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光激发二维钙钛矿中的非平衡晶格动力学
2D金属卤化物钙钛矿是一类新兴的可溶液加工半导体，由于其依赖于厚度和成分的电子可调性、简便的合成和高缺陷容忍度而引起了人们的浓厚兴趣，这使得它们在各种光电应用中具有吸引力。 [1] 这些2D变体是通过有机铵阳离子和金属卤化物八面体自组装成量子阱结构而形成的。 与相关的3D组合物相比，这种维度赋予了电荷载流子的量子限制，并且由于介电屏蔽减少而增加了激子结合能。 [2] 3D组合物中低频声子的数量和室温下的动态无序影响电子-空穴对的介电环境，从而导致电子-声子相互作用，例如电荷载流子屏蔽
用于高稳定、高效锂掺杂 Spiro-OMeTAD 基钙钛矿太阳能电池的多面二茂铁中间层
近年来，金属卤化物钙钛矿作为光伏器件中很有前途的光收集层，引起了越来越多的研究关注。迄今为止，使用螺环-OMeTAD 作为空穴传输层 (HTL) 是生产 PSC 的先决条件，其最高 PCE 可达 25% 以上。[1–3] 然而，在实现创纪录的 PCE 的同时，使用螺环-OMeTAD 也显著导致了钙钛矿层的快速降解。使用螺环-OMeTAD 给 PSC 带来的额外不稳定性源于添加到螺环-OMeTAD 中的掺杂剂，这些掺杂剂是改善 HTL 低固有电导率所必需的。[4–6] 截至撰写本文时，性能最高的 PSC 是使用锂双（三氟甲烷磺酰基）酰亚胺 (LiTFSI) 掺杂的螺环-OMeTAD 制备的，能够
来自二维材料的可调谐单光子发射器...
量子通信背景：二维材料中的单光子发射器 (SPE) 已成为量子技术和量子通信的有前途的平台。这些发射器能够产生单个光子，这对于安全通信、量子计算和其他需要操纵量子态的应用至关重要。过渡金属二硫属化物 (TMD) 等二维材料由于其原子级薄性质、强激子效应以及与其他量子器件集成的潜力，为实现 SPE 提供了独特的环境。在这些材料中，缺陷、应变和局部激子可以捕获电子和空穴，从而导致单光子的发射。此外，二维材料提供可调的电子和光学特性，可以更好地控制发射特性，例如波长和偏振。此外，基于二维材料的 SPE 的可扩展性和与现有光子和光电器件的集成使其成为未来量子技术的有力候选者。
喷墨打印、共面电解质门控有机场...
有机生物电子学是有机电子学领域中一个新兴的跨学科分支。从广义上讲，它可以定义为在生物系统中使用有机电子器件 [1] 来监测甚至刺激生物体的活动。[2] 有机材料似乎特别适合开发电子和生物之间的界面，因为它们具有独特的机械性能以及除了电子和空穴之外还传导离子的能力。[2,3] 除了成本和性能方面的其他最佳特性外，理想的有机生物电子器件还应满足进一步的要求，例如在灵活性/适应性和在液体环境中工作的可能性方面。[2,4] 这些要求对于那些需要在潮湿、高度非平面表面上操作有机器件的应用尤其重要，例如在可穿戴皮肤化学传感器 [5] 或可植入生物电子学领域。[6]
Alma Mater Studiorum 博洛尼亚大学档案馆......
