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World File Search System离子源
离子源还是等离子源？
离子辅助沉积中使用的源可作为离子源或等离子源出售，这意味着两者之间存在差异。 网格离子源使用网格之间的静电加速或离子来加速离子。 [1] 这些源通常被称为“离子源”。 它们在几分之一毫托的背景压力下工作效果最佳，并在几百电子伏或更高的离子能量下产生有用的离子束电流。 无网格离子源利用准中性等离子体中离子的电磁加速来加速离子。 [1] 最常见的无网格离子源（端霍尔离子源）通常在低至 20-30 电子伏或更低的离子能量下工作。 [2,3] 无网格源既被称为“离子源”，也被称为“等离子源”。 [5] 离子源和等离子源有什么区别？ 如上所述，有时离子源会产生更高的离子能量。 有时没有区别。
直流等离子源基础
摘要 典型的直流放电由一端的负阴极和另一端的正阳极组成，两者之间由充满气体的间隙隔开，放置在一个长玻璃圆筒内。阴极和阳极之间需要几百伏的电压来维持放电。两个电极之间形成的放电类型取决于工作气体的压力、工作气体的性质、施加的电压和放电的几何形状。我们讨论了放电的电流-电压特性以及辉光放电区形成的独特结构。直流辉光放电出现在 0.5 – 300 Pa 压力下的放电电流范围从 μ A 到 mA。我们讨论了在直流辉光放电中观察到的各种现象，包括阴极区域、正柱和条纹。直流辉光放电由由于离子轰击而从阴极靶发射的二次电子维持。几十年来，直流辉光放电一直被用作溅射源。然后它通常以受阻异常辉光放电的形式运行，所需施加的电压在 2 – 5 kV 范围内。通常，阴极靶（要沉积的材料）连接到负电压电源（直流或射频），并且基底支架面向靶。相对较高的工作压力（2 至 4 Pa 范围内）、高施加电压以及需要导电靶，限制了直流辉光放电作为溅射源的应用。为了降低放电电压并扩大工作压力范围，通过在阴极靶后面添加永磁体来施加磁场，增加靶附近电子的寿命。这种布置称为磁控溅射放电。介绍了磁控溅射放电的各种配置及其应用。此外，还简要讨论了直流放电在化学分析中的应用、彭宁放电和空心阴极放电及其一些应用。
1基于MG的液体金属离子源的比较。
我们比较了各种基于镁的液体金属合金离子源（LMAI）的适用性，以便于GAN的可伸缩聚焦离子梁（FIB）植入掺杂。我们考虑GAMG，MGSO 4•7H 2 O，MGZN，ALMG和AUMGSI合金。尽管遇到了氧化问题（GAMG），分解（MGSO 4•7H 2 O）和蒸气压力过大（MGZN和ALMG），但在Wien滤波器滤波器柱中运行的Aumgsi合金LMAIS在一个单独的和二型和二型芯片态度中均具有所有mg isotopes。我们讨论了实现<20nm斑点尺寸Mg Fib植入的工作条件，并通过飞行时间二级离子质谱法（TOF-SIMS）呈现MG深度谱图数据。我们还可以洞悉植入损伤和基于快速热处理前后的阴极发光（CL）光谱的恢复。前景。
利用螺旋等离子体开发直流加速器离子源
由于连续功率 (cw)、大电流加速器在各种应用中都是必需的，例如散裂中子源和加速器驱动的嬗变技术[1]，因此稳定、高密度等离子体源作为离子源变得越来越重要。开发能够以大电流、低发射率束流连续工作的离子源对这些高强度加速器来说是一个巨大的挑战。最近，通过满足这些要求，已经为大电流加速器开发了使用电子回旋共振 (ECR) 的微波离子源[2]。然而，这种源需要相对较强的磁场，这可能会增加发射率、尺寸和成本，以便为未来的应用开发更高电流密度和更大束流的源。螺旋模式产生了稳定的高密度等离子体，主要用于微电子等离子体处理[3]。注意到螺旋波可以在低频、低场、高密度范围内传播，螺旋等离子体源被提议作为连续波大电流、低发射率加速器的离子源[4]。为了证实螺旋等离子体的这些优良特性，构建了一个紧凑的高密度螺旋等离子体源，并研究了其特性。第二部分描述了螺旋等离子体源的实验装置和等离子体的特性。第三部分研究了螺旋等离子体的束流提取特性。通过实验和模拟，研究了在低于 5 kV 的低提取电压下，采用简单提取几何结构的束流特性。最后一节给出了结论。还提出了一种使用螺旋波的新型强流离子源设计。
用于碘化物分析的真空紫外离子源 (VUV-IS) ...
Liao, J.、Sihler, H.、Huey, LG、Neuman, JA、Tanner, DJ、Friess, U.、Platt, U.、Flocke, FM、Orlando, JJ、Shepson, PB、Beine, HJ、Weinheimer, AJ、Sjostedt, SJ、Nowak, JB、Knapp, DJ、Staebler, RM、Zheng, W.、Sander, R.、Hall, SR 和 Ullmann, K.：通过化学电离质谱法和长程差分光学吸收光谱法对北极 BrO 测量结果进行比较，《地球物理研究杂志-大气》，116，Artn D00r02 325
适用于特殊 FIB 应用的硼液态金属合金离子源
聚焦离子束 (FIB) 装置是一项关键技术，在纳米技术领域已得到广泛应用，可用于局部表面改性、掺杂、原型设计以及离子束分析。这种 FIB 系统的主要组成部分是离子源及其可用的离子种类 1 。目前，大多数仪器都采用 Ga 液态金属离子源 (Ga-LMIS)，但对其他离子种类的需求仍在增加 2 。一种非常受关注的元素是硼，它是元素周期表中最轻的元素之一，在微电子学中已得到广泛应用，可通过注入或扩散在硅中进行 p 型掺杂 3 。人们长期以来一直对硼在 LMAIS 中的应用感兴趣，并为此付出了很多努力，通过 FIB 对材料进行局部改性，从而避免 B 宽束注入和光刻步骤。硼有两种稳定同位素，质量为 10 u（19.9% 天然
学术事务办公室印度理工学院Roorkee
课程概述：带电粒子动力学的审查；气排放基本面；离子源的分类；横向和纵向粒子束动力学；带有和没有空间充电的光束光学器件；离子源的提取系统；离子源的类型 - 签名电离量表（PIG），电子回旋谐振（ECR），真空弧，duoplasmatron，射频（RF）和snics离子源（通过cesium溅射的负离子来源）；离子源的真空技术，离子源的光束诊断。