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World File Search System空洞
欧盟扩大的下一步——前进还是后退？
欧盟目前的扩大进程曾被誉为欧盟最成功的外交政策，但目前进展并不顺利。随着乌克兰和摩尔多瓦获得候选国地位，人们普遍认识到需要对现有程序进行重大改革。一些提案的出现就是明证，这些提案大多旨在恢复成员国身份的激励作用；但也有一些想法旨在阻止进一步扩大或提供替代方案。本文调查了这些提案的内容，还考虑了取消扩大前景的成本，并提出了未来的想法。它充实了迄今为止空洞的“逐步”和“加速”一体化概念，并认为通过将入盟进程构建为明确标记的集群章节“阶段”，欧盟将能够在谈判过程中为公民提供具体可见的利益。这将旨在提高公众支持，并帮助候选国以合乎逻辑的循序渐进的方式建立机构能力，从而促进合作和信任。
微电子可靠性
3D 技术中不同功能层之间的垂直电互连通常采用硅通孔 (TSV) 实现 [1]。根据应用，这些 TSV 的长度范围从 100 μm 到几 μm。直径通常也相应地缩小。这些 TSV 对于 3D 技术来说是必不可少的，可确保更短的电互连，从而实现更高的器件密度和信号速度。但它们也容易出现故障。 TSV 中存在多种潜在故障原因和影响 [2]，例如空洞（电迁移或加工引起）、分层、未对准、与金属连接不良、TSV 之间连接短路或开路、衬里击穿、应力引起的影响等。在本文中，我们讨论了两种已知故障分析技术——磁场成像 (MFI) 和光诱导电容改变 (LICA) 的替代用途，以检测与衬里击穿 (BD) 引起的泄漏和连接 TSV 的金属开路相关的 TSV 故障。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
2023 年 3 月 4 月军事评论英语
作战艺术是军事词汇中最有争议的术语之一。很少有条令定义像作战艺术这样变化如此之大，含义如此之多。不幸的是，对于规划者来说，当前的联合条令过于复杂化了这一术语，并提供了一个空洞的定义，其效用有限，对联合部队没有任何见解。对于条令学究来说，这不仅仅是一个语法细节问题——对作战艺术的定义令人困惑或不明确，可能会给 21 世纪近乎势均力敌的冲突中的联合部队带来灾难，因为未来的战场可能会涉及需要专家应用作战艺术的那种分布式作战。本文并非对该术语起源的历史概述，而是讨论当前联合定义中存在的问题，提出补救措施，并概述为什么联合部队需要更清晰的作战艺术定义来应对现代挑战。
真空对 PEM 中金/铝线键合高温降解的影响
金属间化合物的生长和转变伴随着金/金属间化合物界面处键合内部以及键合外围的铝接触垫中空隙的形成。空隙是由于 Al 和 Au 原子扩散速率差异（Kirkendall 效应）形成的空位聚结而产生的。金属间化合物的形成使键合更坚固，但由于金属间化合物的体积变化，与 Au 和 Al 相比，键合更脆，机械应力更大 [1, 3]。由于金属间化合物的形成，引线键合的电阻仅增加几十毫欧姆 [1, 4]。在退化的初始阶段，空隙不会显著影响键合的机械强度和接触电阻。然而，长时间暴露在高温下会增加空洞，直至键合变得机械脆弱和/或电阻增加到可接受水平以上，从而导致设备故障。
使用反应膜进行电子应用的快速局部焊接
摘要 — 快速局部加热技术允许连接对温度敏感的材料和组件，而不会出现高温焊料回流工艺中常见的热损伤。这对于制造热膨胀系数差异较大的材料组件也很有利，不会产生弯曲或开裂。使用夹在焊料预制件之间的放热反应箔是一种很有前途的局部快速焊接工艺，因为它不需要任何外部热源。反应箔由交替堆叠的 Ni 和 Al 纳米层形成，直到达到总膜厚度。一旦使用外部电源激活薄膜，就会发生反应并释放出一定量的能量，这些能量会转移到焊料预制件上。如果这个能量足够高，焊料预制件就会熔化并确保组件材料之间的粘合。研究了施加的压力、反应膜 (RF) 厚度以及焊料和附着材料的化学成分和厚度的影响。结果表明，工艺过程中施加的压力对接头初始质量有很大影响，当压力值在 0.5 到 100 kPa 之间时，空洞率从 64% 降至 26%。