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World File Search System离子轰击
通过以参与者为中心的心理教育程序缓解安慰剂响应：一项随机，单盲，全安慰剂研究主要抑郁症和精神病
最先进的固态量子处理器的主要局限性之一是由于表面上的吸附物，界面上的杂质和材料缺陷引起的噪声而引起的量子降压和放松。要使领域迈向全断层量子计算，需要更好地了解这些显微镜噪声源。在这里，我们使用超高的真空包装来研究真空负载，紫外线照射和离子辐照处理对放松和相干时间的影响，以及缓慢的参数频率的频率频率浮动，可调节的超导超导转移速度。所研究的处理不会显着影响弛豫率γ1和回声衰减率γe 2； SS处于最佳位置，除了减少γ1的NE离子轰击。相比之下，通过从紫外线和NH 3处理的芯片表面中去除磁吸附物，可以改善漏噪声参数。此外，我们证明了SF 6离子轰击可用于原位调节量子频率，而在固定后进行了轰炸，而不会在最佳位置影响量子放松和相干时间。
触觉溅射目标中的纹理不均匀性
溅射沉积如图1所示，溅射沉积过程是通过用离子轰击所需沉积材料的目标来完成的。事件离子在目标内引发碰撞级联。当级联反应以足够的能量克服表面结合能到达目标表面时，可以弹出原子。溅射室的示意图如图2所示。电场将传入的气体电离（通常是氩气）。阳性离子轰击靶（阴极）和溅射原子在底物上（阳极）。可以加热底物以改善键合。溅射产量（即从每个入射离子射出的原子的平均原子数）取决于几个参数，包括相对于表面的离子入射角，离子的能量，离子和靶原子的相对质量以及靶原子的表面结合能。虽然影响溅射的相对较大的数字参数使其成为一个复杂的过程，但具有如此多的控制参数可以对所得膜的生长和微观结构进行很大程度的控制。各向异性的晶体靶材料，晶格相对于靶表面的方向影响溅射产量。在多晶溅射目标中，以不同速率的不同方向溅射的晶粒。这可能会影响沉积薄膜的均匀性。一个关键控制参数是目标材料中纹理的均匀性。图3显示了铜单晶溅射产量的各向异性（Magnuson＆Carlston，1963年）。所有面部中心材料的一般趋势均具有：S（111）> s（100）> s（110）。
在高能量氦照射下添加性生产的难治性高渗透合金的组成效应
摘要：提出了高渗透合金（HEAS）作为各种极端环境的材料，包括填充和融合辐射应用。为了承受这些苛刻的环境，必须根据其给定的应用量身定制材料处理，这是通过增材制造过程实现的。但是，由于对辐射对HEA性能的影响不完全了解，因此辐射应用机会仍然有限。在这封信中，我们研究了添加性制造的难治性高渗透合金（RHEAS）对氦（HE）离子轰击的响应。通过分析显微镜研究，我们显示了合金组成与气泡大小和密度之间的相互作用，以证明增加组成复杂性如何限制HE气泡效应，但是在选择适当的组成元件时必须注意。
![arxiv：2401.08279v1 [cond-mat.supr-con] 2024年1月16日](/simg/g:\will\search\icon\source\f\f17eaad8e5ad12084321ea6b9e35eaabe5ef293a.webp)
arxiv：2401.08279v1 [cond-mat.supr-con] 2024年1月16日
我们报告了RBCA 2 Fe 4 AS 4 F 2中3.5 MeV质子辐照的影响，4 F 2是一种基于铁的超导体，在Pnictides和Pnictides和Cuprate高温超导通器之间具有不寻常的特性。我们研究了由离子轰击引入的结构障碍如何通过结合共面波导谐振技术，电动传输测量和点接触Andreev-Reflection Spectroscopicy来影响临界温度，超流体密度和间隙值。与在可比的辐射条件下其他基于铁的超导体相比，与其他基于铁的超导体相比，超导性特性异常弱依赖性。原始rbca 2 Fe 4 AS 4 F 2展示的节点多图态也对质子辐照也很强大，其中两个波段D -d模型是最适合实验数据的模型。
在各向异性铁的超导体rbca 2 Fe 4 AS 4 F 2
我们报告了RBCA 2 Fe 4 AS 4 F 2的3.5 MeV质子照射的影响，4 F 2是一种基于铁的超导体，在Pnictides和Pnictides和Cuprate高温超导体之间具有不寻常的特性。我们研究了由离子轰击引入的结构障碍如何通过结合共面波导谐振技术，电动传输测量和点接触Andreev-Refrespection光谱光谱来影响临界温度，超流体密度和间隙值。与在可比的辐射条件下相比，与其他基于铁的超导体相比，超导性能对该材料中的疾病量的异常弱依赖性。原始rbca 2 Fe 4 AS 4 F 2展示的节点多图态也对质子辐照也很健壮，其中两种频带D -d模型是最能拟合实验数据的模型。
采用远程等离子体辅助氢解吸和乙硅烷作为前驱体的硅原子层外延
沉积 (RPCVD) 系统以尽量减少表面损伤。起始表面是二氢化物和一氢化物终止的组合。ALE 实验周期包括用等离子体中的氦离子轰击基底 1-3 分钟以使其解吸，然后在无等离子体激发的情况下，在一定分压范围（1&- 7 Torr 至 1.67 mTorr）、温度范围（250 0 C-400 0 C）和时间范围（20 秒至 3 分钟）内用乙硅烷对表面进行剂量控制，以自限制方式将 Si2H6 吸附在轰击产生的裸露表面 Si 原子上，形成硅基 (SiH3) 物种，从而形成氢终止表面。在 3 分钟的轰击周期内，获得的最大生长量为每周期 0.44 个单层。随着轰击周期时间的减少，每周期的生长量减少，表明氢去除的百分比随着轰击时间的增加而减少。
磷端基聚合物对硅的掺杂
半导体技术依赖于通过在半导体基质材料的晶格中控制引入替代杂质（掺杂）来调整基板的电性能的能力，以便调整其电子、光学和/或磁性。1 然而，目前的原位掺杂策略不能轻易扩展到纳米级。随着半导体器件的尺寸缩小到纳米级，半导体内单个原子的标准随机分布变得至关重要，因为均匀掺杂分布的假设不再成立。2,3 目前，科学界正在努力开发一种新技术，以展示纳米级半导体结构的确定性掺杂。传统的掺杂技术主要基于离子注入，即用高能含掺杂剂的离子轰击目标半导体，随后使用高温热处理诱导离子替换晶格中的原子。 1 该技术的主要优势在于可以独立控制半导体主体内的掺杂剂量和杂质原子的深度分布。这种方法已被广泛探索，并已成为微电子领域的主力，因为它可以保证大面积的出色掺杂均匀性。