胁？
AA 防空 AD 防空 ALBI 空射弹道拦截 APEC 亚太经济论坛 AQIM 马格里布基地组织 ASEAN 东南亚国家联盟 ATLAS 先进双管防空导弹 BCU 电池冷却装置 BICC 波恩国际转换中心 CCD 电荷耦合器件 CdS 硫化镉 CIS 独立国家联合体 CLOS 视距指挥 CM 对抗措施 CPU 中央处理单元 CREWPADS 机组便携式防空系统 DIRCM 定向红外对抗措施 DMZ 非军事区 FARC 哥伦比亚革命武装力量 (Fuerzas Armadas Revolucionarias de Colombia) FMLN 法拉本多马蒂民族解放阵线 (Frente Farabundo Marti para la Liberación Nacional) FN 飞弩 (Fei Nu) FOV 视场 FSA 叙利亚自由军FYR 前南斯拉夫共和国 GOB 白俄罗斯政府 GUNT 民族团结过渡政府 (过渡政府) HEL 高能激光器 HgCdTe 碲化汞镉 HN 红樱桃 HY 红缨 ICAO 国际民用航空组织 ICU 伊斯兰法院联盟 IFALPA 国际航空公司飞行员协会联合会 IFF 敌我识别 InSb 锑化铟 IR 红外线 IRCM 红外对抗系统 ISAF 国际安全援助部队 LML 轻型多管发射器 LOS 视距 LTTE 泰米尔伊拉姆猛虎解放组织 MANPADS 便携式防空系统 MAWS 导弹应用
博士普拉文·坦瓦尔
纳米结构氧化铝中的微观结构、相形成和光带；J. Gangwar、KK Dey、Komal、Praveen、SK Tripathi、AK Srivastava；Advanced Materials Letters，2011，2(6)，402-408。“通过物理途径生长的块体碲化锡的特殊结构、光学、顺磁性、电子和电学行为”，Praveen Tanwar、AK Srivastava、Sukhvir Singh、AK Panwar，Advanced Science Letters，第 21 卷，第 9 期，2015 年 9 月，第 2855-2864(10) 页。“不同厚度碲化锡薄膜的微观结构和光学特性研究”，Praveen Tanwar、Amrish K. Panwar、Sukhvir Singh、AK Srivatava； Thin Solid Films 693 (2020) 137708。“不同厚度真空蒸发 SnTe 薄膜的结构、电学和热电性能比较”，Praveen Tanwar、AK Panwar、Sukhvir Singh、AK Srivastava、J. Nanosci. Nanotechnol. 2020, 20(6):3879-3887。“真空蒸发 SnTe 薄膜的结构、电学和热电性能研究”，Praveen Tanwar、Sukhvir Singh、AK Panwar、AK Srivastava，《印度纯粹与应用物理学杂志》第 58 卷，2020 年 10 月，第 740-749 页。 “SnTe 拓扑绝缘体上铟掺杂的超快探测”，Praveen Tanwar、Prince Sharma、AK Panwar、AK Srivastava、A. Kumar、Sukhvir Singh 和 M. Kumar；物理学 B 631 (2022) 413656。
用 HfO 2 /In 2 O 3 栅极堆栈表征超薄原子层沉积氧化物半导体 MOS 电容器中的界面和体陷阱
氧化物半导体重新引起了人们对用于单片三维 (3D) 集成的互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端 (BEOL) 兼容器件的兴趣。为了获得高质量的氧化物/半导体界面和体半导体，提高氧化物半导体晶体管的性能至关重要。据报道，原子层沉积 (ALD) 氧化铟 (In 2 O 3 ) 具有优异的性能，例如高驱动电流、高迁移率、陡亚阈值斜率和超薄沟道。在本文中，使用 C – V 和电导方法系统地研究了 ALD In 2 O 3 晶体管的 MOS 栅极堆栈中的界面和体陷阱。从 C – V 测量中的积累电容直接获得了 0.93 nm 的低 EOT，表明高质量的栅极氧化物和氧化物/半导体界面。通过 TCAD 对 C – V 和 G – V 特性的模拟，证实了 In 2 O 3 块体中亚带隙能级的缺陷是造成 GP / ω 与 ω 曲线中电导峰的原因。从 C – V 测量中提取了 1×10 20 /cm 3 的高 n 型掺杂。使用电导方法实现了 3.3×10 20 cm − 3 eV − 1 的高亚带隙态密度 (DOS)，这有助于实现高 n 型掺杂和高电子密度。高 n 型掺杂进一步证实了通道厚度缩放的能力，因为电荷中性水平在导带内部深度对齐。
单色 XPS 光谱
Eu (3+)（氧化铕中的铕，Z=63）..............................................................................................149 F (-)（氟化锂中的氟，Z=9）......................................................................................................155 Fe o（铁金属，Z=26）......................................................................................................................159 Ga o（镓金属，Z=31）......................................................................................................................163 Gd