这可以通过在较高压力下焊料流动性改善从而带来更好的表面润湿性并消除空洞来解释。另外，一旦焊料熔化时间增加，接头质量就会改善。当反应箔的厚度增加（额外的感应能量）或焊料、Cu 和/或 Si 的厚度减少（更少的能量消耗）时可以观察到这种关系。由于冷却速度高，与在炉中使用传统焊料回流工艺获得的结构相比，使用 RF 实现的 AuSn 接头的微观结构显示出非常细的相分布。在 100 kPa 压力下，对组装在活性金属钎焊基板上的 350 mm 厚硅二极管进行剪切试验，以评估接头的机械性能。RF 厚 60 mm，夹在两个 25 mm 厚的 96.5 Sn 3 Ag .5 Cu (SAC) 预制件之间。测试样品的空隙率约为 37%，剪切强度值超过 9.5 MPa，远高于 MIL-STD-883H 要求。最后，将工艺对组装二极管电气性能的影响与常用的焊料回流组件进行了比较，结果显示变化可以忽略不计。
17 个行业领域 - 2019/20 年英国制造业回顾
大多数公司仍然不知道英国脱欧意味着什么。我们在第 122 页的文章中给出了重要人物（制造商）的截然不同的观点。可以肯定的是，英镑贬值对许多出口制造商有利，我们希望，如果英镑在一段时间内保持接近这一估值，它将鼓励更多公司尝试出口——出口这件事做起来比说起来难得多。您可能会惊讶地发现，纺织品是英国一个不断增长的出口行业，从“英国制造”品牌中受益匪浅——请参阅第 110 页。我赶紧补充说，英镑贬值对那些从欧洲购买零部件的人来说并不好，这就是为什么虽然我们的汽车行业看起来很健康，但为了长期繁荣，英国需要填补空洞的中间部分并建立更多的国内供应商（见第 25 页）。Gardner Aerospace 是英国中型、高能力公司如何发展的一个很好的例子，第 45 页对此进行了介绍。
用概率时空解决信息悖论
霍金描述黑洞信息悖论已经 50 年了。研究发现，黑洞辐射和随后的黑洞蒸发相结合会使被困住的信息消失，这违反了量子信息守恒定律。从那时起，人们进行了许多尝试来解决这一悖论。本文简要回顾了所有这些尝试都存在重大缺陷，这意味着该悖论仍未得到解决。一种相对较新的宇宙学理论提供了一种解决方案，尽管它并非为此目的而开发。该理论名为概率时空理论 (PST)，与所有现行宇宙学理论相比，它首先改变了一个基本假设。时空不再被视为空洞或其他实体的容器，而是被视为宇宙中最基本的实体，由能量碎片组成，并且（根据守恒定律）无法毁灭。描述了 PST 在解决信息悖论中的潜在贡献，并发现时空概念化的单一变化会导致悖论的消失而不是信息的消失。
增材制造快报
在本研究中，采用高通量 (HT) 方法来快速评估 83 种增材制造的 316L 不锈钢的表面特性。表面粗糙度 (S a) 的变化与无量纲数 (π) 呈现出良好的相关性，并与内部孔隙缺陷直接相关。未熔合状态与高表面粗糙度 (S a > 5 μm)、低无量纲数 (π < 61) 以及熔池轨道之间存在空洞有关。球化状态与高表面粗糙度 (S a > 5 μm)、中等无量纲数 (61 < π < 146) 和不均匀的熔池轨道宽度相关。锁孔状态表现出低表面粗糙度 (S a < 5 μm)、高无量纲数 (π > 146) 和弯曲的熔池轨道。这种方法加速了工艺参数的发现，并最大限度地减少了 LPBF 工艺的孔隙缺陷。缺陷对加工后拉伸力学性能的影响表明，具有孔隙度的样品的拉伸强度比最佳样品低 10%，延展性低 30%。
美国的半导体战略
当然，标杆管理不是一种策略。自愿退出全球市场不是一种策略。解决短期产品短缺问题（以行业无法做到的方式）不是一种策略。事实上，在撰写本文时，行业需要资金来解决短缺问题的说法已经显得空洞，因为个人电脑和智能手机对半导体的需求正在下降。2 这种“下行周期”不仅对这些产品的消费者有利，而且还将政策辩论转向更合适的目标：美国如何建立可持续的、以市场为中心的半导体政策，利用美国金融、工业和学术环境的优势，共同加速该行业的发展——不仅是几年，而是未来十年？美国如何确保全球半导体竞争不会演变为围绕转移制造能力的“零和”谈判，而是确保竞争能激发美国最好的一面：它能够利用世界上最优秀的科学家和人才。