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World File Search System空气桥
![arXiv:2102.06123v1 [cond-mat.mes-hall] 2021 年 2 月 11 日](/simg/g:\will\search\icon\source\b\b8bc6a7b332a1f9d55a395c76410f176ca59f37a.webp)
arXiv:2102.06123v1 [cond-mat.mes-hall] 2021 年 2 月 11 日
我们介绍了一种使用三层光刻胶工艺和电子束光刻技术，通过一次曝光制造出大量微观空气桥的技术。该技术能够形成具有牢固的金属-金属或金属-基板连接的空气桥。该技术已在由 400 个相同的表面栅极组成的电子隧道装置中得到应用，用于定义量子线，其中空气桥用作表面栅极的悬浮连接。该技术使我们能够创建大量两端均开放的均匀一维通道。在本文中，我们概述了制造工艺的细节，以及该技术开发中存在的挑战的研究和解决方案，其中包括使用水-IPA（异丙醇）显影剂、校准光刻胶厚度和对开发进行数值模拟。
基于 MEMS 的微离子阱阵列用于量子模拟缩放
桑迪亚国家实验室的线性离子阱芯片采用金属 MEMS 工艺进行微加工。平面金属阱电极（W 表面涂有 Au）和穿过 Si 基板的孔定义了捕获区域，并允许激光以 3D 光学方式访问在孔上纵向延伸的 RF 引线之间捕获的离子。孔边缘的控制电极定义了七个捕获段。空气桥接金属引线减少了电容和 RF 耗散到基板。捕获离子图像来自上面显示的 ITC。
![arxiv：2503.07431v1 [Quant-ph] 2025年3月10日](/simg/g:\will\search\icon\source\b\b6ea618b3bb5098bb617b9ff1403b2da54802ee8.webp)
arxiv：2503.07431v1 [Quant-ph] 2025年3月10日
在波动波参数放大器（TWPA）中，低损耗电容器对于提供50Ω的阻抗与增加的电感相匹配的50Ω阻抗，而不是通过用于放大的非线性元件所带来的电感，无论是Josephson连接点还是高动力敏感材料。在这里，我们报告了真空隔离微带的制造过程的开发，该设计的设计在无介电支持的情况下，地面平面悬挂在中心导体上方的附近。除了高电力传输线外，该体系结构还可以启用空气桥和紧凑的并行板电容器。在低温稀释冰箱设置中，使用分布式铝和颗粒铝谐振器进行了制造的性能，显示出与最先进的TWPA中使用的Fabripation过程相同的质量因素。除了表征质量因素对功率的依赖性外，还探索了它们在温度方面的行为，采用基于热准准颗粒和可饱和的两级系统（TLS）的模型，表明谐振器的质量因素受TLS的限制。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的较新的器件结构，例如 HEMT 和 HJBT。此外，GaAs 和相关化合物具有令人兴奋且经过验证的功能，可以产生、检测并将光转换为电信号。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作分立形式的低噪声放大器、混频器、振荡器和高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。本文回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、低噪声和高功率输出。最后，还介绍了 CEERI 制造的一些代表性设备结果。
GaAs MESFET 及相关工艺
摘要。自 1971 年 GaAs MESFET 问世以来，GaAs 的生长和加工技术已经成熟到模拟和数字 IC 生产已在工业水平上进行的程度。对更高工作频率、低噪声系数和更高增益的不断增长的需求导致了基于 GaAs 和相关化合物的 HEMT 和 HJBT 等较新的器件结构的出现。此外，GaAs 和相关化合物还具有产生、检测和将光转换为电信号的令人兴奋的和经过验证的能力。这开辟了光电器件及其与 MESFET 和其他传统器件集成的广阔领域。所有这些开发活动的基本构建块仍然是 GaAs MESFET，它也被广泛用作低噪声放大器、混频器、振荡器和离散形式的高功率放大器。本文回顾了低噪声和高功率 MESFET 的设计方面、制造技术、直流和微波特性。回顾了各种技术进步，如用于源极接地的通孔、用于低寄生互连的空气桥技术和聚酰亚胺钝化，这些技术进步有助于进一步提高工作频率、降低噪音和高功率输出。最后，还介绍了中国电气与电子研究所制造的一些代表性器件结果。
提高 BAE 系统公司的产能
2019 年春，BAE 系统公司位于新罕布什尔州纳舒厄的微波南部 (MWS) 工厂正式开业，标志着 Ramp 2 Rate 计划的另一个重要里程碑得以实现，为本已令人印象深刻的微电子装配和测试自动化套件增添了最先进的能力和产能。Ramp 2 Rate 计划历时两年，投资 1 亿美元用于新资本和设施，扩大了 BAE 系统公司的电子战综合制造中心 (EW-IMC) 和 100,000 级洁净室的占地面积，并将微波生产线数量从 3 条增加到 10 条，以满足对射频电子战产品线前所未有的需求增长。新的 MWS 工厂增加了 16,000 平方英尺的 100,000 级洁净室空间，使总面积达到近 60,000 平方英尺。该工厂拥有两条微波生产线，专门用于大批量生产集成微波组件 (IMA)，在过去两年中，为支持战斗机而完成的复杂 IMA 增长了 700% 以上，这为该工厂做出了巨大贡献。BAE Systems 所有微波工厂的先进微波生产线都采用自动化技术进行环氧树脂分配、GaAs 和 GaN MMIC 裸片拾取和放置，以及包含空气桥、金线和带状键合的其他无源元件，以及检查和电气测试。一切都旨在最大限度地减少接触时间、单元变化、缺陷可能性、调整和测试时间，同时提高整体工艺的可重复性和质量。为了满足需求增长和设施人员配备和资本扩张，以及确保 BAE Systems 的微电子员工队伍不断接受最新质量标准和运营流程的培训，