o（钆金属，Z=64）......................................................................................................................169 Ge o（锗金属，Z=32）......................................................................................................................173 Hf o（铪金属，Z=72）......................................................................................................................178 Hg o（汞金属，Z=80）......................................................................................................................182 Ho o（钬金属，Z=67）......................................................................................................................186 I (-)（碘钾碘化物，Z=53)...................................................................................................190 In o (铟金属，Z=49)....................................................................................................................196 Ir o (铱金属，Z=77)...................................................................................................................200 K (+) (氯化钾中的钾，Z=19)......................................................................................................204 Kr (+) (碳中氪，Z=36)......................................................................................................210 La (3+) (氧化镧中的镧，Z=57)......................................................................................................213 Li (+) (氢氧化锂中的锂，Z=3)......................................................................................................219 Lu o (镥金属，Z=71)......................................................................................................................224 Mg o (镁金属，Z=12)......................................................................................................................228 Mn o (锰金属， Z=25)......................................................................................................................233 Mo o（金属钼，Z=42）..................................................................................................................237 N (3-)（氮化硼中的氮，Z=7）..................................................................................................241 Na (+)（氯化钠中的钠，Z=11）........................................................................................247
光学隔离器PDF
最近在光学和光子学方面取得了突破，导致了非重点设备和材料的显着进步。研究人员已经证明了实现光学隔离的各种方法，包括磁光隔离器，非逆地相位变速器和声学系统。研究表明，可以使用IIII-V-niobate放大器和激光器（De Beeck等，2021）以及氮化硅平台（Yan等，2020）来实现综合波导隔离器。这些设备可实现有效的光学通信和传感应用。此外，研究人员还探索了在硅光子系统中使用微量的，这可以导致紧凑和集成的光子溶液（Shu等，2022; Shen等，2020）。其他研究的重点是开发针对平面波导隔离器的非重粒子材料和设计（Srinivasan＆Stadler，2018）。此外，研究人员还研究了在不使用磁光材料的情况下实现光学分离的各种方法。这些方法包括合成磁力和储层工程（Fang等，2017），电动驱动的Acousto-Optics（Kittlaus等，2021）以及声子介导的光子自动镇分布（Sohn等，2021）。总体而言，这些非重点设备和材料中的这些进展对用于光学通信，传感和其他应用的紧凑，集成光子系统的开发具有重要意义。最近的一项研究证明了用于基于芯片的激光雷达技术的非重点脉冲路由器的发展[1]。这项创新基于光学隔离器和循环器的先前研究，这些创新已被证明是通过参数放大[2]和KERR效应的固有非交流性[3]来实现的。其他研究探索了微孔子来创建隔离器和循环器[4]，以及在对称微腔中的可重构对称性激光[5]。研究人员还研究了用于频率梳子产生和低功率启动的高Q氮微孔子[6，7]。已经报道了磷化磷化物非线性光子学的综合凝固膜的发展，以及基于触觉的Kerr非线性综合光子学[8，9]。还研究了高Q硅碳化物微孔子中的光学KERR非线性，以及硅碳化物纳米光子学中的光学参数振荡[10，11]。进一步的研究集中于具有高第二谐波产生效率的定期粘性薄膜硅锂微孔谐振器[12]。单片硅锂光子电路已为Kerr频率梳子的产生和调制开发[13]。研究还研究了由于动态互惠性而引起的非线性光学隔离器的局限性[14]，以及非线性谐振器中反传播光的对称破坏[15]。已报道了非线性微孔子中自发性手性的实验证明，以及基于氮化硅和非线性光学硅Hydex的新型CMOS兼容平台[16，17]。研究还探索了稀薄的氮化硅同心微孔子中的分散工程和频率梳子的产生[18]。据报道，探测材料吸收和集成光子材料的光学非线性，以及解决硅微孔谐振器设备的热挑战[19，20]。最后，已经证明了镜子对称的片上频率循环，以及由硅芯片上带光子跃迁引起的电动驱动的非转换的非逆向性[21，22]。使用微孔调制器的光学隔离也已经探索[23]。注意：我在试图维护原始含义和上下文的同时解释了文本。但是，为了清楚起见，可能已经省略或改写了一些次要细节。研究人员刘和团队开发了一种大规模生产高质量氮化硅光子电路的方法，以最低的损失率以最低的损失率实现了出色的性能。在他们最近在《自然传播》中的出版物中详细介绍了这一突破。
低功耗、可扩展、兼容 BEOL 的 IGZO TFT eDRAM 电荷域计算
摘要 — 在有限的芯片占用空间和能源供应下，边缘人工智能 (AI) 的快速发展对边缘设备的数据密集型神经网络 (NN) 计算和存储提出了很高的要求。作为一种有前途的节能处理方法，内存计算 (CiM) 近年来在缓解数据传输瓶颈的努力中得到了广泛的探索。然而，片上内存容量较小的 CiM 会导致昂贵的数据重新加载，限制了其在大规模 NN 应用中的部署。此外，先进 CMOS 缩放下增加的泄漏降低了能源效率。在本文中，采用基于铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜晶体管 (TFT) 的器件电路协同来应对这些挑战。首先，提出了 4 晶体管 1 电容器 (4T1C) IGZO eDRAM CiM，其密度高于基于 SRAM 的 CiM，并且通过较低的器件泄漏和差分单元结构增强了数据保留。其次，利用新兴全通道 (CAA) IGZO 器件的后端 (BEOL) 兼容性和垂直集成，提出了 3D eDRAM CiM，为基于 IGZO 的超高密度 CiM 铺平了道路。提出了包括时间交错计算和差分刷新在内的电路技术，以保证大容量 3D CiM 下的准确性。作为概念验证，在代工厂低温多晶和氧化物 (LTPO) 技术下制造了一个 128 × 32 CiM 阵列，展示了高计算线性度和长数据保留时间。在扩展的 45nm IGZO 技术上的基准测试显示，仅阵列的能效为 686 TOPS/W，考虑外围开销时为 138 TOPS/W。
acsami.2c04043.pdf - DR-NTU
摘要：共晶镓-铟 (EGaIn) 因其在室温下可塑性强、导电性和机械稳定性，越来越多地被用作分子电子学和可穿戴医疗设备中的界面导体材料。尽管这种用途日益广泛，但控制 EGaIn 与周围物体相互作用的机械和物理机制（主要受表面张力和界面粘附力调节）仍不太清楚。在这里，我们在原始 EGaIn/GaO x 表面上使用深度感应纳米压痕 (DSN)，揭示了 EGaIn/基底界面能的变化如何调节粘附和接触机械行为，特别是具有不同毛细管几何形状和压力的 EGaIn 毛细管桥的演变。通过使 EGaIn 处于不同的化学环境中，并用化学性质不同的自组装单层 (SAM) 对尖端进行功能化，可以改变界面能，我们发现 EGaIn 和固体基底之间的粘附力可以提高多达 2 个数量级，从而使毛细管桥的伸长率增加约 60 倍。我们的数据表明，通过部署具有不同端基的 SAM 的分子结，电荷传输速率趋势、单层的电阻以及 EGaIn 和单层之间的接触相互作用（从电气特性来看）也受界面能控制。这项研究为了解界面能对 EGaIn 毛细管桥几何特性的作用提供了关键的理解，为以受控方式制造 EGaIn 结提供了见解。关键词：EGaIn、毛细管桥、深度感应纳米压痕、分子结、自组装单分子膜■ 简介
回顾——21 世纪光伏研究需求
到 2050 年，安装的太阳能电池板规模必须达到约 100 TWp，才能对我们的能源结构和碳排放产生切实影响。薄膜非晶硅电池板是目前唯一能够安装 100 TWp 的技术。如果用铜或铝代替硅板中的银，硅晶片电池板可以达到 100 TWp。碲化镉和铜铟镓硒将成为大局中微不足道的技术。为了高效生产硅板，需要研究高效净化硅、低切口损耗硅晶片以及地球上储量丰富的硅顶电池。或者，我们可以寻求一种比硅更节能且仅利用地球上储量丰富的材料的新型电池技术。对于任何电池技术，都需要研究以改善成本、效率和可持续性，包括用于每日至多年存储以及太阳能电力区域和全球贸易的存储技术、回收技术以最大限度地降低成本并最大限度地利用废弃电池板的收入，以及用于实时和现场消耗太阳能电力的系统和应用。© 2020 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/2162-8777/abd377]