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World File Search System空隙
有问题的社交网络使用中的隐式认知
摘要：研究了焊接联合制造对焊接到玻璃环氧基板（FR4）的IGBT的热性能的影响。使用厚度为1.50 mm的玻璃 - 环氧基底，覆盖有35 µm厚的Cu层。从热空气平整（HAL）SN99CU0.7AG0.3层厚度为1÷40 µm。 IGBT晶体管ngb8207亿固定在sacx0307（sn99ag0.3cu0.7）糊中。样品被焊接在不同的焊接和不同的温度下框架中。测量了样品的热阻抗z t（t）和热电阻。进行了微观结构和空隙分析。发现不同样本的差异分别达到z th（t）和rth的15％和20％。尽管焊接接头中气体的比率在3％至30％之间变化，但发现空隙比与r TH的增加之间没有相关性。在不同的焊接技术的情况下，焊接接头的微观结构在金属间化合物（IMC）层的厚度上显示出显着差异。这些差异与焊接过程中Lilesus上面的时间息息相关。与焊料的热导率相比，IGBT的热参数可以更改，因为IMC层的导热率增加。我们的研究强调了使用IGBT组件组件的焊接技术的重要性和热量文件的重要性。
3D打印RF设备的纳米复合墨水
一种具有分级介电特性的3D打印成分的当前方法是构建两种空间分离的介电材料的成分。这些不同的材料之间的不同界面可能导致材料的热膨胀不同。另一种技术是将空隙放置在组件中以控制介电常数（即电能分配）。这两种技术通常都会产生机械不稳定的结构，这些结构限制了设备性能，尤其是对于在困难的环境条件下运行的小型卫星和飞机上的RF系统。
DAP®NOWARP®窗口和门泡沫密封胶
dap®无纱®专门配制，用于窗户和门框周围。虽然它可以用作通用泡沫，但这种革命性的扩展聚氨酯泡沫旨在空气密封，而无需施加可能对窗户或门框稳定性有害的压力。这种低压泡沫实际上是自动排气的，这意味着一旦填充空隙，被困的气体就会离开泡沫 - 与传统的聚氨酯泡沫不同，可能会继续扩大和施加压力。最终结果是窗户和门周围的气密密封，以帮助降低能源成本。
65 nm Beol Electro-Copper Plating Gap填充能力研究。
图5.2。相对电阻与EM测试的时间降解图。图中指出了两种不同的降解行为模式。...............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.3。分别用于带有双层和三层屏障的样品的t = 275、300、325°C的时间的CDF图和j = 2×10 -6 a/cm 2。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................5.4。fib图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的双层的下游诱导的空隙，以及（c）早期和（d）晚期失败的三层。虚线箭头指示电子流的方向。................................................................................................ 55 Fig.5.5。在t = 300°C下的双层三层屏障样品的双峰拟合。.................................................................................................. 56 Fig.5.6。Arrhenius图作为分裂A和B的温度的函数。提取早期和晚期失败模式的激活能。....... 58图6.1。tem显示了分裂的典型模具的Cu凹陷深度（a）a，（b）b和（c）c，分别为低，中值和高降低。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 64图6.2。在M2层的三个拆分中有缺陷的死亡百分比。............................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 65图6.3。通过V2M2处的三个分裂的接触电阻。6.4。6.5。6.6。.....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................在t = 275、300、325°C分开a的时间的时间（TTF）的CDF图（TTF），J = 2×10 6 A/cm 2。.................................................................................... 67 Fig.来自PFA的EM测试结构的 FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。 ................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图 6.7。 MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。 7.1。 2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。 ............................................................................................................ 76 Fig. 7.2。 （a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78FIB图像显示了（a）早期和（b）晚期失败的下游诱导的空隙。...................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................使用物理方法在t = 300°C下分裂A至C的双峰拟合。69图6.7。MTTF的Arrhenius图作为拆分a的温度的函数。7.1。2步（实线）和3步（仪表板线）Cu种子层的沉积功率。............................................................................................................ 76 Fig.7.2。（a）带有3步和2步Cu种子层的金属线的泄漏电流和（b）板电阻。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 78
超级...