2 意法半导体技术研发部，意大利阿格拉泰布里安扎 摘要 — 热载流子应力引起的性能退化是功率 LDMOS 晶体管可靠性的关键问题。对于 p 沟道 LDMOS 来说更是如此，因为与 n 沟道 LDMOS 不同，多数载流子和少数载流子都对器件可靠性起着根本性的作用。本文深入研究了新一代 BCD 集成 p 沟道 LDMOS 中热载流子应力引起的微观机制。彻底分析了竞争电子和空穴捕获机制对导通电阻漂移的影响。为此，据我们所知，我们首次使用了包括玻尔兹曼传输方程的确定性解和微观性能退化机制在内的 TCAD 模拟。对性能退化源和动态的深入了解将为未来的器件优化提供相关基础。
1.07 量子点：理论
1.07.1 简介 189 1.07.2 单粒子方法 190 1.07.2.1 密度泛函理论 191 1.07.2.2 经验赝势方法 193 1.07.2.3 紧束缚方法 194 1.07.2.4 k ? p 方法 195 1.07.2.5 应变效应 198 1.07.3 多体方法 201 1.07.3.1 时间相关 DFT 201 1.07.3.2 组态相互作用方法 202 1.07.3.3 GW 和 BSE 方法 203 1.07.3.4 量子蒙特卡罗方法 204 1.07.4 应用于不同物理效应：一些例子 205 1.07.4.1 电子和空穴波函数 205 1.07.4.2 嵌入量子点中的带内光学过程 206 1.07.4.3 胶体量子点中带隙的尺寸依赖性 208 1.07.4.4 激子 209 1.07.4.5 俄歇效应 210 1.07.4.6 电子–声子相互作用 212 1.07.5 结论 213 参考文献 213
利用水合五氧化二钒层纳米胶囊实现有机体异质结，用于高响应度自供电光电探测器
摘要：本文介绍了一种使用低成本溶液处理技术制造有机基器件的方法。在环境条件下，在 ITO 涂层玻璃基板上制造了一种氯取代的二维共轭聚合物 PBDB-T-2Cl 和 PC 71 BM 支持的纳米胶囊水合五氧化二钒 (HVO) 的混合异质结作为空穴传输层 (HTL) 光电探测器。该器件形成了一个优异的有机结二极管，整流比良好，约为 200。该器件在光电导模式（反向偏置）和绿光波长的零偏置下还表现出优异的光电检测特性。本文报道了非常高的响应度 ~6500 mA/W 和 1400% 的高外部量子效率 (EQE)。所提出的有机光电探测器分别表现出优异的响应和恢复时间 ~30 和 ~40 毫秒。
静电掺杂的概念及相关装置
静电掺杂旨在用超薄 MOS 结构中栅极诱导的自由电子/空穴电荷取代施主/受主掺杂剂种类。高掺杂的 N + /P + 端子和虚拟 PN 结可以在未掺杂层中模拟，从而促进具有丰富功能的创新可重构设备。其独特优点是载流子浓度和极性（即静电掺杂）可通过栅极偏置进行调整。在介绍基础知识之后，我们将回顾采用新兴或成熟技术（纳米线、纳米管、2D 材料、FD-SOI）制造的静电掺杂设备系列。通过强调与传统物理二极管的区别，讨论了 Hocus Pocus 二极管的多个方面。静电掺杂产生了许多具有出色记忆性和锐切换能力的频带调制设备。详细描述了其概念、内在机制和典型应用。
宽温度范围统一未掺杂块状硅...
摘要 — 几十年来，对于从 4K 到室温以上的硅载流子，一直没有开发出统一的模型。本文提出了一个统一的未掺杂硅低场和高场迁移率模型，分别针对 8K 到 300K 和 430K 时<100>和<111>方向的电子以及 6K 到 430K 时<100>方向的空穴。研究发现，Canali 高场饱和模型足以拟合<111>实验数据，但不能拟合<100>数据，这是由于各向异性引起的平台期和负差速度。因此，使用了改进的 Farahmand 模型。为了允许在各向异性模拟中进行参数插值，还针对<111>方向校准了改进的 Farahmand 模型。然后使用该模型预测 4K 下未掺杂 Si 中电子和空穴的迁移率，当有可靠的实验数据可用于 TCAD 模型开发时，该迁移率可作为初始校准参数。
h-BN 封装中的超低肖特基势垒...
图 1：(a) 具有铁磁触点的 h-BN 封装单层 WSe 2 隧道器件示意图 (b) 器件的光学显微镜图像。矩形部分（红色）表示封装结构；定义触点之前的封装样品的光学图像。(c) (顶部) 单层 WSe 2 相对于直接接触材料铂的能级图；(底部) 在有限偏压和超阈值栅极电压下的正向偏压条件下的漏源电流示意图。请注意，在我们的器件中，多数电荷载流子是空穴。围绕铁磁触点弯曲的能带未缩放。(d) 4.7K 下单层 WSe 2 的光致发光 (PL) 光谱仪（X o 表示中性激子峰）；（插图）同一单层 WSe 2 的室温 PL 光谱显示单层中集体激发的单个特征峰在 1.67 eV 处。