在这项研究中，使用商业Flip-Chip Bonder在Pyrex和Silicon底物之间进行了Au-Sn Eutectic超薄金属堆栈（〜1μM）键的详细表征。通过在320至380 o C之间改变键合温度在2至10 MPa之间，在三个不同的键尺寸的9、49和100 mm 2上进行了彻底的配方表征和开发。结果表明，在较高的温度下观察到更好的键质量，但不受键压力幅度的影响。还发现，接触的平坦度是确定键均匀性并因此质量的最重要参数之一，这对于超薄金属键尤其重要。此外，这项研究特别强调通过透明的Pyrex顶部底物观察键均匀性和金属溢出。随着温度的升高，平均溢流宽度增加，在380 O C时达到300μm，但没有受到施加的键压力的显着影响。同时，超薄的键层使我们有可能观察到键区内形成的几种不同类型的微观结构，这提供了有关样品冷却速率，晶粒尺寸和金属间合金中的重要信息。在特定情况下，由于在共晶反应期间，Au和SN的迁移速率不同，因此在光学显微镜下在光学显微镜下观察到Kirkendall空隙。我们认为，这是使用非破坏性光学成像技术对键合合金中的空隙的首次成功观察。在成功表征金属回流后，从债券位点出发，一种简单的控制这种溢出的方法已通过精确控制的
悬垂距离的电池检查-Dragonfly
通过计算机断层扫描（CT）进行的X射线检查允许对电池进行质量评估，对于锂离子电池特别有用。ct可以轻松检查空隙，裂缝，分配和阳极分量之间的距离距离。在此应用程序注释中，我们使用Dragonfly 3D World软件展示了CT的电池检查功能。特别是，对深度学习模型进行了训练，可以自动分割悬垂 - 该模型可以应用于任何类似的扫描 - 例如，如果您扫描了100个电池，则可以使用相同的模型在所有扫描中分割悬垂。
优化芯片准备和处理以实现高产量混合芯片到晶圆键合
摘要 混合铜/电介质键合是一种成熟的晶圆对晶圆 (W2W) 键合技术，但将该技术应用于芯片对晶圆 (D2W) 键合却具有挑战性。芯片或晶圆上的极小颗粒可能会导致空隙/非键合区域。用于混合 W2W 的晶圆清洁和激活工艺已经相当成熟，但将其应用于减薄和单片化芯片进行 D2W 键合却非常具有挑战性。为了允许（部分）重复使用现有的晶圆级清洁、计量和激活工艺和设备，我们提出了一个新概念，即在玻璃载体晶圆上对芯片进行单片化、清洁和激活。在完成芯片准备步骤后，直接从载体晶圆上拾取芯片。这种方法不需要额外的拾取和放置步骤，并且避免使用传统的切割胶带。使用这种新方法进行的首次直接电介质 D2W 键合实验显示出非常有希望的键合产量，键合的 50 µm 薄芯片数量众多，完全没有空隙。此外，通过消除切割胶带，减薄晶圆和单个芯片始终由刚性表面支撑，从而实现超薄芯片处理。在本研究中，我们还报告了厚度小于 10 µm 的芯片的处理。关键词载体系统、混合键合、互连、拾取和放置、薄芯片
粒度和形状对粉末堆积密度的影响
在基于粉末床的添加剂制造（AM）中粉末扩散的不确定性在制造零件的质量和重复性方面提出了挑战。这些挑战由于粉末床颗粒之间存在的空隙而导致高孔隙率。这项工作着重于使用SS316L作为模型材料在粉末流动性上引起的粒径分布（PSD）引起的不确定性。分析了各种尺寸的颗粒，范围为10 µm至100 µm，以及双峰比为70:30的球形和卫星形颗粒。将使用USP 616确定每个样品的挖掘密度，表观密度和Hausner比率。较小的粒径已显示可降低体积密度和表观密度。同时，颗粒的形状也有助于粉末颗粒之间的包装能力。卫星粉已被证明可以增加粉末的直径，从而增强了粉末颗粒的散装密度。已显示双峰颗粒同时增加体积和挖掘的密度，而较小的粉末无法填充较大颗粒之间存在的空隙。但是，随着粉末颗粒之间的尺寸比的增加，大量密度降低，表明较小的粉末能够填补颗粒之间的间隙。在用Hausner比值来比较粉末颗粒时，双峰颗粒已显示出最差的流动性，值为1.19856。这是由于以下事实：较大颗粒之间的较小颗粒会增加粉末之间的摩擦。因此，本研究说明了粒度和形状如何影响粉末堆积密度，这对于优化材料设计和加工技术至关重要